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冉军学

作品数：79 被引量：26H指数：3
供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金中国科学院知识创新工程国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 43篇专利
  • 18篇期刊文章
  • 15篇会议论文
  • 2篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 34篇电子电信
  • 3篇文化科学
  • 2篇化学工程
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇自动化与计算...
  • 2篇理学
  • 1篇机械工程

主题

  • 19篇半导体
  • 15篇金属有机物
  • 15篇MOCVD
  • 12篇氮化镓
  • 10篇导体
  • 10篇迁移率
  • 10篇半导体材料
  • 9篇衬底
  • 8篇晶体管
  • 8篇MOCVD生...
  • 7篇氮化
  • 7篇氮化物
  • 7篇进气
  • 7篇ALGAN/...
  • 7篇GAN
  • 6篇氮化物半导体
  • 6篇势垒
  • 6篇金属
  • 6篇金属有机物化...
  • 6篇二极管

机构

  • 79篇中国科学院
  • 2篇中国科学院微...

作者

  • 79篇冉军学
  • 58篇王晓亮
  • 52篇胡国新
  • 51篇李晋闽
  • 48篇肖红领
  • 39篇王翠梅
  • 35篇王军喜
  • 25篇曾一平
  • 18篇李建平
  • 15篇殷海波
  • 14篇马志勇
  • 13篇张露
  • 13篇杨翠柏
  • 11篇罗卫军
  • 8篇梁勇
  • 8篇王新华
  • 7篇冯春
  • 7篇王保柱
  • 7篇胡强
  • 6篇姜丽娟

传媒

  • 13篇Journa...
  • 9篇第十四届全国...
  • 4篇半导体技术
  • 1篇照明工程学报
  • 1篇第十三届全国...
  • 1篇第13届全国...

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2021
  • 1篇2020
  • 2篇2019
  • 3篇2018
  • 1篇2017
  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 4篇2013
  • 6篇2012
  • 5篇2011
  • 12篇2010
  • 4篇2009
  • 9篇2008
  • 9篇2007
  • 11篇2006
  • 5篇2005
  • 1篇2004
共 79 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托
本实用新型涉及半导体材料技术领域，一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托。由石英支架(10)、衬托(11)、蓝宝石片(12)、样品(13)、热电偶(14)组成，衬托(11)位于石英支架(10)之上，蓝宝石片(12)位...
王晓亮冉军学李建平胡国新王军喜曾一平李晋闽
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一种化学气相沉积装置
本发明公开了一种化学气相沉积装置，该装置包括多个独立的生长室，该多个独立的生长室位于一箱体之内，使用机械臂进行样品的传递，分别用于n型层外延材料的生长、多量子阱有源层的生长，以及p型层外延材料等不同生长工艺的材料生长。利...
段瑞飞曾一平王军喜冉军学胡国新羊建坤梁勇路红喜李晋闽
文献传递
宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法
一种宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构，包括：一衬底；一高温氮化铝成核层，该高温氮化铝成核层制作在衬底的上面；一铝(铟)镓氮超晶格缓冲层，该铝(铟)镓氮超晶格缓冲层制作在高温氮化铝成核层的上面；一非有意掺杂或掺杂氮化镓...
王晓亮马志勇胡国新肖红领冉军学王翠梅罗卫军
文献传递
蓝宝石衬底上单晶InN薄膜的MOCVD生长
采用非掺GaN为缓冲层,利用金属有机物气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石衬底上获得了晶体质量较好的单晶InN薄膜.用光学显微镜观察得到的InN薄膜,表面无铟滴生成.InN (0002)双晶X射线衍射摇摆曲线的半峰宽为9....
肖红领王晓亮杨翠柏胡国新冉军学王翠梅张小宾李建平李晋闽
关键词：MOCVD生长气相沉积晶体质量
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Ⅲ-氮化物半导体材料pn结的制作方法
一种III-氮化物半导体材料pn结的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在一衬底上生长p型GaN基材料；步骤2：在p型GaN基材料上面外延非掺杂GaN基材料；步骤3：在非掺杂的GaN基材料上生长非掺杂薄层；步骤4：在非掺杂薄...
冉军学王晓亮李建平胡国新肖红领王翠梅杨翠柏李晋闽
p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法
本发明涉及无机光电技术领域，公开了一种p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构及其制作方法，该p-i-n型InGaN量子点太阳能电池结构包括衬底、低温氮化镓成核层、非有意掺杂氮化镓缓冲层、n型掺杂In<Sub>x</S...
张小宾王晓亮肖红领杨翠柏冉军学王翠梅李晋闽
一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统
本发明公开了一种对气体传感器或半导体器件性能进行测试的系统，该系统包括：配气单元，用于为测试气体传感器气敏性能提供可控浓度且均匀混合的测试用气体，并在对气体传感器气敏性能测试完成后排出测试用气体；加热单元，用于控制测试温...
王晓亮王新华冯春王保柱马志勇王军喜胡国新肖红领冉军学王翠梅
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高阻GaN薄膜电阻率测量
建立了绝缘电阻大于1013Ω和温度起伏小于0.1℃的高阻GaN薄膜电阻率装置,并简述了其测量电阻率的原理.研究了环境温度、湿度、漏电流、数据读取时间、测量电压、样品尺寸等因素对电阻率与迁移率的影响,并讨论了各种因素所引起...
方测宝李晋闽王晓亮肖红领王翠梅冉军学李成基罗卫军杨翠柏曾一平
关键词：电阻率测量环境温度漏电流
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氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法
本发明一种氮化镓基异质结场效应晶体管结构，其中包括：一衬底；一低温氮化镓成核层，该低温氮化镓成核层制作在衬底的上面；一非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层，该非有意掺杂或掺杂氮化镓高阻层制作在低温氮化镓成核层的上面；一非有意掺杂...
马志勇王晓亮冉军学胡国新肖红领王翠梅罗卫军
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利用δAl/AlN做缓冲层在Si(111)上生长GaN
采用MOCVD生长方法,对比在AlN层上加入δAl/AlN缓冲层和不加入δAl/AlN缓冲层两种生长结构,在Si(111)衬底上生长GaN.试验结果表明,在加入δ Al/AlN缓冲层后,GaN外延层的裂纹密度得到了有效的...
郭伦春王晓亮胡国新肖红领冉军学王翠梅李建平罗卫军李晋闽
关键词：GAN薄膜MOCVD生长ALN缓冲层晶体质量
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