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丛伟林

作品数：7 被引量：2H指数：1
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 4篇电路
  • 4篇集成电路
  • 3篇电路技术
  • 3篇芯片
  • 3篇集成电路技术
  • 2篇芯片设计
  • 1篇预编码
  • 1篇阵列
  • 1篇上电复位
  • 1篇上电复位电路
  • 1篇射线
  • 1篇输出端
  • 1篇输入端
  • 1篇数据写入
  • 1篇资源利用率
  • 1篇总剂量
  • 1篇总剂量辐射
  • 1篇总剂量辐射效...
  • 1篇总剂量效应
  • 1篇现场可编程

机构

  • 4篇华微电子系统...
  • 3篇电子科技大学
  • 1篇成都华微电子...

作者

  • 7篇丛伟林
  • 3篇李平
  • 3篇李文昌
  • 2篇侯伶俐
  • 2篇曾波
  • 2篇杨志明
  • 1篇何军
  • 1篇范雪
  • 1篇谢小东
  • 1篇郑博文
  • 1篇鞠瑜华
  • 1篇黄国辉
  • 1篇于廷江
  • 1篇杨宝亮
  • 1篇史芸
  • 1篇杨嵩
  • 1篇王宁
  • 1篇曾波
  • 1篇彭祥
  • 1篇余梅

传媒

  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇四川省电子学...

年份

  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 4篇2009
  • 1篇2005
共 7 条 记 录，以下是 1-7
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排序方式：
一种应用于CPLD的新型上电复位电路
本文针对某款CPLD芯片的上电复位要求,设计了一个能够产生200us脉宽的上电复位信号电路。该电路具有精确度稳定性高等特点,该款CPLD已采用smic0.35um工艺,经验证该电路设计是行之有效的。
彭祥曾波侯伶俐丛伟林
关键词：集成电路CPLD芯片上电复位芯片设计
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FPGA布线可编程开关结构
FPGA布线可编程开关结构，涉及集成电路技术。本发明包括配置电路、第一SRAM和MOS开关，MOS开关连接点(L1)和(L2)，其特征在于，还包括与MOS开关并联的缓冲器电路，缓冲器电路一端接点(L1)，另一端接点(L2...
李平黄国辉丛伟林郑博文苏世碧李文昌
文献传递
一种CLB结构及CLB优化方法
一种CLB结构及CLB优化方法，涉及集成电路技术。本发明由3个2输入LUT组成，其中第一LUT和第二LUT的输出端接第三LUT的两个输入端，第三LUT的输出端作为CLB的输出端，第一LUT和第二LUT的输入端接逻辑信号。...
李文昌丛伟林杨嵩余梅侯伶俐
文献传递
16MbitFPGA配置存储器设计研究
伴随半导体工艺和数字集成电路本身不断地更新换代， FPGA（ Field Programmable Gate Array，现场可编程门阵列）因其自身片上众多的可编程资源和快速灵活的现场可编程特性，已在众多领域得到广泛应用...
丛伟林
关键词：现场可编程门阵列
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HWD1203移相控制电路
曾波王宁杨志明于廷江何军史芸杨宝亮丛伟林
HWD1203是一款高性能的数字移相控制电路芯片，能够将一路时钟经过移相处理，产生四路相位差为90度的时钟信号，这四路时钟对输入信号进行采样计数，从而大大提高了采样的精度。为高精度的脉宽测量系统应用方面提供良好的单芯片解...
关键词：
关键词：控制电路
0.18μm浮栅Flash存储器件的总剂量辐射效应试验研究
2011年
针对自主设计的4 Mbit基于0.18μm商用CMOS flash工艺的浮栅flash存储器件进行了钴-60γ射线辐射效应试验研究。该存储器为FPGA的配置存储器。通过对被测器件分组,在加电配置和未加电配置条件下分别进行了钴-60γ射线辐射效应试验。试验实时监测了被测器件的工作电流以及其配置FPGA功能随总剂量变化的特性,在国内首次测试了该工艺尺寸的flash存储器件的总剂量辐射效应特性。得到了其工作电流漂移的总剂量阈值为45 krad(Si)和功能失效总剂量阈值为92 krad(Si)的试验结果。
范雪李平谢小东李辉杨志明丛伟林
关键词：总剂量效应射线
一种LUT结构和FPGA
一种LUT结构，涉及集成电路技术。本发明包括下述单元：地址预编码单元，具有两个2输入接口，通过两个4输出接口与数据读出编码控制单元连接，还通过两个4输出接口与编码地址锁存单元连接；编码地址锁存单元，通过两个4输出接口与数...
李平李文昌曾波丛伟林侯伶俐鞠瑜华
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