您的位置： 专家智库 > >

刘铭

作品数：92 被引量：0H指数：0
供职机构：中国电子科技集团第十一研究所更多>>
相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 91篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 16篇电子电信
  • 5篇自动化与计算...
  • 5篇文化科学
  • 4篇金属学及工艺
  • 3篇理学
  • 2篇机械工程
  • 1篇化学工程

主题

  • 26篇红外
  • 25篇探测器
  • 19篇红外探测
  • 16篇碲镉汞
  • 15篇衬底
  • 12篇束流
  • 12篇红外探测器
  • 12篇超晶格
  • 11篇晶格
  • 11篇分子束
  • 11篇分子束外延
  • 11篇暗电流
  • 10篇硅基
  • 8篇势垒
  • 8篇双色红外
  • 8篇碲镉汞材料
  • 7篇电极
  • 7篇载流子
  • 7篇探测器材料
  • 7篇红外探测器材...

机构

  • 92篇中国电子科技...

作者

  • 92篇刘铭
  • 33篇王经纬
  • 29篇周立庆
  • 28篇邢伟荣
  • 27篇王丛
  • 23篇周朋
  • 19篇高达
  • 16篇吴卿
  • 15篇折伟林
  • 13篇巩锋
  • 11篇孙浩
  • 8篇尚林涛
  • 7篇喻松林
  • 7篇徐强强
  • 7篇强宇
  • 6篇程鹏
  • 6篇宁提
  • 6篇侯晓敏
  • 5篇胡尚正
  • 5篇刘兴新

传媒

  • 1篇激光与红外

年份

  • 7篇2024
  • 7篇2023
  • 14篇2022
  • 11篇2021
  • 13篇2020
  • 7篇2019
  • 7篇2018
  • 4篇2017
  • 9篇2016
  • 4篇2015
  • 3篇2014
  • 6篇2013
共 92 条 记 录，以下是 1-10
全选 清除 导出
排序方式：
一种基于InAs的APD结构的制备方法
本发明公开了一种基于InAs的APD结构的制备方法，包括：以InAs衬底为基础，在所述InAs衬底上生长有掺杂的n<Sup>+</Sup>‑InAs层、有源层、掺杂的p‑InAs层以及掺杂的p<Sup>+</Sup>‑I...
邢伟荣刘铭周朋胡雨农
文献传递
硅基缓冲层及其制备方法
本发明公开了一种硅基缓冲层及其制备方法。硅基缓冲层的制备方法，包括：获得原子级别洁净的的Si片；依次打开As束流源、Te束流源，对Si片的正面进行钝化；交替打开Zn束流源和Te束流源，在钝化后的Si片的正面外延ZnTe缓...
王丛刘铭高达周立庆
文献传递
一种InAlSb薄膜中铝组分含量的测定方法及装置
本发明公开了一种InAlSb薄膜中铝组分含量的测定方法及装置，所述方法具体包括以下步骤：在InSb衬底上生长InAlSb薄膜，测定X射线的入射角在所述InAlSb薄膜满足布喇格方程时的角度θ<Sub>InAlSb测量</...
周朋刘铭折伟林邢伟荣尚林涛
一种双波段偏振量子点焦平面探测器及制作方法
本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种双波段偏振量子点焦平面探测器及其制备方法，方法包括：首先根据波段类型，通过改变胶体量子点材料及胶体量子点粒径尺寸，生成与波段类型对应的胶体量子点墨水溶液；然后在读出电路表面加工阵列化...
游聪娅刘铭
Si基中/长波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法
本发明公开了一种Si基中/长波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法。该方法包括：进行外延级Si衬底清洗，去掉Si衬底的自然氧化层，形成人为氧化层；对Si衬底进行氧化层去除，并进行As钝化；采用迁移增强MME的方式生长ZnTe缓...
王经纬巩锋王丛刘铭强宇
文献传递
一种石墨烯基碲镉汞材料及其制备方法
本发明公开了一种红外探测材料及其制备方法。本发明的红外探测材料，包括红外光吸收层和电荷传输载体层；所述电荷传输载体层布设在所述红外光吸收层上；其中，所述电荷传输载体层由石墨烯材料制备得到。本发明实施例利用石墨烯材料作为光...
喻松林刘铭张永哲孙浩吴卿周立庆
文献传递
一种碲镉汞雪崩探测器器件结构及雪崩探测器
本申请公开了一种碲镉汞雪崩探测器器件结构及雪崩探测器，涉及半导体技术，包括衬底层、p型收集层、吸收层、过渡层、漂移增强层、i型倍增层及n型收集层等。通过设置漂移增强层HgCdTe层，Cd组分采用阶梯状缓变以保持能级缓慢过...
何温折伟林邢伟荣赵超王丹王鑫郝斐刘铭
一种集成式红外探测装置的制备方法
本发明公开了一种集成式红外探测装置的制备方法，通过在一块红外探测器芯片上集成凝视型和扫描型两种功能的芯片，形成既具有凝视成像功能又具有扫描成像功能的红外读出电路，能够快速切换成像模式，集成了凝视成像的实时性和扫描成像高灵...
刘铭喻松林周立庆孙浩周朋王静
文献传递
一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法
本发明涉及一种硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料及其制备方法。本发明的硅基短/中波叠层双色碲镉汞材料，包括：硅基复合衬底，以及在所述硅基复合衬底上由下到上依次排列的碲镉汞短波吸收层、碲镉汞阻挡层和碲镉汞中波吸收层，所述碲镉汞...
王经纬高达王丛刘铭强宇周立庆
文献传递
一种硅基复合衬底的外延方法
本发明公开了一种硅基复合衬底的外延方法，具体包括以下步骤：在硅片上外延碲化镉形成硅基复合衬底；在分子束外延系统的腔室中，在碲束流的保护下，对硅基复合衬底进行高低温退火，高低温退火包括升温过程和降温过程。借助于本发明的技术...
王丛刘铭王经纬高达强宇
文献传递
全选 清除 导出
共10页<12345678910>
聚类工具0