龙闰
- 作品数：5 被引量：9H指数：2
- 供职机构：山东大学更多>>
- 发文基金：山东省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 氘化硼掺杂金刚石n型电导的研究被引量：2
- 2005年
- 室温下缺少浅施主中心,已经成为金刚石材料制造电子器件的主要障碍之一。最近报道显示硼掺杂p型同质外延金刚石暴露在氘离子束中能形成浅施主态的n型电导,这是在外延金刚石材料中首次测出的浅施主能级。本文分析研究了目前p型金刚石出现导电类型转换这一新现象的最新研究进展。
- 俞琳刘东红胡连军戴瑛龙闰闫翠霞
- 关键词：金刚石氘化掺杂
- 金刚石和氮化锌半导体材料电子性质研究
- 本论文的工作是通过第一性原理计算，结合分子轨道理论和半导体理论等对金刚石和氮化锌半导体电子材料的相关性质进行探索和研究。近年来随着密度泛函理论和数值算法的发展，基于密度泛函理论的第一性原理方法己成为凝聚态物理和材料科学等...
- 龙闰
- 关键词：金刚石半导体材料电子性质分子轨道密度泛函
- 硼/氢掺杂金刚石薄膜导电特性研究被引量：4
- 2006年
- 金刚石是非常理想的功能器件材料,由于室温下金刚石缺少浅施主态,已成为金刚石作为电子器件材料的主要障碍之一。最近报道显示,硼掺杂同质外延金刚石层暴露在氘离子束中能形成浅施主态的n型电导。研究了CVD合成类Ⅰb型金刚石薄膜,通过硼、氢离子注入掺杂及退火温度对金刚石薄膜导电特性的影响。
- 刘东红闫翠霞俞琳胡连军龙闰戴瑛
- 关键词：金刚石掺杂离子注入喇曼光谱
- p型金刚石欧姆接触的研究被引量：2
- 2006年
- 金刚石的欧姆接触是制造半导体器件的关键技术之一。简要综述了近年来p型金刚石制备欧姆接触的研究进展,结合器件的发展和实际工艺的要求,讨论了改善欧姆接触特性的途径和方法,指出目前存在急需解决的一些问题。
- 龙闰戴瑛刘东红俞琳闫翠霞
- 关键词：欧姆接触金属
- B离子注入引起的金刚石薄膜体积膨胀现象
- ＜正＞金刚石半导体器件的实现有赖于金刚石N型或P型导电材料的获得。离子注入是获得金刚石N型或P型导电材料的有效途径之一。然而,离子注入对金刚石的晶格结构有破坏作用,造成金刚石薄膜体积的膨胀。关于合成金刚石薄膜离子注入带来...
- 闫翠霞戴瑛刘东红俞林龙闰张振奎张智伟杨可松郭猛杨剑
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