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闫江

作品数：185 被引量：8H指数：2
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
发文基金：国家科技重大专项更多>>
相关领域：电子电信文化科学化学工程理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 172篇专利
  • 9篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 16篇电子电信
  • 2篇化学工程
  • 2篇文化科学
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 88篇半导体
  • 81篇半导体器件
  • 47篇刻蚀
  • 34篇掩模
  • 33篇栅极
  • 25篇衬底
  • 24篇光刻
  • 21篇线条
  • 21篇沟槽
  • 20篇沟道
  • 19篇介质层
  • 18篇侧墙
  • 16篇叠层
  • 16篇集成度
  • 14篇掩膜
  • 13篇电子束曝光
  • 13篇淀积
  • 13篇堆叠
  • 12篇纳米
  • 11篇料层

机构

  • 184篇中国科学院微...
  • 3篇贵州大学
  • 1篇清华大学

作者

  • 184篇闫江
  • 67篇唐波
  • 65篇唐兆云
  • 52篇许静
  • 42篇李俊峰
  • 42篇李春龙
  • 41篇王红丽
  • 34篇赵超
  • 26篇杨萌萌
  • 23篇殷华湘
  • 22篇陈邦明
  • 21篇孟令款
  • 19篇杨涛
  • 19篇王文武
  • 16篇张青竹
  • 16篇陈大鹏
  • 11篇杨红
  • 9篇赵利川
  • 9篇贺晓彬
  • 9篇徐秋霞

传媒

  • 3篇半导体技术
  • 3篇微纳电子技术
  • 2篇2013‘全...
  • 1篇微电子学
  • 1篇中国科技成果
  • 1篇东北石油大学...

年份

  • 4篇2020
  • 13篇2019
  • 25篇2018
  • 16篇2017
  • 50篇2016
  • 16篇2015
  • 34篇2014
  • 14篇2013
  • 12篇2012
共 185 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
鳍式场效应晶体管及其鳍的制造方法
本发明提出了一种鳍的制造方法，包括：提供半导体衬底；刻蚀半导体衬底以形成鳍；至少进行一次氧化去除工艺，氧化去除工艺包括：进行氧化工艺，以形成氧化层；去除氧化层。本发明在刻蚀衬底形成鳍后，进行氧化和去除工艺，以缩小鳍的关键...
李春龙闫江李俊峰赵超
文献传递
半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底中形成栅极沟槽；在栅极沟槽侧壁形成多种材料构成的栅极侧墙堆叠；在栅极沟槽底部以及栅极侧墙堆叠侧壁形成栅极堆叠。依照本发明的半导体器件及其制造方法，通过多次形成硬掩模以及相应...
唐兆云闫江
文献传递
半导体器件及其制造方法
本发明提供了一种半导体器件，包括：衬底，所述衬底具有第一半导体材料；第二半导体层，位于衬底之上；第三半导体层，位于第二半导体层之上，为器件形成区域；隔离结构，位于第三半导体层两侧、衬底之上；空腔，位于第三半导体层的源漏区...
许静闫江陈邦明王红丽唐波唐兆云徐烨锋李春龙杨萌萌
文献传递
一种半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括步骤：提供半导体衬底；在衬底中形成背栅掺杂区；在所述衬底上形成第一半导体层和第二半导体层的叠层；在第二半导体层上形成器件结构；刻蚀器件两侧的第二半导体层，以形成刻蚀孔；通过刻蚀孔...
闫江唐兆云唐波王红丽许静徐烨锋杨萌萌李俊峰
文献传递
混合线条的制造方法
本发明提供了一种混合线条的制造方法，包括以下步骤：A、在底层上依次形成材料层和第一硬掩模层；B、对第一硬掩模层光刻/刻蚀形成第一硬掩模图形；C、在材料层和第一硬掩模图形上形成第二硬掩模层；D、对第二硬掩模层光刻/刻蚀形成...
唐波闫江
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一种平坦化的方法
本发明提供了提出了一种平坦化的方法，包括：提供衬底，衬底上形成有填充层；在填充层上形成光刻胶层；采用等离子体刻蚀进行光刻胶层和填充层的回刻，光刻胶层与填充层具有基本相同的刻蚀速率。利用本发明的方法在回刻后，可以获得平坦的...
李俊杰李春龙刘战峰吕玉菲李俊峰闫江
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一种后栅工艺假栅的制造方法和后栅工艺假栅
本发明提供了一种后栅工艺假栅的制造方法，该方法包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底上生长栅极氧化层；在所述栅极氧化层上淀积底层非晶硅；在所述底层非晶硅上淀积ONO结构硬掩膜；在所述ONO结构硬掩膜上淀积顶层非晶硅；在所...
李春龙李俊峰闫江赵超
文献传递
半导体器件及其制造方法
本发明提供了一种半导体器件，包括第一器件区域：衬底；第一有源区堆叠，包括衬底上的第一半导体区和其上的第二半导体区，以及空腔，空腔位于第一半导体区的端部、第二半导体区与衬底之间；第一器件，位于第二半导体区之上，且其源漏区位...
唐波许静闫江王红丽唐兆云徐烨锋李春龙陈邦明杨萌萌
文献传递
半导体器件制造方法
本发明公开了一种半导体器件制造方法，包括：在衬底上形成多个第一栅极沟槽和多个第二栅极沟槽；在所述多个第一栅极沟槽和多个第二栅极沟槽中形成栅极介质层；在所述栅极介质层上形成第二金属功函数调节层；选择性调节所述多个第一栅极沟...
杨红王文武赵超闫江殷华湘
文献传递
一种半导体器件及其制造方法
本发明公开了一种半导体器件的制造方法，包括步骤：提供半导体衬底，所述衬底具有第一区域和第二区域；在所述衬底上形成第一半导体层和第二半导体层的叠层；在第一区域和第二区域的第二半导体层上形成器件结构；刻蚀第一区域的器件结构两...
唐兆云闫江徐烨锋唐波王红丽许静杨萌萌
文献传递
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