陈松岩
- 作品数：213 被引量：220H指数：7
- 供职机构：厦门大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金福建省自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术电气工程更多>>
- 基于SiGe量子点模板刻蚀技术制备锗硅纳米柱的方法
- 基于SiGe量子点模板刻蚀技术制备锗硅纳米柱的方法，涉及一种SiGe纳米结构。提供一种大面积、纵向方向可控的、侧壁陡直度高的基于SiGe量子点模板刻蚀技术制备锗硅纳米柱的方法。1）将硅片清洗后，在UHV/CVD系统中，在...
- 陈松岩亓东锋刘翰辉李成赖虹凯
- 文献传递
- Si基Ge/SiGeⅠ型量子阱结构的理论设计和实验研究被引量：1
- 2012年
- 基于能带工程理论,设计了Si基Ge/SiGeⅠ型量子阱结构。采用超高真空化学气相淀积系统,制备出高质量的Si基Ge/SiGe多量子阱系列材料。当样品中Ge量子阱宽从15nm减少到12nm和11nm时,室温下荧光(PL)光谱观测到量子限制效应引起的直接带跃迁发光峰位的蓝移,峰位的实验值与理论值符合得很好;当Ge量子阱宽逐渐减小到9nm和7nm时,测试得到样品的PL谱峰位却与理论预期出现了较大的差值。进一步的实验表明,这主要是由于量子阱厚度小到一定程度时,量子阱的直接带发光受到抑制,其发光主要源于Ge虚拟衬底。
- 陈城钊陈阳华黄诗浩李成赖虹凯陈松岩
- 农膜转光剂CaS∶Cu,Mn的结构分析被引量：3
- 2003年
- 运用X射线光电子能谱技术,证明CaS∶Cu,Mn荧光材料中铜是以一价的形式存在,锰是以二价的形式存在.测得荧光材料的透射光谱,理论分析认为它们分别由不同价态的铜离子和锰离子产生,透射光谱的测试证实这是理想的农膜转光剂.
- 陈谋智王水菊陈松岩蔡加法林爱清邓彩玲
- 关键词：X射线光电子能谱透射光谱铜离子锰离子激活剂
- 氢等离子体气氛中退火多孔硅的表面和光荧光特性被引量：3
- 2004年
- 用电化学腐蚀法制备了多孔硅 (PS) ,在氢等离子体气氛中不同温度下对多孔硅样品进行了退火处理 ,并进行了光致发光 (PL)谱和原子力显微镜 (AFM)表面形貌的测量。不同退火温度给PS表面形态带来较大变化 ,也影响了其PL谱特性。在退火的样品中观察到的PL谱高效蓝光和紫光谱带 ,我们认为主要源于量子限制发光峰和非平衡载流子被带隙中浅杂质能级所俘获而引起的辐射复合所产生的。在 42 0～ 45 0℃退火处理的多孔硅的PL谱上观察到了一个未见诸于报道的紫光新谱带 ( 3 .2 4eV ,3 82nm) ,其发光机理有待于进一步研究。
- 陈松岩谢生何国荣刘宝林蔡加法陈丽荣黄美纯
- 关键词：多孔硅氢等离子体蓝光发射原子力显微镜热退火
- 金属银诱导化学腐蚀制备三维多孔硅
- 2015年
- 以工业级多晶硅粉为原料,采用金属银诱导化学腐蚀的方法制备出三维多孔硅纳米线结构。系统分析了化学腐蚀硅粉的机理,特别是金属银催化剂对制备过程的影响。实验对比了不同腐蚀条件(腐蚀液温度、沉积银溶液浓度、光照条件等)对样品结构形貌和比表面积的影响。研究发现,腐蚀液温度升高有利于腐蚀过程中化学反应的进行;而沉积银溶液中的Ag NO3浓度适中,有利于样品表面形成分布均匀的孔洞;外部光照可增加光生载流子,促进反应进行,加快腐蚀速率,从而提高样品比表面积。通过优化腐蚀条件,得到形貌较优、比表面积较大(530cm2·g-1)的三维多孔硅纳米线结构。
- 黄燕华韩响陈松岩
- 关键词：金属诱导化学腐蚀多孔硅纳米线
- 循环氧化／退火制备GeOI薄膜材料及其性质研究被引量：2
- 2011年
- 采用超高真空化学气相淀积系统在SOI(绝缘体上硅)衬底上生长了Si0.82Ge0.18外延层,通过循环氧化/退火工艺,制备出Ge组分从0.24到1的绝缘体上锗硅(SGOI)材料.采用高分辨透射电镜、拉曼散射光谱和光致发光谱表征了其结构及光学性质,对氧化过程中SiGe层中的Ge组分和应变的演变进行了分析.最后制备出11nm厚的绝缘体上Ge材料(GeOI),具有完整的晶格结构和平整的界面.室温下观测到绝缘体上Ge直接带跃迁光致发光,发光峰值位于1540nm,发光强度随激发功率线性变化.结果表明用循环氧化/退火方法制备的GeOI材料具有高的结晶质量,可用于Ge光电子和微电子器件.
- 胡美娇李成徐剑芳赖虹凯陈松岩
- 关键词：GEOI退火光致发光谱
- 多量子阱结构的MOVPE生长
- 1997年
- 利用金属有机气相沉积技术生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ多量子阱结构，通过改变生长程序，得到了优化的陡峭量子阱界面．并利用光致发光（ＰＬ）和Ｘ射线双晶衍射对其界面质量分析，Ｘ射线双晶衍射表明界面起伏为一个原子层厚度。
- 陈松岩陈龙海黄美纯刘宝林洪火国李玉东王本忠刘式墉
- 关键词：多量子阱气相沉积MOVPE光电器件
- 1．52μmInGaAsP／InP分别限制量子阱激光器
- 1995年
- 报导了在６００℃生长温度下以三甲基镓（ＴＭＧａ）和三甲基铟（ＴＭＩｎ）为Ⅲ族源，用低压金属有机气相沉积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）技术生长出的高质量１．６０μｍ和１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ材料，以及在其分别限制量子讲结构生长的情况下，用质子轰击方法制得的条形结构量子阱激光器。该激光器在室温下直流阈值电流为１００ｍＡ。
- 陈松岩李玉东刘式墉张玉贤
- 关键词：阈值电流激光器
- 激光退火改善Si上外延Ge晶体质量
- 由于Si和Ge有着高达4.2%的晶格失配度,在Si衬底上外延低位错密度的Ge仍然是一个很大的挑战。为了在Si衬底上异质外延出高质量的Ge层,文献报道了许多方法和技术[1-3],其中低温Ge缓冲层技术由于工艺简单,过渡层薄...
- 黄志伟易孝辉毛亦琛林光杨李成陈松岩黄魏汪建元
- 文献传递
- 磁控溅射生长高Sn组分GeSn合金薄膜
- 采用磁控溅射的方法在Si(100)衬底上生长出高Sn组分(<0.2)非晶GeSn薄膜,在快速热退火处理后结晶为多晶Ge Sn薄膜。GeSn合金中的Sn组分越高,结晶温度相应会下降,并且较低温度的热退火处理可以减少Sn偏析...
- 张璐王一森李成陈松岩黄巍徐剑芳
- 文献传递
