万亚
- 作品数：13 被引量：1H指数：1
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- 相关领域：理学电子电信核科学技术化学工程更多>>
- MeV级Si^＋高温注入GaAs的晶格损伤积累与注入剂量的关系
- 1995年
- 用卢瑟福背散射／沟道技术研究了１ＭｅＶＳｉ＋加温注入ＧａＡｓ所造成的晶格损伤积累与注入剂量的关系．观察到三个不同的损伤剂量区：在５×１０１４─２×１０１５ｉｏｎｓ／ｃｍ２的低剂量区内，晶格损伤轻微并且几乎与注入剂量无关；在２×１０１５─１×１０１６ｉｏｎｓ／ｃｍ２的中等剂量区域内，在几乎无损伤的表面区域以下形成损伤埋层，晶格损伤积累随注入剂量的增加而迅速增加；在高于１×１０１６ｉｏｎｓ／ｃｍ２的高剂量区域内，晶格损伤积累随注入剂量的增加而缓慢增加．从级联碰撞和空位扩散迁移的角度分析了相关的物理过程．
- 李岱青万亚任廷琦朱沛然徐天冰
- 关键词：砷化镓离子注入
- 离子注入Al_xGa_（1－x）As／GaAs和GaAs中的晶格损伤与相对化学
- 1995年
- 用卢瑟福背散射／沟道（ＲＢＳ／Ｃ）技术研究了１ＭｅＶＳｉ＋注入超晶格Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ／ＧａＡｓ和晶体ＧａＡｓ中引起的晶格损伤．结果表明，在５×１０１４－５×１０１６离子／ｃｍ２注入剂量范围内，Ａｌ０．３Ｇａ０．７Ａｓ／ＧａＡｓ中的损伤程度总小于ＧａＡｓ中对应条件下的结果，但这种差异随注入剂量和衬底温度的提高而减小．室温注入造成的晶格损伤程度均较衬底加温３５０℃注入造成的结果更为严重．基于对模拟ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ／ＧａＡｓ和ＧａＡｓ的一组原子簇的分子轨道计算，用相对化学键强度为ＡｌｘＧａ（１－ｘ）Ａｓ／ＧａＡｓ和ＧａＡｓ中这种辐照损伤的程度和空间分布，提供了一种新的理解．
- 官宝安李代青任廷琦万亚刘明
- 关键词：镓原子簇分子轨道离子注入
- 离子交换蒙脱石脱水过程研究(英文)被引量：1
- 1995年
- 用 DTA,TG-DTA,XRD 和 TPD-GC 系统地研究了一组离子交换蒙脱石的脱水过程,其中 TPD-GC 首次被用于这种研究工作中,我们的实验结果表明,蒙脱石中吸附水的状态和数量明显地依赖于可交换金属离子的水合能力和数量,而且只可能有一种吸附水.后者不同于广为接受的推断:蒙脱石中存要两种结合力明显不同的吸附水.
- 宫宝安刘明李代表任廷琦万亚
- 关键词：蒙脱石脱水离子交换吸附水
- 铒注入Si（100）的结晶和掺杂规律研究
- 1995年
- 研究了Ｓｉ（１００）注入铒后所形成的表面非晶层在不同退火温度下的固相外延结晶以及铒的迁移和掺杂规律。结果表明，表面非晶层先以基体单晶硅为晶种固相外延结晶，铒在品体非晶界面们析，但当用偏析聚集到一定浓度时则外延结晶停止，剩余损伤层变为多晶结构。在３５０ｋｅｖ的高剂量注入下，再结晶区域内的最大掺杂浓度随退人温度的增加而降低，但对１５０ｋｅｖ的低剂量注入，观察到８５０℃退火温度下掺杂浓度的反常增强。
- 万亚李岱青章蓓陈孔军徐天冰朱沛然
- 关键词：铒离子注入硅
- 全文增补中
- 350keV Yb~＋注入Si（100）的射程分布和晶格损伤研究
- 1994年
- 用３５０ｋｅＶＹｂ~＋在室温下注入了单晶硅，并用卢瑟福背散射／沟道技术测量了注入离子在硅中的射程分布谱和晶格损伤谱。用表面能量近似和平均能量近似从背散射谱上计算了射程深度和射程分布的标准偏差。实验和计算结果表明，大部分注入离子都处于非替位位置。表面能量近似方法已能给出相当理想的计算精度，它与更精确的平均能量近似所得出的结果相差甚微。晶体与非晶体界面附近的损伤并由Ｙｂ~＋直接产生，它是一种次级级联碰撞效应。
- 李岱青任廷琦万亚宫宝安徐天冰
- 关键词：射程
- 全文增补中
- 1MeVSi~＋衬底加温注入Al＿（0．3）Ga＿（0．7）As／GaAs超晶格和GaAs的晶格损伤研究
- 1994年
