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吴宽

作品数：5 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
相关领域：电子电信化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇中文专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程

主题

  • 5篇功率器件
  • 5篇半导体
  • 5篇半导体功率器...
  • 2篇电导
  • 2篇锗硅
  • 2篇势垒
  • 2篇势垒层
  • 2篇双极型
  • 2篇双极型晶体管
  • 2篇闩锁
  • 2篇磷化铟
  • 2篇晶体管
  • 2篇绝缘栅
  • 2篇绝缘栅双极型...
  • 2篇开关时间
  • 2篇空穴
  • 2篇衬底
  • 1篇杂质离子
  • 1篇退火
  • 1篇退火时间

机构

  • 5篇电子科技大学

作者

  • 5篇肖璇
  • 5篇吴宽
  • 5篇李泽宏
  • 5篇张超
  • 2篇姜贯军
  • 2篇谢加雄
  • 2篇李婷
  • 2篇刘小龙
  • 2篇余士江
  • 2篇谢家雄
  • 1篇杨文韬
  • 1篇单亚东

年份

  • 2篇2012
  • 3篇2011
共 5 条 记 录，以下是 1-5
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排序方式：
一种功率器件背面热退火时对正面金属图形的保护方法
一种功率器件背面热退火时对正面金属图形的保护方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在完成功率器件正面制作工艺之后，先在功率器件正面金属图形表面涂覆一层有机硅树脂，有机硅树脂经预热固化之后，再进行功率器件背面制作工艺，待...
李泽宏张超杨文韬单亚东肖璇吴宽
一种增强型平面绝缘栅双极型晶体管
一种增强型平面绝缘栅双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域。本发明在现有增强增强型平面绝缘栅双极型晶体管基础上，引入一个由P<Sup>+</Sup>体区和槽型金属化发射极构成的空穴旁路结构；在传统平面非穿通型绝缘栅双极...
李泽宏张超肖璇吴宽姜贯军余士江谢家雄
文献传递
一种功率器件衬底背面的离子注入方法
一种功率器件衬底背面的离子注入方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在完成功率器件正面工艺步骤后，在完成离子注入(离子注入之前可对衬底背面进行减薄或不减薄处理)和离子激活后，不像传统工艺直接进行金属铝层淀积，而是采用腐...
李泽宏肖璇张超吴宽谢加雄李婷刘小龙
文献传递
一种功率器件衬底背面的离子注入方法
一种功率器件衬底背面的离子注入方法，属于半导体功率器件技术领域。本发明在完成功率器件正面工艺步骤后，在完成离子注入(离子注入之前可对衬底背面进行减薄或不减薄处理)和离子激活后，不像传统工艺直接进行金属铝层淀积，而是采用腐...
李泽宏肖璇张超吴宽谢加雄李婷刘小龙
一种增强型平面绝缘栅双极型晶体管
一种增强型平面绝缘栅双极型晶体管，属于半导体功率器件技术领域。本发明在现有增强增强型平面绝缘栅双极型晶体管基础上，引入一个由P<Sup>+</Sup>体区和槽型金属化发射极构成的空穴旁路结构；在传统平面非穿通型绝缘栅双极...
李泽宏张超肖璇吴宽姜贯军余士江谢家雄
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