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夏燕杰

作品数:8 被引量:7H指数:2
供职机构:中国科学院长春应用化学研究所更多>>
发文基金:国家自然科学基金吉林省科技发展计划基金更多>>
相关领域:理学电气工程更多>>

文献类型

  • 7篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 7篇理学
  • 1篇电气工程

主题

  • 6篇电解质
  • 6篇固体电解质
  • 3篇电导
  • 3篇电导率
  • 3篇CE
  • 2篇烧结温度
  • 2篇烧结助剂
  • 2篇晶界
  • 2篇SM
  • 2篇CE0
  • 2篇MO
  • 2篇掺杂
  • 2篇X
  • 1篇导电
  • 1篇等离子
  • 1篇电性能
  • 1篇氧化钼
  • 1篇氧化铈
  • 1篇氧离子
  • 1篇氧离子导体

机构

  • 8篇中国科学院
  • 7篇长春工业大学
  • 1篇辽东学院

作者

  • 8篇孟健
  • 8篇夏燕杰
  • 7篇周德凤
  • 3篇赵桂春
  • 2篇朱建新
  • 2篇于丹
  • 1篇李朝辉
  • 1篇韩琳
  • 1篇吕敏峰
  • 1篇杨梅
  • 1篇宁德争
  • 1篇梁鹏
  • 1篇武晓杰
  • 1篇邓孝龙

传媒

  • 3篇无机化学学报
  • 2篇物理化学学报
  • 1篇高等学校化学...
  • 1篇长春工业大学...

