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龙伟

作品数:57 被引量:29H指数:3
供职机构:西安工业大学材料与化工学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划陕西省教育厅科研计划项目更多>>
相关领域:一般工业技术理学电气工程化学工程更多>>

文献类型

  • 34篇期刊文章
  • 22篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 20篇一般工业技术
  • 19篇理学
  • 13篇电气工程
  • 6篇化学工程
  • 3篇电子电信
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 11篇单晶
  • 10篇铁电
  • 8篇压电
  • 7篇陶瓷
  • 7篇晶体
  • 7篇发光
  • 6篇电畴
  • 5篇凝固
  • 5篇介电
  • 5篇粉体
  • 5篇
  • 5篇掺杂
  • 4篇上转换发光
  • 4篇铁电单晶
  • 4篇微米
  • 4篇晶体生长
  • 4篇钙钛矿
  • 4篇PM
  • 4篇PT
  • 4篇

机构

  • 57篇西安工业大学
  • 1篇安康学院
  • 1篇西安科技大学
  • 1篇西安高压电器...
  • 1篇西安航空学院

作者

  • 57篇龙伟
  • 41篇惠增哲
  • 32篇李晓娟
  • 24篇方频阳
  • 8篇坚增运
  • 4篇赵金
  • 3篇刘健康
  • 3篇何爱国
  • 3篇刘建康
  • 2篇罗海龙
  • 2篇权国新
  • 2篇朱满
  • 2篇常芳娥
  • 2篇冯浩
  • 2篇姚丽娟
  • 2篇李卓
  • 2篇张甲
  • 2篇尹珂
  • 2篇王慧
  • 1篇田瑞英

传媒

  • 18篇西安工业大学...
  • 5篇人工晶体学报
  • 2篇功能材料
  • 2篇压电与声光
  • 1篇理化检验(物...
  • 1篇材料导报
  • 1篇自然科学进展
  • 1篇化学研究
  • 1篇中国稀土学报
  • 1篇陕西理工学院...
  • 1篇产业与科技论...

