刘达艺
- 作品数：12 被引量：13H指数：2
- 供职机构：厦门大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划厦门市科技计划项目更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 选择超晶格位置掺杂的p型Ⅲ族氮化物材料的制备方法
- 选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法，涉及一种III族氮化物半导体材料。提供一种用于制备电阻率小、空穴浓度高的选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法。选择同质或者异质的基质材料；在基质材料上...
- 康俊勇李金钗李书平杨伟煌陈航洋刘达艺
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- 选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法
- 选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法，涉及一种III族氮化物半导体材料。提供一种用于制备电阻率小、空穴浓度高的选择超晶格位置掺杂的p型III族氮化物材料的制备方法。选择同质或者异质的基质材料；在基质材料上...
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- 高量子效率和波长热稳定性308nm GaN/AlN量子点紫外LED的制备
- 近年来,由于紫外光在环境保护、杀菌消毒、净化水源、白光照明和非直线近距离通讯等领域有着极大的用途,AlGaN基紫外光发光二极管(LED)研发成为了人们关注的热点。随着Al组分的升高,高质量和高电导AlGaN材料的生长越加...
- 杨伟煌康俊勇李金钗黄柏凯卢廷昌郭浩中李书平杨旭陈航洋刘达艺
- MOCVD AlzGa1-zNGaN多层异质结构的表面与界面表征
- @@引言： CaN基半导体作为光电子材料领域极为重要的材料，其异质结构在器件开发领域得到十分广泛的应用。本文采用掠入射X射线衍射与原子力显微镜表面形貌技术对MOCVD生长的6周期AlxGa1-xN／GaN超晶格结构的表面...
- 王元樟李金钗李书平陈航洋刘达艺康俊勇
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- 基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构及其制备方法
- 基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构及其制备方法，涉及一种发光二极管。提供一种基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构及其制备方法。所述基于InN/GaN应变量子阱紫外LED结构自底层至顶层依次为：同质基质材料层...
- 康俊勇林伟李书平陈航洋刘达艺陈珊珊杨伟煌
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- 高AI组分Ⅲ族氮化物结构材料及其在深紫外LED应用的进展被引量：11
- 2013年
- 随着高Ga组分Ⅲ族氮化物相关研究的日趋深入和生长技术的日益成熟,人们逐渐将研究重心转向具有更宽带隙的高Al组分Ⅲ族氮化物。该材料常温下带隙宽至6.2 eV,可覆盖短至210 nm的深紫外波长范围,具有耐高温、抗辐射、波长易调控等独特优点,因而是制备紫外发光器件的理想材料。目前,高Al组分Ⅲ族氮化物材料质量不高,所制备的深紫外LED发光器件仍存在内量子效率、载流子注入效率和沿c轴方向正面出光效率较低的难题,因而制约了高效紫外发光器件的制备。本文着重介绍了近年来在高Al组分Ⅲ族氮化物生长动力学方面的研究进展,总结和梳理了量子结构设计、内电场调控以及晶体场调控等方面的相关研究,以期实现高质量深紫外LED的制备。
- 陈航洋刘达艺李金钗林伟杨伟煌庄芹芹张彬彬杨闻操蔡端俊李书平康俊勇
- 关键词：ALGANALNMOVPE
- 深紫外LED结构设计和外延生长
- 本文报告了对深紫外LED中量子结构的第一性原理模拟与设计,提高载流子的复合几率和注入效率。首次提出并应用了Mg-和Si-δ共掺入超晶格结构于p型AlGaN,有效地提高了空穴浓度。通过生长氛围的优化、生长极性的控制、失配应...
- 康俊勇李书平杨伟煌李金钗陈航洋刘达艺
- 关键词：第一性原理量子结构超晶格发光二极管
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- 高Al组分AlGaN结构材料及其深紫外器件应用
- 高Al组分AlGaN氮化物结构材料能隙宽至6.2 eV,可覆盖至210 nm的深紫外波长范围,具有波长易调控、耐高温、调制频率高、噪声低等诸多独特的优点,是制备短波长半导体发光和探测器件不可替代的材料体系,无论在民用和军...
- 高娜郑同场杨伟煌林伟李金钗陈航洋刘达艺李书平康俊勇
- AlN薄膜的椭圆偏振光谱模型研究
- 2007年
- 采用椭圆偏振光谱对MOCVD生长的AlN薄膜在波长430~850 nm的光学参数进行了测量.通过建立不同的物理和色散模型,分别考察了薄膜表面和界面的椭偏效应.拟合结果表明,AlN薄膜的物理模型在引入表面层后,两类色散模型拟合的数据均与椭偏光谱实验数据吻合得很好.进一步考虑界面层所拟合的结果显示,界面层对Lorentz色散模型的影响较小,并且,其拟合所得AlN薄膜厚度与扫描电镜所测厚度一致,因此,认为仅含表面层的Lorentz色散模型更简单实用.
- 姜伟李书平刘达艺康俊勇
- 关键词：ALN光学常数
- GaN薄膜光学常数的椭圆偏振光谱研究被引量：1
- 2007年
- 采用椭圆偏振光谱法,在1.5~6.5 eV光谱范围研究了纤锌矿结构GaN外延薄膜.通过物理模型建立和光谱拟合得到了GaN外延薄膜的厚度和光学常数.所得厚度值与扫描电子显微镜测量的结果相差仅为0.4%.表明所采用的模型和Cauchy吸收色散表式适用于GaN薄膜.进一步采用四相逐点拟合算法得到更全面更准确的GaN薄膜光学常数.
- 俞金玲姜伟李书平刘达艺康俊勇
- 关键词：椭圆偏振光谱GAN光学常数
