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陈艳伟

作品数:20 被引量:23H指数:3
供职机构:东北师范大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学文化科学电气工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 10篇期刊文章
  • 5篇会议论文
  • 3篇学位论文
  • 2篇专利

领域

  • 11篇理学
  • 3篇电气工程
  • 3篇文化科学
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信

主题

  • 8篇纳米
  • 4篇纳米材料
  • 4篇磁场
  • 3篇离子
  • 3篇纳米棒
  • 3篇金纳米棒
  • 3篇教学
  • 2篇导体
  • 2篇等离子体共振
  • 2篇电子天平
  • 2篇一维纳米
  • 2篇一维纳米结构
  • 2篇载流导体
  • 2篇智能手机
  • 2篇弱磁场
  • 2篇三维磁场
  • 2篇手机
  • 2篇自组装
  • 2篇物理实验
  • 2篇力矩

机构

  • 19篇东北师范大学
  • 2篇中国科学院长...
  • 1篇吉林大学

作者

  • 20篇陈艳伟
  • 6篇刘益春
  • 5篇于文华
  • 4篇单桂晔
  • 4篇齐秀英
  • 3篇钟殿强
  • 2篇徐长山
  • 2篇邵长路
  • 2篇乔倩
  • 2篇赵静
  • 2篇刘玉学
  • 2篇张昕彤
  • 2篇张宇航
  • 1篇申德振
  • 1篇赵立竹
  • 1篇王秀敏
  • 1篇刘娜
  • 1篇石雯
  • 1篇李琳
  • 1篇张龄月

传媒

  • 3篇高等学校化学...
  • 2篇大学物理
  • 1篇物理实验
  • 1篇物理
  • 1篇物理与工程
  • 1篇大学物理实验
  • 1篇中国科学(G...