年份

  • 2篇2024
  • 4篇2023
  • 4篇2022
  • 3篇2021
  • 8篇2020
  • 2篇2019
  • 4篇2018
  • 2篇2017
  • 6篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 3篇2013
  • 4篇2012
  • 4篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2009
  • 3篇2008
  • 2篇2007
  • 1篇2005
57 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
Er^(3+)掺杂68Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-32PbTiO_3弛豫铁电晶体光学性能的研究
2016年
为了改善弛豫铁电单晶的光学性能,实验采用稀土离子掺杂的方式,使用高温溶液法生长了Er^(3+)掺杂68Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3-32PbTiO_3(PMN-32PT)弛豫铁电晶体,利用红外分光光度计和荧光/磷光/发光分光光度计研究了晶体的光学性能.实验结果表明:Er^(3+)掺杂PMN-32PT晶体在红外波段(3~12μm)的透过率达到66%;在491nm激发光作用下,得到中心波长为530nm和550nm的绿光及650nm红光发光带,晶体具有下转换发光特性;在800nm激发光作用下,产生中心波长为530nm和543nm的绿光发光带,晶体呈现出Er^(3+)离子特有的上转换荧光发射,具有上转换发光特性.
楚兴惠增哲龙伟李晓娟方频阳
关键词:稀土离子红外透过率发光性能
Quanta 400F扫描电子显微镜的故障分析与保养维护被引量:9
2017年
Quanta 400F扫描电镜为常规的大型精密仪器,在运行过程中常常会出现各种设备故障。做好扫描电镜日常管理工作,可提高其各部件的使用寿命。主要介绍了该扫描电镜一些常见的故障及排除方法,包括冷却循环系统故障和真空系统故障;另外还介绍了扫描电镜易耗损件的保养维护措施,包括灯丝和物镜光阑的保养及维护。
姚丽娟龙伟靳长清金耀华朱满
关键词:扫描电镜
准同型相界处BNBT无铅压电陶瓷的研究
2008年
探索了准同型相界处BNT-BT(简称BNBT)二元体系无铅压电陶瓷的制备工艺及制备条件。采用XRD、SEM等测试技术,分析了制备工艺和制备条件对准同型相界处BNBT压电陶瓷晶体的微观结构、压电性能、介电性能等的影响,从而确定出最佳的制备工艺和制备条件。利用谐振-反谐振法得出最佳制备条件下制备的BNBT无铅压电陶瓷的介电性、压电性分别为:d33=120pC/N,rε=626,kp=20.34%,Qm=205.34。
李晓娟龙伟张永元
关键词:无铅压电陶瓷电学性能
一种厘米级取向铁酸铋单晶的生长方法
本发明涉及一种厘米级取向铁酸铋单晶的生长方法。为解决现有生长方法生长出的形状不规则、尺寸较大的BiFeO<Sub>3</Sub>块状单晶。本发明采用的方法步骤为1)称取Bi<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub...
刘璇惠增哲龙伟郭菲菲何爱国周宏桥
PZN-PMN-PT铁电晶体的生长及表征被引量:1
2013年
本文采用高温溶液法制备了PZN-PMN-PT晶体,利用X射线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析了晶体的结构和微观形貌,通过偏光显微镜和介电温谱观测了晶体电畴和介电性能随温度的变化.研究结果表明,采用高温溶液法可以制备出纯钙钛矿相结构的PZN-PMN-PT晶体,晶体颗粒呈淡黄色多面体形态,最大尺寸为4mm×2.5mm×2mm,电畴的消光角为45°,三方四方相变温度达113℃,居里温度高达246℃.PZN-PMN-PT晶体的三方四方相变温度和居里温度均高于PZN-PT和PMN-PT晶体.
惠增哲田瑞英龙伟李晓娟方频阳
关键词:电畴居里温度
ZnO掺杂KNN陶瓷烧结行为与性能研究被引量:2
2012年
