刘金鑫
- 作品数：5 被引量：9H指数：2
- 供职机构：中国电子科技集团公司第四十六研究所更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
- 碳化硅晶体生长的压力模糊PID控制研究被引量：1
- 2021年
- 针对碳化硅单晶生长过程中压力控制范围大,控制精度高的需求,改变了常规的PID控制,将模糊PID算法应用到碳化硅单晶生长的压力控制系统中,根据系统压力的测量值和目标值实时的修正控压仪表的PID3个控制参数,并由控压仪表的输出调节真空室和真空泵之间的蝶阀开启比例,保证碳化硅晶体生长中全程压力范围内的压力的精确控制,有助于提高碳化硅单晶的晶体质量。
- 于凯王利杰刘金鑫
- 关键词：碳化硅单晶生长模糊PID压力控制晶体质量
- HVPE法生长AlN薄膜材料被引量：2
- 2010年
- 利用自制立式HVPE设备,在蓝宝石衬底上进行了不同载气情况下AlN的生长试验,生长温度1 000℃。在采用H2作载气情况下,由于预反应严重,没能生长出AlN薄膜,只得到一些白色AlN粉末;而在分别采用Ar和N2作载气的情况下,则成功生长出AlN薄膜,但由于生长温度低,AlN生长均为岛状生长模式。在生长速率较快时,AlN薄膜是以〈0001〉AlN为主的AlN多晶;而在较低生长速率下,得到的AlN薄膜由为〈0001〉取向的AlN岛组成。试验还发现:用Ar作载气更有利于AlN晶核的横向生长,用N2作载气则有相对高得多的AlN成核密度。
- 徐永宽李强程红娟殷海丰于祥潞杨丹丹刘金鑫岳洋张峰
- 关键词：氮化铝载气蓝宝石衬底X射线衍射
- 碳化硅智能制造系统综述被引量：1
- 2021年
- 国内高纯半绝缘碳化硅单晶未能实现工程化的原因,在于生产效率和产品的一致性较差,因此提出了建立碳化硅智能制造平台这一解决途径,以提高晶体生产效率和产品的一致性为目标,以数据监控等为基础,建立基于模型的仿真方法,采用生长过程仿真分析、制造过程监控和工艺参数自适应控制,来提高碳化硅单晶生长过程的智能化控制水平,进而推进高纯半绝缘碳化硅单晶片的产业化进程。
- 于凯王利杰刘金鑫
- 关键词：碳化硅数据监控模拟仿真自适应控制
- HVPE生长厚层GaN基片V/Ⅲ对结晶质量的影响被引量：1
- 2012年
- 采用HVPE法,通过改变V/Ⅲ生长厚层GaN基片。分别采用X射线双晶衍射摇摆曲线、拉曼光谱及扫描探针显微镜进行生长晶体结晶质量和显微形貌分析。生长出表面光亮、无坑、无裂痕的60μm以上厚层GaN基片,并简要介绍厚层GaN基片生长过程中V/Ⅲ影响成核岛演变的规律。
- 杨丹丹徐永宽程红娟张嵩李晖徐所成史月增刘金鑫岳洋张峰郝建民
- 关键词：氢化物气相外延氮化镓X射线双晶衍射
- 高温化学气相沉积法制备致密碳化钽涂层被引量：4
- 2017年
- 采用高温化学气相沉积法(CVD)在高纯高密石墨基片的表面沉积了碳化钽(TaC)涂层。通过研究气化温度、气体流量及沉积温度对TaC涂层表面质量的影响,确定了高温CVD法制备TaC涂层的工艺参数,最终获得高致密度的TaC涂层。
- 张丽齐海涛徐永宽王利杰史月增刘金鑫
- 关键词：TAC涂层
