冯震
- 作品数：53 被引量：69H指数：5
- 供职机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家重点实验室开放基金国防科技重点实验室基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- X波段大功率GaN HEMT的研制
- 2008年
- 在研制了AlGaN/GaN HEMT外延材料的基础上,采用标准工艺制作了2.5mm大栅宽AlGaN/GaNHEMT。直流测试中,Vg=0V时器件的最大饱和电流Ids可达2.4A,最大本征跨导Gmax为520mS,夹断电压Voff为-5V;通过采用带有绝缘层的材料结构及离子注入的隔离方式,减小了器件漏电,提高了击穿电压,栅源反向电压到-20V时,栅源漏电在10-6A数量级;单胞器件测试中,Vds=34V时,器件在8GHz下连续波输出功率为16W,功率增益为6.08dB,峰值功率附加效率为43.0%;2.5mm×4四胞器件,在8GHz下,连续波输出功率42W,功率增益8dB,峰值功率附加效率34%。
- 宋建博冯震王勇张志国李亚丽冯志宏蔡树军杨克武
- 关键词：X波段输出功率功率增益功率附加效率
- 等平面化SiC MESFET的研制被引量：2
- 2008年
- 在原有设计以及工艺的基础上,采用了器件表面等平面化处理及侧壁钝化工艺,器件工作电压大幅度提高,截止漏电流降低约两个数量级,跨导提高1.5mS/mm。2GHz下测试,微波功率附加效率提高10%左右,增益平均提高了2dB,在VDS=60V的条件下单管功率输出达到了86.5W。经过内匹配和功率合成研制成大功率的SiC脉冲功率管的综合性能较好,在250W的输出功率下,器件仍然保持高达10.5dB的高增益,功率附加效率30%。台阶仪和扫描电镜观测表明,台阶高度已经大大降低,侧壁得到了钝化,尖锐突起和凹坑都已经变得平缓。
- 杨霏陈昊潘宏菽默江辉商庆杰李亮闫锐冯震杨克武蔡树军姚素英
- 关键词：高增益功率附加效率大功率
- X波段高输出功率凹栅AlGaN/GaN HEMT被引量：4
- 2007年
- 使用自主研制的SiC衬底GaN HEMT外延材料,研制出高输出功率AlGaN/GaN HEMT,优化了器件研制工艺,比接触电阻率小于1.0×10-6Ω.cm2,电流崩塌参量小于10%,击穿电压大于80V.小栅宽器件工作电压达到40V,频率为8GHz时输出功率密度大于10W/mm.栅宽为2mm单胞器件,工作电压为28V,频率为8GHz时,输出功率为12.3W,功率增益为4.9dB,功率附加效率为35%.四胞内匹配总栅宽为8mm器件,工作电压为27V时,频率为8GHz时,输出功率为33.8W,功率增益为6.3dB,功率附加效率为41.77%,单胞器件和内匹配器件输出功率为目前国内该器件输出功率的最高结果.
- 冯震张志国王勇默江辉宋建博冯志红蔡树军杨克武
- 关键词：A1GAN/GANHEMT高输出功率
- 高跨导AlGaN/GaN HFET器件研究
- 2006年
- 报道了蓝宝石衬底上AlGaN/GaNHFET的制备以及室温下器件的性能。器件栅长为0.8μm,源漏间距为3μm,得到器件的最大漏电流密度为0.7A/mm,最大跨导为242.4mS/mm,截止频率(fT)和最高振荡频率(fmax)分别为45GHz和100GHz。同时器件的脉冲测试结果显示,SiN钝化对大栅宽器件的电流崩塌效应不能彻底消除。
- 张志国杨瑞霞李丽王勇冯震李献杰杨克武
- 关键词：ALGAN/GAN异质结场效应晶体管跨导直流特性
- 半导体器件栅凹槽与N<Sup>+</Sup>凹槽自对准加工方法
- 本发明公开了一种半导体器件栅凹槽与N<Sup>+</Sup>凹槽自对准加工方法,它涉及半导体器件的工艺制备方法。它采用普通的工艺设备,采用一次光刻、两次腐蚀介质的工艺过程,制造得到栅凹槽自动位于N<Sup>+</Sup>...