采用固相烧结工艺制备了钙钛矿结构的(K0.5Na0.5)NbO3+xwt%ZnO(x=0,0.5,1.0,2.0)无铅压电陶瓷。研究了ZnO掺杂对(K0.5Na0.5)NbO3陶瓷体系烧结行为和电学性能的影响。结果表明:ZnO掺杂能够有效地降低陶瓷烧结温度,抑制K和Na的挥发,提高陶瓷的致密性。当掺杂量为0.5 wt%、烧结温度为1115℃时,陶瓷的体积密度最大ρ=4.41 g/cm3。所有样品的晶粒形态均为层状堆垛结构,晶粒尺寸越大,层状堆垛形态越明显。晶粒形态和尺寸的变化与(K0.5Na0.5)NbO3陶瓷烧结过程中液相的形成和晶粒生长机制有关。适量的液相能够有效地提高陶瓷的致密性,获得均匀的微结构。当x=0.5、烧结温度为1115℃时,陶瓷具有最佳的电学性能:d33=118pC/N,kp=0.36,Pr=15.6μC/cm2。
李晓娟惠增哲龙伟方频阳
关键词:铌酸钾钠电性能
倒置平面结构(p-i-n型)钙钛矿太阳能电池研究进展被引量:3
2018年
自从2009年钙钛矿结构的材料首次应用到太阳能电池研究领域,由于其具有多方面优异的性能,在短短的几年内便得到了迅速的发展。目前,钙钛矿太阳能电池的最大光电转换效率已经达到了22.7%,且有进一步提升的趋势。相比于正置结构的钙钛矿太阳能电池,倒置平面结构的钙钛矿太阳能电池具有更低的成本和更简单的制备工艺,有望实现规模化应用。本文重点介绍了倒置结构钙钛矿太阳能电池的研究进展。首先介绍了钙钛矿太阳能电池的发展历程,然后详细介绍了倒置平面结构(p-i-n型)太阳能电池的结构和研究现状,最后总结了目前钙钛矿太阳能电池研究面临的几个亟需解决的问题,并对钙钛矿太阳能电池的研究和应用前景进行了展望。
王营霞龙翔宇龙伟
Ho_2O_3对PZN-9PT相结构和介电性能的影响
2016年
为了研究Ho_2O_3对PZN-9PT单晶相结构、相变温度及弛豫特性的影响,通过高温溶液法生长了PZN-9PT单晶和Ho_2O_3改性PZN-9PT单晶.采用X射线衍射仪分析了所生长的单晶的相结构,通过测定介电常数和温度之间的关系确定了单晶的相变温度,利用洛伦兹公式和Vogel-Fulcher公式表征了Ho_2O_3改性PZN-9PT单晶的弥散相变和频率色散特性.研究结果表明:PZN-9PT单晶和Ho_2O_3改性的PZN-9PT单晶具有纯的钙钛矿结构相,PZN-9PT单晶和Ho_2O_3改性的PZN-9PT单晶的居里温度接近(约为175℃),但是Ho_2O_3改性的PZN-9PT单晶的三方-四方相变温度为102.3℃,其高于PZN-9PT单晶(约为90℃).通过洛伦兹公式和Vogel-Fulcher公式拟合结果得出Ho_2O_3改性的PZN-9PT单晶具有典型的弥散相变和频率色散特性.
韩阿敏惠增哲龙伟方频阳李晓娟
关键词:相结构介电性能
Pb(Mg_(1/3)Nb_(2/3))O_3弛豫铁电晶体的生长形貌和生长机理
2014年
以PbO作助熔剂采用高温溶液法生长出Pb(Mg1/3Nb2/3)O3弛豫铁电晶体,利用X线衍射仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)分析了晶体相结构和生长形貌。研究结果表明,采用高温溶液法生长出纯钙钛矿相结构的Pb(Mg1/3Nb2/3)O3弛豫铁电晶体,晶体多为淡黄色,较小的呈赝立方形态,较大晶体逐渐趋于不规则形态,最大尺寸达4mm×4mm×3mm。晶体中存在位错蚀坑和PbO包裹等生长缺陷,生长过程中的温度波动和成分起伏等因素导致这些缺陷的出现。晶体{100}面生长速率最慢能成为热力学上稳定存在的自然显露晶面,晶体的生长机制为二维成核层状生长。
胡万辉惠增哲龙伟李晓娟方频阳吴浩
关键词:相结构
A位离子改性对BaBi4Ti4O15陶瓷电学性能的影响
2019年
为了探究Nd3+对BaBi4Ti4O15(BBT)陶瓷A位不同元素进行取代所造成的结构以及介电性能的影响,文中采用传统固相法制备了Ba1-xNdxBi4Ti4O15(BNBT,其中x=0.05,0.10)陶瓷和BaBi4-xNdxTi4O15(BBNT,其中x=0.05,0.10)陶瓷,采用X射线衍射分析仪(XRD)表征材料的相结构,利用HP4294A自动测试系统测试不同频率下的介电常数ε′和介电损耗tanδ随温度T(室温到500℃)的变化情况。通过修正的居里-外斯定律和洛伦兹经验公式,对Nd^3+取代BBT陶瓷的相变过程中产生的介电弛豫现象进行分析与表征。研究结果表明:通过A位改性可以有效改善BBT陶瓷的居里温度和弛豫程度,不同的Nd^3+掺杂量以及改性位置对BBT陶瓷结构和电学性能的影响不同,当Nd^3+取代BBT陶瓷的Ba^2+位时,随着掺杂量的增加,BBT陶瓷的弛豫程度和弥散强度逐渐增强;当Nd3+取代BBT陶瓷的Bi^3+位时,BBT陶瓷的弛豫程度逐渐减弱。
杨武丽方频阳惠增哲龙伟李晓娟
关键词:弥散
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