侯涛
- 作品数:6 被引量:11H指数:2
- 供职机构:北京交通大学更多>>
- 发文基金:北京市自然科学基金国家自然科学基金北京市科委项目更多>>
- 相关领域:理学机械工程化学工程电子电信更多>>
- MAl<sub>2</sub>B<sub>2</sub>O<sub>7</sub>:Re(M=Ca,Sr,Ba;Re=Eu~(3+),Tb~(3+),Eu~(2+))在VUV激发下的发光性能研究
- VUV激发的稀土荧光粉是大屏幕壁挂式彩电PDP(等离子平板显示器)和无汞荧光灯应用技术的首先材料体系。硼铝酸盐对于稀土离子发光是一类很好的基质,其在VUV区有很强的吸收,发光效率较高,具有很好的耐真空紫外光辐照和抗离子轰...
- 侯涛
- 关键词:稀土掺杂发光
- Ca_3MgSi_2O_8:RE(RE=Eu^(2+),Ce^(3+),Tb^(3+))的发光性能(英文)被引量:6
- 2006年
- 采用高温固相法在还原气氛下合成了Ca3MgSi2O8:RE(RE=Eu2+,Ce3+,Tb3+)系列样品。用荧光光谱仪研究了样品掺杂Eu2+,Ce3+,Tb3+后的光谱性质。样品Ca3MgSi2O8:Ce3+在紫外光激发下呈蓝紫色发射;样品Ca3MgSi2O8:Eu2+在紫外光激发下则呈绿色发射。分别讨论了Ce3+,Eu2+和Ce3+,Tb3+共激活焦硅酸钙盐在紫外光激发下的光谱特性和其中存在的能量传递机理,发现Ce3+分别对Eu2+和Tb3+有敏化作用。
- 侯涛何大伟周丹
- 关键词:发光
- MAl<,2>B<,2>O<,7>:Re(M=Ca,Sr,Ba;Re=Eu<'3+>,Tb<'3+>,Eu<'2+>)在VUV激发下的发光性能研究
- VUV激发的稀土荧光粉是大屏幕壁挂式彩电PDP(等离子平板显示器)和无汞荧光灯应用技术的首先材料体系。硼铝酸盐对于稀土离子发光是一类很好的基质,其在VUV区有很强的吸收,发光效率较高,具有很好的耐真空紫外光辐照和抗离子轰...
- 侯涛
- 关键词:稀土荧光粉发光光谱高温固相法
- CaMgSi_2O_6∶Eu的真空紫外光谱特性被引量:3
- 2007年
- 采用高温固相反应利用原料CaCO3,MgO,SiO2和Eu2O3合成了CaMgSi2O6∶Eu3+样品,并研究了其结构特性、光谱特性。CaMgSi2O6∶Eu3+属于单科晶系,基质掺入Eu离子后结构没有明显变化。CaMgSi2O6∶Eu3+在147nm真空紫外光激发下呈红色发射,发射主峰位于611nm,是Eu3+的5D0→7F2跃迁的典型发射。当Eu3+的相对摩尔浓度在0.02到0.10mol之间变化时,由相关数据可以发现有浓度猝灭现象发生。CaMgSi2O6∶Eu2+在172nm真空紫外光激发下呈蓝色发射,发射主峰位于452nm,是Eu2+的5d→4f跃迁的典型发射。添加不同浓度的H3BO3后可大大提高样品的发光强度。
- 周丹何大伟侯涛
- 关键词:真空紫外
- Sr_3Gd(PO_4)_3∶Tm^(3+)的真空紫外光谱特性被引量:1
- 2007年
- 研究了Sr3Gd(PO4)3∶Tm3+和GdPO4∶Tm3+样品的结构特性、光谱特性。GdPO4∶Tm3+为单斜晶系,基质掺入铥离子后结构没有明显变化。GdPO4∶Tm3+在164和210nm附近有强烈的吸收峰。位于164nm附近的强烈的吸收峰是归因于基质的吸收引起,210nm附近的吸收峰则归因于Gd3+的8S7/2—6GJ的能级跃迁。在164nm真空紫外光激发下,样品于453及363nm处有较强的发射峰,发射主峰位于453nm,属于Tm3+的1D2→3H4(22,123cm-1)跃迁的典型发射。由于阳离子质量的不同,Sr3Gd(PO4)3∶Tm3+在166nm附近的激发峰高于GdPO4∶Tm3+的同位置的激发峰,其在363nm处的发射有明显减弱,而在453nm处的蓝色发射有显著的增强。
- 李鑫何大伟侯涛周丹卢鹏志
- 关键词:激发光谱发射光谱VUV
- MAl_2B_2O_7:Re(M=Ca,Sr,Ba;Re=Eu^(3+),Tb^(3+))在VUV激发下的发光性能被引量:1
- 2007年
- 采用高温固相法合成了MAl_2B_2O_7:Re(M=St,Ba,Ca;Re=Eu^(3+),Tb^(3+))系列样品。BaAl_2B_2O_7:Eu^(3+)在130~170 nm和200~250nm区域有两个很强的吸收带;130~170nm的宽带是硼氧和铝氧基团的吸收,位于200~250nm附近的吸收带主要是Eu^(3+)-O^(2-)电荷转移态的吸收;MAl_2B_2O_7:Eu^(3+)(M=Sr,Ba)中Eu^(3+)占据更多的是非对称格位,以~5D_0→~7F_2跃迁为主,对应613nm处的发射强度最大。MAl_2B_2O_7:Re(M=Sr,Ba;Re=Tb^(3+))在120~200nm和200~300nm光谱区有两个较强的吸收带。位于120~200nm的宽谱带对应于基质吸收。这包括硼氧和铝氧基团在真空紫外的吸收,基质吸收主要是硼酸根的吸收;而位于160~270nm左右的一组谱峰对应于Tb^(3+)的4f^8-4f^75d跃迁;在172nm的激发下,发射峰由492 nm,546nm,592nm和624nm组成,分别对应Tb^(3+)的~5D_4→~7F_J(J=6,5,4,3)跃迁发射,其中546nm是主发峰。
- 侯涛何大伟李鑫王永生
- 关键词:发光VUVPDP