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刘劲松

作品数:5 被引量:7H指数:2
供职机构:电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:一般工业技术电子电信电气工程理学更多>>

文献类型

  • 4篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电气工程
  • 1篇理学

主题

  • 4篇铁电
  • 3篇电场
  • 2篇温度
  • 2篇极化反转
  • 2篇溅射
  • 2篇PZT
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇制备及性能
  • 1篇射频磁控
  • 1篇射频磁控溅射
  • 1篇铁电场效应晶...
  • 1篇铁电存储器
  • 1篇铁电电容
  • 1篇退火
  • 1篇晶体管
  • 1篇O3
  • 1篇ZR
  • 1篇FRAM
  • 1篇LANIO3

机构

  • 5篇电子科技大学
  • 1篇哈尔滨工业大...

作者

  • 5篇刘劲松
  • 5篇张树人
  • 3篇杨成韬
  • 2篇欧阳帆
  • 2篇田召明
  • 2篇蔡道林
  • 2篇翟亚红
  • 2篇李平
  • 2篇陈富贵
  • 2篇陈彦宇
  • 2篇阮爱武
  • 1篇杜善义
  • 1篇黄文
  • 1篇张洪伟

传媒

  • 3篇压电与声光
  • 1篇功能材料

年份

  • 2篇2008
  • 1篇2007
  • 2篇2004
5 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
MFMIS铁电场效晶体管的制备及存储特性被引量:3
2008年
在磁控溅射法制备Pb(Zr0.52Ti0.48)O3(PZT)铁电薄膜的基础上,结合半导体工艺制备了金属/铁电/金属/绝缘层/Si衬底(MFMIS)结构的铁电场效应晶体管。器件的顺时针电容-电压(C-V)特性曲线和逆时针漏电流-栅电压(Id-Vg)特性曲线表明,n沟道PZT铁电场效应晶体管具有明显的栅极化调制效应和极化存储性能,且在-5^+5 V的电压下存储窗口为2 V。
蔡道林李平张树人翟亚红阮爱武刘劲松欧阳帆陈彦宇
关键词:磁控溅射铁电场效应晶体管
应用于FRAM的集成铁电电容的研究
2008年
集成铁电电容的制备是铁电存储器的关键工艺之一。该文采用射频(RF)磁控溅射法在Pt/Ti/SiO2/Si制备Pb(Zr,Ti)O3(PZT)薄膜,上下电极Pt采用剥离技术工艺制备,刻蚀PZT薄膜,形成Pt/PZT/Pt/Ti/SiO2/Si集成电容结构,最后高温快速退火。结果表明,这种工艺条件可制备性能良好的铁电电容,符合铁电存储器对铁电电容的要求。
蔡道林李平张树人翟亚红阮爱武刘劲松陈彦宇欧阳帆
关键词:铁电电容铁电存储器
铁电薄膜极化反转电流的电场和温度特性研究
2004年
应用铁电薄膜极化反转的KA模型,讨论了极化反转电流随电场和温度的变化关系.结果表明,极化反转电流随电场的增加而增加,极化反转时间在低电场时成指数关系下降,高电场时幂律关系下降;在居里温度附近,极化反转电流随温度增加而减小,温度远低于居里温度时,随温度增加而增加.
田召明张树人刘劲松陈富贵杨成韬
关键词:极化反转
PZT/LaNiO_3/LaAlO_3结构制备及性能研究被引量:4
2007年
利用激光脉冲法在LaAlO3衬底上沉积制备LaNiO3薄膜作为底电极材料,其上利用射频磁控溅射制备了PZT铁电薄膜。试验分析了LaNiO3表面结构和形貌,采用快速退火法在不同温度下对样品进行了热处理,发现在500℃即得到(100)取向、晶化完全的PZT薄膜,而性能测试表明,600℃下晶化的样品表现出非常优异的介电和铁电性能,电滞回线完全饱和而且形状对称,剩余极化和矫顽场分别为28.3μC/cm2和54.1 kV/cm。
张洪伟张树人黄文刘劲松杨成韬杜善义
关键词:LANIO3PZT射频磁控溅射退火
铁电薄膜极化反转电流的电场和温度特性研究
应用铁电薄膜极化反转的KA模型, 讨论了极化反转电流随电场和温度的变化关系.结果表明,极化反转电流随电场的增加而增加,极化反转时间在低电场时成指数关系下降,高电场时幂律关系下降:在居里温度附近,极化反转电流随温度增加而减...
田召明张树人刘劲松陈富贵杨成韬
关键词:极化反转
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