年份

  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 2篇2017
  • 3篇2016
  • 1篇2011
  • 1篇2010
  • 2篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2004
  • 2篇2003
  • 2篇2002
20 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
ZnO一维纳米线及其异质结构的外延生长被引量:3
2005年
一维纳米结构因其优异的光、电特性,在纳米电子学,光电子学器件等方面有重要的应用价值而倍受关注.在一维半导体纳米材料中,ZnO因激子束缚能大(60meV),可在室温获得高效的紫外发光而成为近年来继GaN材料后的又一研究热点.外延生长一维纳米结构ZnO及其量子阱材料除因量子尺寸效应更适宜做室温紫外发光、激光材料与器件外,还因界面和量子限制效应而具有许多新奇的光、电、和力学特性,可应用于纳米光电子学器件,传感器及存储器件,纳米尺度共振隧道结型器件和场效应晶体管的研制和开发.文章着重介绍了目前ZnO一维纳米结构制备,一维ZnO纳米异质结构和一维ZnO/Zn1-xMgxO多量子阱结构的外延生长和研究进展.
刘益春陈艳伟申德振
关键词:异质结多量子阱ZNO一维纳米结构半导体纳米材料
设计性物理实验教学的回顾与探讨
本文简要回顾了十七年来设计性物理实验开设的过程,重点介绍了设计性实验学生选题方式的变化。目的在于进一步探讨设计性物理实验实施的最佳方案。
于文华赵立竹齐秀英陈艳伟
关键词:设计性
文献传递
多功能金包覆壳聚糖纳米材料及其制备方法
本发明一种多功能金包覆壳聚糖纳米材料及其制备方法,属于纳米材料技术领域。该方法先将壳聚糖和药物分子通过分子自组装形成壳聚糖药物复合体反应溶液;然后将壳聚糖药物复合体反应溶液进行超声,将超声后的溶液过滤,得到壳聚糖药物复合...
单桂晔张宇航陈艳伟赵静张昕彤刘益春
文献传递
水热法生长MgxZn1-xO纳米线阵列及其光致发光特性研究
ZnO 为直接带隙宽禁带半导体(E=3.37 eV),室温下具有高达60 meV 的激子束缚能, 是室温及高温下紫外发光器件的理想材料。近几年来,ZnO 基半导体材料作为紫外光电子器件应用方面很有前途的候选材料而成为光电...
乔倩刘益春陈艳伟邵长路徐长山刘玉学
文献传递
金纳米棒的生长及与FeCl3的作用被引量:2
2017年
采用三氯化铁选择性刻蚀法获得了预定长径比的金纳米棒.相比于晶种生长法,三氯化铁选择性刻蚀法可以更加简便快捷地调控金纳米棒形貌.以三氯化铁为刻蚀剂的刻蚀反应优先发生在金纳米棒尖端,这是因为金纳米棒尖端反应活性更高且表面活性剂钝化作用更弱.通过控制刻蚀反应时间及刻蚀剂浓度,可以精确调控金纳米棒的长径比.实验结果表明,增加刻蚀剂浓度、卤素离子浓度以及升高反应温度可以加快刻蚀反应速率.进一步讨论了金属离子的刻蚀作用机理.
韩林唤李凯丰陈艳伟
关键词:金纳米棒三氯化铁刻蚀表面等离子体共振
用自组电位差计测干电池电动势和内阻被引量:5
2002年
根据电压补偿原理 ,设计了自组电位差计的几种实验电路 ,用于测量干电池的电动势和内阻 .
于文华陈艳伟王秀敏齐秀英钟殿强
关键词:干电池内阻电动势
电子束蒸发制备ZnO:Al薄膜及光电性质研究与普通物理实验改革
宽禁带ZnO半导体为直接带隙材料,具有六方结构,较高的激子束缚能/(60 meV/),室温下带隙宽度为3.3 eV。ZnO不仅是继GaN之后紫外发射材料研究的又一研究热点,而且近年来ZnO薄膜作为ITO薄膜的很有发展前景...
陈艳伟
关键词:ZNO:AL薄膜光学性质教育创新
文献传递
一种测定弱磁场中力矩的方法
2003年
用电子天平对弱磁场中载流圆线圈所受力矩进行测量.
陈艳伟钟殿强齐秀英于文华
关键词:弱磁场电子天平载流线圈力矩
用智能手机对载流导体三维磁场的测量研究
本文利用智能手机中的磁传感器来测量载有电流的导体所激发的三维磁场。测量长直导体与不同半径圆环形导体在三个轴(Bx轴、By轴、Bz轴)方向上的磁感应强度。据实验结果显示,手机测得的磁感应强度在一定范围内与理论值较为一致。根...
马金龙李作栋陈艳伟
关键词:智能手机磁传感器磁场测量
金纳米棒的表面改性及与H_2O_2的作用被引量:1
2017年
通过调控过氧化氢与金纳米棒相互作用时溶液的H^+和Br^-浓度,考察了过氧化氢刻蚀金纳米棒的条件.通过静电相互作用将聚苯乙烯磺酸钠修饰到带正电的金纳米棒表面,并探讨了表面配体变化对过氧化氢与金纳米棒相互作用的影响,比较了聚苯乙烯磺酸钠浓度改变对过氧化氢刻蚀金纳米棒所引起的等离子体吸收峰的变化.结果表明,过氧化氢与金纳米棒作用过程中,H^+浓度增加可以加快刻蚀反应速率,Br^-起到稳定金离子的作用.采用聚苯乙烯磺酸钠修饰抑制了过氧化氢对金纳米棒的刻蚀,当聚苯乙烯磺酸钠与金纳米棒表面的CTAB完全作用后,复合材料电位接近零,金纳米棒的稳定性降低,继续增加聚苯乙烯磺酸钠的量至电位为负,复合材料稳定性增加.
石雯单桂晔陈艳伟
关键词:金纳米棒表面等离子体共振聚苯乙烯磺酸钠过氧化氢
共2页<12>
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