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何进密

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：南开大学更多>>
发文基金：天津市自然科学基金更多>>
相关领域：理学电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 1篇电学
  • 1篇英文
  • 1篇中共
  • 1篇隧穿
  • 1篇隧穿时间
  • 1篇共振隧穿
  • 1篇和光
  • 1篇磁场

机构

  • 2篇南开大学
  • 1篇天津城市建设...

作者

  • 2篇何进密
  • 1篇贾国治
  • 1篇于沛
  • 1篇姚江宏

传媒

  • 1篇发光学报

年份

  • 2篇2010
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
低维半导体的电学和光学性质研究
低维半导体是当今半导体物理的研究热点,尤其是低维半导体的电学和光学性质。在本论文中我们在有效质量近似下用传输矩阵方法模拟了电子在量子阱的输运性质。主要是电子在双势垒单方势阱的隧穿特性,并推广到多周期的情况,给出电子在多周...
何进密
文献传递
结构和磁场对三势垒结构中共振隧穿时间的影响(英文)
2010年
为了理解在三势垒结构中准束缚能级Ez和隧穿寿命对磁场的依赖性,采用传输矩阵的方法研究了在三势垒结构中的共振隧穿过程。分别研究了在三势垒结构中的透射几率特征和隧穿寿命。结果表明:随着中间势垒厚度L的增加,第一准束缚能级E1z增加,而第二准束缚能级E2z却减小。随着磁场强度B和朗道量子数n的增加,与第一和第二准束缚能级(E1z,E2z)对应的寿命τ缩短。对于B=15和n=15的情况,L对τ的影响很小。
贾国治姚江宏何进密于沛
关键词：共振隧穿
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