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吴建新

作品数:9 被引量:7H指数:2
供职机构:中国科学技术大学化学与材料科学学院中国科学院结构分析重点实验室更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信航空宇航科学技术化学工程更多>>

文献类型

  • 9篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电子电信
  • 3篇理学
  • 1篇化学工程
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇航空宇航科学...

主题

  • 4篇电子能
  • 4篇电子能谱
  • 3篇光电子能谱
  • 2篇光电子能谱研...
  • 2篇硅化物
  • 2篇半导体
  • 2篇催化
  • 1篇电子结构
  • 1篇电子能谱仪
  • 1篇电子偶素
  • 1篇电子谱
  • 1篇原位
  • 1篇真空
  • 1篇正电子
  • 1篇推进剂
  • 1篇能谱
  • 1篇能谱仪
  • 1篇燃烧
  • 1篇燃烧研究
  • 1篇子结构

机构

  • 8篇中国科学技术...
  • 2篇中国科学院
  • 1篇北方交通大学
  • 1篇东南大学
  • 1篇天津大学

作者

  • 9篇吴建新
  • 6篇季明荣
  • 3篇刘先明
  • 2篇许振嘉
  • 2篇麻茂生
  • 2篇朱警生
  • 1篇赵特秀
  • 1篇李疏芬
  • 1篇季航
  • 1篇徐彭寿
  • 1篇王晓平
  • 1篇胡兹甫
  • 1篇徐征
  • 1篇李宝骐
  • 1篇韩荣典
  • 1篇黄志刚
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  • 1篇徐春祥
  • 1篇陆尔东

传媒

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  • 2篇物理
  • 1篇含能材料
  • 1篇Journa...
  • 1篇化学学报
  • 1篇核技术
  • 1篇物理化学学报

年份

  • 1篇1998
  • 1篇1997
  • 2篇1995
  • 1篇1994
  • 1篇1990
  • 3篇1989
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
硫化的MoO_3/γ—Al_2O_3催化剂的表面结构和价态的研究被引量:2
1989年
本文应用XPS、ESR和TEM等手段研究了硫化的MoO_3/γ-Al_2O_3催化剂样品,在不同钼含量、不同硫化条件以及进行甲烷反应前后,其表面结构和价态的变化规律。观察到硫化时Mo^(+6)。还原为Mo^(+5)和Mo^(+4)的变化过程。硫化除了生成S^(-2)价态外,还有硫的高价中间态生成。证明了经甲烷化反应后,表面上的MoS_2晶粒明显长大。
伏义路唐曦白黄志刚范崇政季明荣吴建新
关键词:钼催化剂硫化态价态
Nb表面的清洁处理被引量:1
1990年
本文介绍了用电子束加热(1500℃)及同时用氩离子溅射的方法进行金属Nb的表面清洁处理,处理结果良好.
胡兹甫吴建新刘先明季明荣
关键词:
电子能谱仪中金属硅化物的原位制备装置
1989年
本文介绍了在电子能谱仪中为原位制备金属硅化物样品而设计和安装的高温电子束加热装置和石英振子膜厚测量装置,着重介绍了它们的基本原理、结构和使用性能,并以Pd/si 系统为例作了简要说明.
季明荣吴建新
关键词:电子能谱仪金属硅化物
光电子能谱研究O_2和Rb在InSb(111)表面上共吸附被引量:1
1995年
本文利用光电子能谱(XPS和UPS)技术研究了室温TO2和Rb在InSb(111)表面上共吸附,分析了碱金属Rb在InSb(111)表面上吸附的健合状态以及对衬底的催化氢化作用。结果表明,Rb与InSb表面上的Sb发生化学反应,Rb在InSb表面上吸附提高了衬底表面的氧化速率,衬底表面上的In和Sb被氧化,分别生成锑和铟的氧化物。在O2吸附的过程中,还观察到两种Rb的氧化物,即过氧化铷(Rb2O2)和超氧化铷(RbO2)。通过芯能级和价电子的变化,揭示了各种氧离子态(O2-,O,O)的形成。
吴建新麻茂生刘先明朱警生季明荣
关键词:光电子能谱半导体表面
MoSi_2硅化物的形成及电子结构的研究
1989年
利用XPS、UPS、AES、X-光衍射和拉曼散射等技术,研究了在稳态热退火条件下共溅射的Mo-Si合金膜,硅化物的形成及电子结构特性.
李宝骐季明荣吴建新许振嘉阎江
关键词:金属半导体界面光电子谱硅化物
K在InP(100)表面吸附及界面反应的同步辐射光电子能谱研究
1995年
利用同步辐射光电子能谱研究了K在p型InP(100)表面的吸附及其界面反应.由K吸附过程中In4d和P2p芯能级谱的变化发现:在碱金属K吸附于p型InP(100)表面的过程中,K—P之间发生了化学反应,形成K—P化合物,当K覆盖度0>210Sec时稳定的K—P化合物基本形成,此时P2p峰的峰形和峰位基本保持不变.K—In之间无明显的化学反应发生,但在K的吸附过程中,碱金属K对In有置换反应发生,使In偏析到InP(100)的表面.InP(100)表面的K吸附层引起了能带弯曲.能带弯曲的值为0.75eV.偏析到InP(100)表面的In的悬挂键空态被来自于碱金属K的外层电子所填充,形成一个半满的表面态.正是这个半满的表面态是引起能带弯曲和Fermi能级钉扎。
季航赵特秀徐彭寿王晓平吴建新陆尔东许振嘉
关键词:磷化铟光电子能谱
SrS/α-SiO_2界面的XPS研究被引量:1
1998年
TFEL器件中绝缘层与发光层之间的界面对电荷的输运特性、发光特性等有着十分重要的作用.本文通过XPS的测量,分析了新结构器件中SrS/a-SiO_2界面的各成分的芯电子能谱的变化和深度分布,发现Sr^(2+)向SiO_2中扩散较深并以氧化物的形态存在,介质层以SiO_x(x=1.65~1.70)的形态存在.这些丰富的界面态有可能成为TFEL器件的初电子源而对SrS:Ce发光有贡献.
徐春祥徐征徐叙瑢娄志东吴建新季明荣
关键词:XPSTFEL器件蓝光
飞行时间法测量真空电子偶素产额研究低能离子溅射诱导的缺陷损伤
1994年
利用飞行时间谱直接测量了低能正电子与表面相互作用时的真空Ps产额.该方法比通常的峰法和峰-谷法准确、简单:利用该方法研究了Ar+溅射在Si(100)面上诱导的缺陷损伤及退火行为。
朱警生麻茂生刘先明吴建新周先意徐纪华南征翁惠民韩荣典
关键词:溅射正电子
光电子能谱和X射线能谱在推进剂催化燃烧研究中的应用被引量:2
1997年
应用光电子能谱和X射线能谱技术,测试固体推进剂燃烧前及中止燃烧后推进剂表面成分和化学状态变化,以研究添加少量铅、铜化合物和炭黑的催化燃烧过程。结果表明,铅盐能够提高燃烧速度,这是由于其分解产物PbO/Pb具有催化作用,使得推进剂表面易于生成含碳物质。
李疏芬吴建新
关键词:光电子能谱固体推进剂
共1页<1>
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