周继承
- 作品数：225 被引量：571H指数：11
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- 相关领域：电子电信一般工业技术冶金工程自动化与计算机技术更多>>
- 一种双天线增强线形微波等离子体源
- 本发明公开一种双天线增强线形微波等离子体源，包括屏蔽罩，载板，微波电源和与微波电源相连通的T型功率分配器；屏蔽罩为梯形结构，且屏蔽罩不设底板；载板设置于屏蔽罩正下方；T型功率分配器另两端分别与一微波天线连通，且两微波天线...
- 周继承徐伟黄静廖佳冯天舒
- 文献传递
- 化学法结合快速热处理制备CuInSe_2粉末
- 2011年
- 以金属氯化物、Se粉为原料,在有机溶剂中经过回流反应合成前驱物,再经快速热处理制备了CuInSe2粉末.采用XRD、Raman光谱、TG-DTA、SEM、EDS对前驱物和样品的各种性质及工艺条件对产物的影响进行了分析和研究.结果表明:以乙二胺为溶剂时回流反应产物适宜作为制备CuInSe2粉末的前驱物,其通过快速热处理可以有效制备单相黄铜矿型CuInSe2粉末;提高热处理温度和增加热处理时间均有利于CuInSe2的完全形成和结晶质量的改善,但热处理时间的延长对产物微观形貌有不良影响,600℃/30min是较佳的热处理条件.
- 巩小亮周继承李绍文
- 关键词：太阳能电池粉末
- 一种多晶硅铸锭炉用铸锭装置
- 本实用新型公开一种多晶硅铸锭炉用铸锭装置，包括石英坩埚，所述石英坩埚内部两侧可拆卸连接有石英板，所述石英坩埚顶部可拆卸连接有盖体，所述石英坩埚外部套设有石墨护板，所述石墨护板外部套设有加热器，所述石墨护板与所述加热器之间...
- 周继承冯天舒
- 文献传递
- 烧结温度对Al_2O_3/SiC(n)纳米复相陶瓷性能的影响被引量：3
- 2004年
- 采用极性分散剂 ,在微米Al2 O3 基体中加入SiC纳米颗粒 ,用真空热压烧结法制备出Al2 O3 /SiC(n)纳米复相陶瓷 ;研究了烧结温度对氧化铝纳米复相陶瓷性能的影响。研究结果表明 :烧结温度的不同使得烧结后Al2 O3 /SiC(n)
- 晏建武周继承张志华鲁世强袁永瑞
- 关键词：纳米复相陶瓷烧结温度真空热压烧结
- 基于量子元胞自动机的逻辑电路被引量：2
- 2001年
- 简述了量子元胞自动机 (QCA)的理论及其逻辑电路的实现方式。每个量子元胞包含两个电子 ,它们通过库仑相互作用与邻近元胞耦合。每个量子元胞上的电荷分布趋于沿两垂直轴的某一轴向分布 ,可以以此来表达二进制信息。
- 何红波周继承胡慧芳李义兵
- 关键词：量子元胞自动机逻辑电路数字电路
- Si^+/B^+双注入单晶硅的快速热退火
- 1999年
- 用四探针法、扩展电阻法、背散射沟道谱和二次离子质谱等测试分析手段研究了Ｓｉ＋ ／Ｂ＋ 双注入单晶硅的快速热退火行为。结果表明：Ｓｉ＋ 预非晶化注入能有效地抑制注入硼原子的沟道效应；快速热退火Ｓｉ＋ ／Ｂ＋ 注入样品，其注入损伤基本消除，残留二次缺陷少，硼原子电激活率高；优化与控制快速热退火条件和Ｓｉ＋ ／Ｂ＋ 注入参数，制备出了电学特性优良的浅ｐ＋ ｎ 结，其二极管反偏漏电流仅为１．９ ｎＡ·ｃｍ － ２（－ １．４Ｖ）。
- 周继承
- 关键词：快速热退火单晶硅
- 新成形剂流变性能及其热脱脂特性被引量：8
- 1998年
- 对新开发的几种硬质合金挤压成形剂的流变性能与脱脂行为进行了深入的研究，发现成形剂的设计及混炼决定其流变性能与脱脂行为，合理地选择成形剂的组成及配比是挤压成形新工艺技术的关键。实验条件下测得成形剂组织均匀，粘流活化能在８０～１１５ｋＪ／ｍｏｌ之间，粘度对温度的依赖性较小；在热脱脂时，成形剂脱除速率较均匀。
- 周继承黄伯云吴恩熙曲选辉李益民
- 关键词：成形剂流变学热脱脂粉末冶金
- 钨基高比重合金的制备研究进展综述被引量：9
- 2004年
- 综述了当前国内外钨基高比重合金制备的研究进展,介绍了WHAs制备工艺中存在的问题和当前(?)究方向。采用机械合金化制取纳米预合金粉是WHAs制备取得突破性进展的新工艺之一;活化烧结和二步烧结(?)著改善其力学性能;纳米粉末烧结技术的关键就是在得到全致密合金的同时,保持材料的纳米结构才能对性能(?)大的贡献。
- 晏建武周继承鲁世强李鑫胡春文马燕青郭浩
- 关键词：制取活化烧结纳米粉末高比重合金预合金粉机械合金化
- 集成电路可靠性电迁移评估技术被引量：6
- 2006年
- 随着VLSI集成度的提高,金属化互连线的几何尺寸亦不断缩小,电迁移成为更为严重的可靠性问题,电迁移评估技术也越来越多。本文全面地总结了各种电迁移评估技术。
- 江清明何小琦杨春晖周继承
- 关键词：电迁移低频噪声
- 沉积参数及退火条件对AlN薄膜电学性能的影响被引量：4
- 2007年
- 利用射频反应磁控溅射在Si(100)基底上沉积AlN介质薄膜,并在不同温度下对薄膜进行快速退火。通过抗电强度测试仪、电容电压测试C-V、X射线衍射仪、电子能谱仪、原子力显微镜和椭圆偏振仪等研究薄膜的击穿电压、介电常数、晶体结构、化学成分、表面形貌及薄膜的折射率。结果表明:溅射功率和溅射气压对薄膜的击穿电压有很大的影响,溅射功率为250 W,气压为0.3 Pa时薄膜的抗电性能较好;薄膜的成分随溅射气压发生变化,N与Al摩尔比最高达到0.845;随退火温度的增加,薄膜晶体结构发生非晶—闪锌矿—纤锌矿的转变;薄膜的折射率随退火温度的升高而增加。
- 周继承胡利民
- 关键词：ALN薄膜磁控溅射击穿电压快速退火