- 用卢瑟福背散射／沟道技术研究了１ＭｅＶＳｉ￣＋在衬底加温和室温下以不同剂量注入Ａｌ＿（０．３）Ｇ＿（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ后的晶格损伤。在衬底加温下，观察到Ａｌ＿（０．３）Ｇａ＿（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ都存在一个动态退火速率与缺陷产生速率相平衡的剂量范围，以及两种速率失去平衡的临界剂量。超晶格比ＧａＡｓ更难以损伤，并且它的两种速率失去平衡的临界剂量也大于ＧａＡｓ中的相应临界剂量，用热尖峰与碰撞模型解释了晶格损伤积累与注入剂量和衬底温度的关系。用ＣＮＤＯ／２量子化学方法计算了ＧａＡｓ和Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ中化学键的相对强度，并根据计算结果解释了注入过程中Ａｌ＿（０．３）Ｇａ＿（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和ＧａＡｓ中晶格损伤程度的差别。
- 李岱青宫宝安万亚朱沛然周俊思徐天冰穆善明赵清太王忠烈
- 关键词：超晶格离子注入MEV能区
- Al_（0．3）Ga_（0．7）As／GaAs超晶格在高能高温注入下的晶格损伤
- 1994年
- 用卢瑟福背散射／沟道技术研究了ＩＭｅＶＳｉ￣＋衬底加温注入Ａｌ_（０．３）Ｇａ_（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格和作为比较的ＧａＡｓ晶体后晶格的损伤积累与注入剂量的关系。实验结果表明，在注入剂量比较小的情况下，两种晶体都只有很轻微的损伤；动态退火过程的存在抑制了晶格损伤的积累。但在较高的注入剂量下，在几乎无损伤的表面下两种晶体中都形成了损伤埋层，且ＧａＡｓ中损伤峰处的损伤程度和损伤峰的宽度都大于Ａｌ_（０．３）Ｇａ_（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格中的情形，根据级联碰撞理论分析了晶体中的损伤积累过程，并从化学键相对强度差异的角度定性地解释了ＧａＡｓ和Ａｌ_（０．３）Ｇａ_（０．７）Ａｓ／ＧａＡｓ超晶格实验结果的不同。
- 李岱青任廷琦宫宝安万亚朱沛然徐天冰
- 关键词：超晶格离子注入
- 超晶格Al_xGa_（1－x）As／GaAs中相对键强度的研究
- 1994年
- 用半经验的ＣＮＤＯ／２量子化学计算方法，对一组模拟超晶格ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ的原子簇体系作了第一性原理的电子结构研究。结果表明，化学键Ａｌ—Ａｓ和Ｇａ—Ａｓ的强度，在ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ环境中的结果均高于它们在纯晶体ＡｌＡｓ和ＧａＡｓ环境中的数值；随着ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ中Ｘ值的增大，Ｇａ－Ａｓ键强度相应地提高，但平均键强度计算结果，Ｇａ－Ａｓ总低于同环境中的Ａｌ－Ａｓ。本文结果同ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ红外光谱键强度分析等实验事实相吻合，而且为离子注入ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ／ＧａＡｓ中引起的晶格损伤分布行为提供了合理的解释。
- 宫宝安万亚李岱青任廷琦
- 关键词：超晶格量子化学
- MoAPO-5分子筛的合成及性能研究
- 1992年
- 用水热法合成了MoAPO-5分子筛,并测定了其晶体形貌、吸附量、分子筛骨架的稳定性以及催化活性和表面酸性.实验结果表明,MoAPO-5分子筛是一种新的金属磷酸铝分子筛.对异丙苯裂化反应有良好的催化活性,且反应活性随Mo含量的增大而增大.与已有文献结果比较表明,MoAPO-5分子筛具有较强的L酸中心.
- 万亚宫宝安武克瑞
- 关键词：分子筛催化
- 高能硅离子注入GaAs的晶格损伤研究
- 1994年
- 用卢瑟福背散射／沟道技术研究了１ＭｅＶＳｉ￣＋在３５０℃高温和室温下以不同剂量注入ＧａＡｓ后的晶格损伤。在衬底加温注入下，观察到ＣａＡｓ中存在一个动态退火速率与缺陷产生速率相互平衡的剂量范围以及两种速率失去平衡时的临界剂量。用级联碰撞理论分析了所观察到的实验结果。
- 万亚李岱青朱沛然徐天冰
- 关键词：离子注入硅砷化镓