- 丁奎章冯震王民娟李岚周瑞张雄文吴阿惠张务永焦艮平邢东
- 文献传递
- MOCVD生长高Al组分AlGaN材料研究被引量：1
- 2008年
- 报道了用MOCVD在蓝宝石衬底上生长日盲型AlGaN基紫外探测器用的高质量AlN、AlGaN材料。通过优化AlN、AlGaN生长的工艺条件,如生长温度、生长压力及Ⅴ/Ⅲ比等,得到了器件级高质量的AlN、AlGaN外延材料。AlN外延膜X射线双晶衍射ω(002)面扫描曲线半高宽为97",ω(102)面扫描曲线半高宽为870",Al0.6Ga0.4N外延膜双晶衍射ω(002)面扫描曲线半高宽为240";使用原子力显微镜(AFM)对两种样品5μm×5μm区域的表面平整度进行了表征,AlN外延膜的粗糙度(Rms)为8.484nm,Al0.6Ga0.4N外延膜的粗糙度为1.104nm;透射光谱测试显示AlN和Al0.6Ga0.4N吸收带边分别为205nm和266nm,且都非常陡峭。
- 刘波袁凤坡尹甲运刘英斌冯震冯志宏
- 关键词：ALGAN金属有机化学气相淀积X射线衍射透射光谱
- 一种碳化硅器件制备的平坦化及侧壁钝化工艺
- 本发明公开了一种碳化硅器件制备的平坦化及侧壁钝化工艺，即在碳化硅器件制备过程中减小器件表面台阶高度，平滑器件表面的尖角、凹槽，并且使侧壁钝化的工艺，该工艺通过采用在碳化硅器件表面和侧面普遍生长介质材料薄膜的方法使侧壁钝化...
- 潘宏菽杨霏商庆杰陈昊冯震彭明明秘瑕李亮闫锐蔡树军杨克武
- 文献传递
- Si(111)衬底上GaN外延材料的应力分析被引量：6
- 2008年
- 对Si(111)衬底上GaN外延材料的应力随着低温AlN插入层数的变化进行了分析研究。通过喇曼散射谱在高频E2(TO)模式下的测试分析发现,随着低温AlN插入层数的增加,GaN材料的E2(TO)峰位逐渐接近体GaN材料的E2(TO)峰位(无应力体GaN材料的E2(TO)峰位为568cm-1),计算得出GaN材料的应力从1.09GPa减小到0.42GPa。同时,使用室温光荧光谱进行了分析验证。结果表明,Si衬底上GaN外延材料受到的是张应力,通过低温AlN插入层技术可以有效降低GaN材料的应力,并且最终实现了表面光亮的厚层无裂纹GaN材料。
- 尹甲运刘波张森冯志宏冯震蔡树军
- 关键词：氮化镓喇曼散射光荧光谱应力SI衬底
- 碳化硅二次外延结构
- 本发明公开了一种用于碳化硅器件制备的碳化硅二次外延材料结构，包括：一碳化硅单晶体衬底，一位于衬底表面的一次同质外延层，一位于一次同质外延层表面的二次外延层，其中一次同质外延层包括p型碳化硅缓冲层、n型碳化硅有源层以及非故...
- 杨霏潘宏菽陈昊冯震吕云安齐国虎张志国冯志红蔡树军杨克武
- 文献传递
- 4H-SiC同质外延层的表征
- 在高纯半绝缘4H-SiC偏8°衬底上同质外延生长了高质量的外延层,利用X射线双晶衍射,原子力显微镜(AFM),汞探针C-V以及霍尔效应,对样品进行了测试分析,证实外延层的结晶质量相对于衬底有着很大的改善。外延层10×10...
- 李佳齐国虎陈昊霍玉柱吕云安冯志红冯震蔡树军
- 关键词：X射线双晶衍射原子力显微镜
- 文献传递
