您的位置: 专家智库 > >

雷平水

作品数:8 被引量:20H指数:3
供职机构:上海大学材料科学与工程学院更多>>
发文基金:上海市教委科研基金更多>>
相关领域:理学电子电信核科学技术一般工业技术更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 2篇会议论文
  • 1篇学位论文

领域

  • 5篇理学
  • 2篇电子电信
  • 1篇电气工程
  • 1篇核科学技术
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 5篇探测器
  • 5篇气相沉积
  • 5篇物理气相沉积
  • 4篇多晶
  • 3篇光电
  • 2篇电池
  • 1篇电特性
  • 1篇性能研究
  • 1篇制备及性能
  • 1篇太阳电池
  • 1篇太阳能
  • 1篇太阳能电池
  • 1篇能量分辨率
  • 1篇金相
  • 1篇金相显微镜
  • 1篇化学沉积法
  • 1篇光电特性
  • 1篇封装
  • 1篇辐射探测器
  • 1篇XRD

机构

  • 8篇上海大学

作者

  • 8篇雷平水
  • 7篇史伟民
  • 5篇邱永华
  • 4篇潘美军
  • 3篇葛艳辉
  • 3篇郭燕明
  • 2篇徐菁
  • 1篇郭余英
  • 1篇李莹
  • 1篇魏光普
  • 1篇徐环
  • 1篇魏光谱
  • 1篇林飞燕

传媒

  • 2篇人工晶体学报
  • 2篇半导体光电
  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 5篇2004
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
碘化汞多晶厚膜的生长及其探测器的研制
多晶碘化汞厚膜由于具有禁带宽度大(Eg=2.13eV)、原子序数高(Hg为80,I为53)、密度大(ρ=6.4g/cm3)等优点,被认为是制备室温核辐射探测器的最有前途的新材料之一,可广泛应用于无损检测、核医学、环境监测...
雷平水
关键词:辐射探测器物理气相沉积封装
文献传递
硫化锡多晶薄膜太阳电池研究进展被引量:6
2006年
由于硫化锡具有与硅相近的禁带宽度,安全环保,吸收系数也很高,因此非常适合做太阳能电池的吸收层,近年来已成为国内外专家的研究热点。本文围绕硫化锡薄膜材料的生长制备、性质表征以及基于硫化锡的薄膜太阳能电池的研究进展进行了较为详细的阐述,并对硫化锡太阳能电池的研究前景进行了探讨。
邱永华史伟民魏光谱雷平水葛艳辉
关键词:太阳电池
多晶碘化汞膜的PVD法制备及其光电特性被引量:6
2004年
 用改进的热壁物理气相沉积(HWPVD)装置制备出晶体质量较好的多晶HgI2膜,研究了生长参数对沉积膜质量的影响,对多晶HgI2膜用金相显微镜、XRD、红外光谱进行了表征观察及对用多晶HgI2膜制备的探测器采用了暗电流测试和电容频率特性测试。结果表明PVD法制备的多晶HgI2膜纯度高,结构完整性好,均匀性好,并且其相应器件有低的暗电流(电场0.2V/μm时,暗电流为25pA/mm2)和较小的电容(约1pF),可用于实际应用。
雷平水史伟民徐菁葛艳辉邱永华潘美军
关键词:多晶物理气相沉积探测器
多晶碘化汞探测器的制备及性能被引量:2
2007年
碘化汞(HgI2)晶体由于原子序数高、禁带宽、密度大,制成低能γ射线和X射线探测器不需液氮冷却就能得到相当好的能量分辨率,且有相当高的探测效率。制备了多晶HgI2探测器,结果显示所得器件在室温下对5.9 keV的55Fe X射线和5.5 MeV的241Amα粒子具有较好的能量分辨率,分别为0.24 keV和0.72 MeV(未使用准直器)。
徐环史伟民雷平水林飞燕郭余英
关键词:探测器多晶能量分辨率
多晶碘化汞厚膜的生长及其性质研究被引量:6
2004年
采用热壁物理气相沉积法(hot wallPVD)制备HgI2多晶厚膜,采用XRD、金相显微镜等手段对其进行表征,结果表明多晶HgI2厚膜呈定向(001)晶向生长且晶粒尺寸大小均匀。并分析讨论了不同温度对厚膜生长的影响。通过对其I V特性的测试表明其具有高的电阻率(达1011Ω·cm)和较好的线性关系。
潘美军史伟民雷平水李莹郭燕明
关键词:物理气相沉积金相显微镜XRD
PVD法制备多晶碘化汞膜的光电特性研究
用热壁物理气相沉积法(Hot-Wall PVD)制备出晶体质量较好的多晶HgI2膜,研究了生长参数对沉积膜质量的影响,对多晶HgI2膜用金相显微镜、XRD、红外光谱进行了表征观察及对用多晶HgI2膜制备的探测器采用了暗电...
雷平水史伟民郭燕明邱永华潘美军
关键词:多晶物理气相沉积探测器
文献传递
PVD法制备多晶碘化汞膜的光电特性研究
2004年
用热壁物理气相沉积法(Hot-Wall PVD)制备出晶体质量较好的多晶HgI2膜,研究了生长参数对沉积膜质量的影响,对多晶HgI2膜用金相显微镜、XRD、红外光谱进行了表征观察及对用多晶HgI2膜制备的探测器采用了暗电流测试;结果表明PVD法制备的多晶HgI2膜纯度高,结构完整性好,均匀性好,并且其相应器件有低的暗电流(电场0.2V/μ m时,为25pA/mm2).
雷平水史伟民郭燕明邱永华潘美军
关键词:多晶物理气相沉积探测器
化学沉积法制备SnS薄膜及其性能研究
硫化锡(SnS)的吸收系数很高,禁带宽度为1.5eV,是一种很有发展前景的太阳能应用材料。本文中,我们用化学水浴法制备了SnS薄膜,测量了SnS薄膜的结构、光学和电学性能。实验表明,制备的SnS薄膜是具有斜方品系结构的多...
徐菁魏光普史伟民雷平水葛艳辉邱永华
关键词:太阳能电池
共1页<1>
聚类工具0