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阚敏
作品数:
1
被引量:10
H指数:1
供职机构:
西南大学物理科学与技术学院(电子信息工程学院)
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发文基金:
中央高校基本科研业务费专项资金
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国家自然科学基金
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相关领域:
理学
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合作作者
刘文利
西南大学物理科学与技术学院电子...
宋群梁
西南大学物理科学与技术学院电子...
陈平
西南大学物理科学与技术学院电子...
熊祖洪
西南大学物理科学与技术学院电子...
曹绍谦
西南大学物理科学与技术学院电子...
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刘文利
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年份
1篇
2010
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三重态激子在不同荧光染料掺杂体系中的湮灭过程
被引量:10
2010年
室温下,在红色荧光染料掺杂的有机发光器件ITO/N,N’-bis(naphthalen-1-y)-N,N’-bis(phenyl)benzidine(NPB)/tris(8-hydroxyquinolato)aluminum(Alq3):4-dicyanomethylene-2-methyl-6-p—dimethylaminostyryl-4H—pyran(DCM)/Alq3/LiF/Al中,观察到发光随外磁场的变化(即磁致发光)表现为刚开始的快速增加,在~50mT处达到最大后,随着磁场的进一步增加,又呈现出减弱的特点(即高场效应);而且,器件的掺杂浓度越高、所加偏压越大,该高场减弱就越明显.但在另一类绿色荧光染料5,12-dihydro,5,12-dimethylquino[2,3-b]acridine-7,14-dione(DMQA)的掺杂器件中,磁致发光的高场部分则是在~50mT后增加变缓并逐渐趋于饱和.分析结果表明,F6rster能量转移过程占主导发射的DMQA掺杂器件,不利于染料分子上三重态激子的形成,从而,通过三重态激子对(tripletpairs)湮灭产生单重态激子(triplet-tripletannihilation,TTA)的过程不易发生;但在载流子陷阱效应参与发射的DCM掺杂器件中,室温下在染料分子上就可以形成寿命较长的三重态激子,增加了发生TTA过程的几率.因此,基于掺杂器件中两种不同的发射机制,外加磁场对有机发光中三重态激子对(T…T)的演化表现出了不同的调控作用.
阚敏
陈平
曹绍谦
刘文利
宋群梁
熊祖洪
关键词:
染料掺杂
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