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黄爱波
作品数:
8
被引量:8
H指数:2
供职机构:
华东师范大学
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相关领域:
电子电信
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合作作者
周进
华东师范大学信息科学技术学院微...
赖宗声
华东师范大学理工学院纳光电集成...
陈磊
华东师范大学信息科学技术学院微...
阮颖
华东师范大学
顾彬
华东师范大学
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机构
8篇
华东师范大学
作者
8篇
黄爱波
6篇
陈磊
6篇
赖宗声
6篇
周进
4篇
崔建明
4篇
田亮
4篇
王超
4篇
马和良
4篇
顾彬
4篇
阮颖
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田亮
1篇
何伟
传媒
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微电子学
年份
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2022
1篇
2012
1篇
2011
3篇
2010
2篇
2009
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一种基于绝缘体上硅工艺的CMOS射频开关
本发明公开了一种基于绝缘体上硅工艺的CMOS射频开关,其电路设计采用两级式关闭隔离结构及两级式电流泻放路径结构,利用绝缘体上硅工艺器件的高阻衬底及隐埋氧化层,显著降低串扰和最小化寄生电容,更好地屏蔽衬底噪声,在开关两端得...
陈磊
周进
赖宗声
马和良
田亮
黄爱波
王超
顾彬
阮颖
崔建明
文献传递
低杂散锁相环中电荷泵的设计
被引量:3
2009年
采用IBM0.18μm CMOS工艺,设计了一款应用于433MHzASK接收机中低杂散锁相环的电荷泵电路。设计采用与电源无关的带隙基准偏置电流源和运算放大器,实现了电荷泵充放电电流源的精确匹配,有效抑制了传统电荷泵对锁相环锁定状态中杂散信号的影响。电路在Cadence的Spectre工具下进行仿真,结果表明:当电源电压为1.8V、参考电流为30μA、输出电压范围在0.5~1.5V时,充放电电流精确匹配,杂散小于-80dB,其性能符合接收机系统要求。
黄爱波
何伟
周进
田亮
陈磊
赖宗声
关键词:
锁相环
电荷泵
杂散
一种全差分E类功率放大器
本发明公开了一种全差分E类功率放大器,该放大器是由Bipolar器件、CMOS器件和无源器件相结合组成的电路,即差分输入对是Bipolar器件,交叉耦合对是NMOS管,采用两级结构,第一级预放大级对输入恒包络调制信号进行...
陈磊
田亮
赖宗声
马和良
周进
黄爱波
王超
顾彬
阮颖
崔建明
文献传递
一种基于绝缘体上硅工艺的CMOS射频开关
本发明公开了一种基于绝缘体上硅工艺的CMOS射频开关,其电路设计采用两级式关闭隔离结构及两级式电流泻放路径结构,利用绝缘体上硅工艺器件的高阻衬底及隐埋氧化层,显著降低串扰和最小化寄生电容,更好地屏蔽衬底噪声,在开关两端得...
陈磊
周进
赖宗声
马和良
田亮
黄爱波
王超
顾彬
阮颖
崔建明
低插入损耗高隔离度SOI射频开关电路的研究
被引量:5
2009年
基于0.18μm RF SOI CMOS工艺,提出了一种可广泛应用于无线通信系统中的低插入损耗高隔离度SOI射频开关电路。该电路利用SOI器件的特殊结构(隐埋氧化层BOX,高阻衬底)和特殊SOI器件(FB,BC,BT等),使电路采用的器件较之体硅CMOS器件具有更优的隔离性能,实现了降低插入损耗和增加隔离度的目的。该电路经过模拟仿真,在频率为2.4GHz时,插入损耗和隔离度分别为-1dB和40dB。
田亮
陈磊
周进
黄爱波
赖宗声
关键词:
SOI
射频开关
CMOS
高隔离度
一种全差分E类功率放大器
本发明公开了一种全差分E类功率放大器,该放大器是由Bipolar器件、CMOS器件和无源器件相结合组成的电路,即差分输入对是Bipolar器件,交叉耦合对是NMOS管,采用两级结构,第一级预放大级对输入恒包络调制信号进行...
陈磊
田亮
赖宗声
马和良
周进
黄爱波
王超
顾彬
阮颖
崔建明
0.5μm SOI-CMOS器件建模与特性研究
随着集成电路技术的不断发展,特征尺寸不断缩小,出现了一些列器件物理、器件结构和工艺技术等方面的问题。绝缘体上硅技术(SOI)技术以其独特的结构有效克服了传统体硅技术存在的问题,具有集成度高、寄生电容小、抗闩锁能力强等优势...
黄爱波
关键词:
集成电路
绝缘体上硅
文献传递
小学数学“角度测量”的学习轨迹研究
“角的初步认识”和“角度测量”是小学数学阶段比较重要的知识内容,是几何知识的基础内容,但是角的构型不同于其他的几何体。角的内容是小学数学与初中数学相联系的重要内容,本研究依靠国际教育领域对学习轨迹的研究,选取了3~5年级...
黄爱波
关键词:
小学数学
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