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郭飞

作品数：16 被引量：4H指数：2
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信经济管理更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇专利
  • 5篇学位论文

领域

  • 8篇电子电信
  • 1篇经济管理

主题

  • 5篇碳化硅
  • 4篇集电区
  • 4篇发射极
  • 4篇发射区
  • 3篇电流增益
  • 3篇信号
  • 3篇增益
  • 3篇重掺杂
  • 3篇功率
  • 2篇单频
  • 2篇电荷
  • 2篇电力
  • 2篇电流
  • 2篇窄带
  • 2篇窄带信号
  • 2篇整流
  • 2篇整流效率
  • 2篇漂移区
  • 2篇终端结构
  • 2篇微波

机构

  • 16篇电子科技大学

作者

  • 16篇郭飞
  • 9篇张有润
  • 7篇张波
  • 6篇王文
  • 6篇刘凯
  • 4篇刘影
  • 2篇李涛
  • 2篇赵德双
  • 1篇吴浩然
  • 1篇张飞翔

年份

  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 2篇2018
  • 5篇2017
  • 4篇2016
  • 1篇2014
  • 1篇2011
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种基于电容式传感器的微弱信号检测方法
本发明属于电子技术领域，涉及微弱信号检测方法，提供为一种基于电容式传感器的微弱信号检测方法，用于克服现有检测方法检测电路复杂、信号算法复杂及传感器与电路集成差的缺点。本发明基于电容式传感器的微弱信号检测方法，首先将电容式...
张有润龚宏国郭飞张波
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一种基于聚焦波的微波窄带无线输能方法及装置
本发明公开了一种基于聚焦波的微波窄带无线输能方法及装置，属于无线输能技术。与传统的无线输能机制以及基于短脉冲的宽带TR无线输能技术不同，本发明采用近似于单频的窄带信号(带宽小于中心频率的10％)，利用TR天线阵列将电磁能...
李涛赵德双郭飞
一种碳化硅功率器件终端结构
本发明提供一种碳化硅功率器件终端结构，包括从下至上依次层叠设置的阴极、N+衬底、N缓冲层、N‑漂移区、阶梯形的P型区、阳极；P型区通过两次干法刻蚀形成两区刻蚀型JTE；N<Sup>‑</Sup>漂移区内部上方设有P型离子...
张有润王文郭飞钟晓康刘程嗣刘凯张波
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一种碳化硅双极结型晶体管
一种碳化硅双极结型晶体管，属于高功率半导体器件技术领域。包括从下至上依次层叠设置的集电极7、N<Sup>+</Sup>衬底6、N<Sup>‑</Sup>集电区5和P型基区4，P型基区4上表面一端具有上表面设置发射极1的N...
张有润王文郭飞钟晓康刘程嗣刘凯刘影张波
一种基于聚焦波的微波窄带无线输能方法及装置
本发明公开了一种基于聚焦波的微波窄带无线输能方法及装置，属于无线输能技术。与传统的无线输能机制以及基于短脉冲的宽带TR无线输能技术不同，本发明采用近似于单频的窄带信号(带宽小于中心频率的10％)，利用TR天线阵列将电磁能...
李涛赵德双郭飞
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一种碳化硅双极结型晶体管
本发明属于高功率半导体技术领域，具体的说涉及一种碳化硅双极结型晶体管。本发明主要通过在BJT的发射极1边缘与基极欧姆接触之间的外基区设置第二P+层9，第二P+层9为P型重掺杂层，可通过离子注入工艺形成，因为P性基区4位P...
张有润郭飞施金飞刘影张波
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一种碳化硅双极结型晶体管
一种碳化硅双极结型晶体管，属于高功率半导体器件技术领域。包括从下至上依次层叠设置的集电极7、N<Sup>+</Sup>衬底6、N<Sup>‑</Sup>集电区5和P型基区4，P型基区4上表面一端具有上表面设置发射极1的N...
张有润王文郭飞钟晓康刘程嗣刘凯刘影张波
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4H-SiC BJT功率器与工艺研究
郭飞
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GQ管理咨询公司商业计划分析
2013年5月，哈佛商学院组织了一场名为“专业机构面临的颠覆威胁”的圆桌会议，以“颠覆式创新”理论创始人克莱顿·克里斯坦森等人为代表的与会者认为：“颠覆性创新已经席卷了从钢铁到出版的众多行业，现在同一种力量正在重塑整个咨...
郭飞
关键词：商业计划书知识管理
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一种碳化硅双极结型晶体管
本发明属于高功率半导体器件技术领域，涉及一种碳化硅双极结型晶体管。本发明包括从下至上依次层叠设置的集电极、N<Sup>+</Sup>衬底、N<Sup>‑</Sup>集电区和P型基区；所述P型基区的上表面一端具有基极，另一...
张有润王文郭飞钟晓康刘程嗣刘凯
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