年份

  • 2篇2011
  • 2篇2010
  • 1篇2009
  • 3篇2008
8 条 记 录,以下是 1-8
排序方式:
掺杂MoO_3对Ce_(0.8)Nd_(0.2)O_(1.9)固体电解质结构与电性能的影响被引量:1
2010年
采用溶胶凝胶方法将过渡金属氧化物MoO3加入到Ce0.8Nd0.2O1.9体系中,讨论MoO3的掺杂对微观结构及电性能的影响。通过X-射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)等手段对氧化物进行结构表征,交流阻抗谱测试电性能。结果表明:烧结过程中MoO3在晶粒边缘形成液相,增加了晶粒间浸润性,晶粒间位置重排并接触,晶界滑移加快,促使材料致密化,晶界体积分数降低;总电导率和晶界电导率因晶界电阻减少而提高。600℃时,NDC的σt和σgb分别为6.42×10-3和2.03×10-2S·cm-1,加入MoO3后材料的σt提高约1.5倍,σgb提高约4倍。MoO3是NDC体系理想的烧结助剂。
周德凤朱建新夏燕杰赵桂春孟健
关键词:固体电解质烧结助剂
Mo的掺杂对Ce0.8Gd0.2O1.9烧结温度及电性能的影响
2008年
掺杂的CeO2基固体电解质因其在中低温条件下(500-700℃)具有高氧离子电导率而成为有希望的IT-SOFCs(intermediate temperature-solid oxide fuel cell)电解质材料,其中Sm、Gd掺杂的体系由于具有较高电导率而研究最多。
周德凤夏燕杰梁鹏孟健
关键词:固体电解质晶界掺杂
MoO3和SiO2掺杂对Ce0.8ND0.2O1.9固体电解质结构和导电性能的影响被引量:2
2011年
采用溶胶-凝胶法合成高纯(<50 mg·kg-1 SiO2)Ce0.8Nd0.2O1.9(NDC)和SiO2含量为500 mg·kg-1的Ce0.8Nd0.2O1.9(NDCSi)体系,将1mol%MoO3分别加入到NDC和NDCSi体系,比较研究MoO3掺杂对体系微观结构和电性能的影响。通过X射线衍射(XRD)和场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)对材料进行表征,交流阻抗(AC)分析仪测试材料的电阻。结果表明:MoO3和SiO2的加入均没有破坏体系的立方莹石结构;MoO3掺杂能提高NDC和NDCSi陶瓷材料的致密度,提高其晶界电导率和总电导率;MoO3掺入NDC体系具有烧结助剂的作用,掺入NDCSi体系既具有烧结助剂的作用,又具有晶界改善剂的作用。
赵桂春周德凤杨梅夏燕杰孟健
关键词:烧结助剂电导率
放电等离子烧结制备Ce_(0.8)Sm_(0.2)O_(2-δ)结构与电性能
2008年
采用溶胶凝胶方法制备Sm掺杂CeO2粉体材料,用放电等离子烧结(SPS)方法和常规烧结方法(CS)进行压片烧制,比较两种烧结方法对材料结构与性能的影响。通过X-射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FE-SEM)等手段对氧化物进行结构表征,交流阻抗谱测试电性能。结果表明,两种烧结方法所得样品均呈现单一的立方莹石结构;SPS烧结样品的晶粒尺寸和密度大于CS烧结样品,SPS烧结样品的晶粒电导率、晶界电导率及总电导率均高于CS烧结样品;550℃时SPS和CS烧结样品的总电导率分别为2.27 s/m和1.87 s/m。放电等离子烧结法是在较低温度下实现快速烧结,制备致密化固体电解质材料的一种有效方法。
于丹周德凤李朝辉夏燕杰孟健
关键词:氧离子导体固体电解质放电等离子烧结
Mo掺杂对高纯Ce1-xNdxO2-x/2(x=0.10,0.15)体系烧结温度及晶界电性能的影响
2008年
用柠檬酸硝酸盐法制备高纯Ce1-xNdxO2-x/2(x=0.10,0.15)固溶体,加入摩尔分数为5%的Mo,研究了Mo掺杂对烧结温度、结构及电性能的影响.通过X射线衍射、电感偶合等离子体和场发射扫描电镜等手段对氧化物进行了结构表征,采用交流阻抗谱测试其电性能.柠檬酸硝酸盐法制备的前驱体经1450℃烧结24 h得到致密度大于96%的陶瓷材料;加入5%Mo,在1250℃下烧结8 h即可达到理想的致密度(>95%).加入Mo在烧结过程中可加快晶界迁移,促进晶粒生长,显著提高了晶界电导率.在600℃时Ce0.85Nd0.15O1.925的晶界电导率为2.56 S/m,加入Mo后材料的电导率增加到5.62 S/m.
周德凤朱建新夏燕杰于丹孟健
关键词:固体电解质电导率晶界
Mn,Co掺杂Pb1.2K2Mn1.1COAl32O41晶体的磁各向异性
本文利用熔盐法成功生长出了毫米级化合物单品并分析了元素组成。磁性测试结果表明化合物晶体显示出弱的磁各向异性,该特性在低温或强场下尤为显著。从晶体结构上看,平行于ab晶面内的最近邻的磁性离子经两个氧离子桥联,因此弱的铁磁性...
白一甲夏燕杰邓孝龙韩琳武晓杰吕敏峰孟健
关键词:掺杂改性磁各向异性磁学性质
(Ce_(0.9)Nd_(0.1))_(1-x)Mo_xO_(2-δ)(0.00≤x≤0.10)的合成、表征与电性能(英文)被引量:3
2009年
采用溶胶-凝胶法合成(Ce0.9Nd0.1)1-xMoxO2-δ(x=0.00、0.02、0.05、0.10)氧化物,通过X射线衍射(XRD)、场发射扫描电镜(FESEM)等手段对氧化物进行结构表征,交流阻抗谱测试电性能.结果表明:所有样品均为单一萤石立方结构;少量MoO3的加入提高了材料的致密性,降低了材料的总电阻、晶界电阻和晶界电阻在总电阻中所占比例,提高了材料的电导率.1200℃烧结样品24h,测试温度700℃时,(Ce0.9Nd0.1)1-xMoxO2-δ(x=0.00)总电导率和晶界电导率分别为0.05和0.19S·m-1,掺Mo材料(Ce0.9Nd0.1)1-xMoxO2-δ(x=0.02)的总电导率和晶界电导率分别为2.42和3.96S·m-1.
夏燕杰周德凤孟健
关键词:氧化钼
MgO掺杂Ce_(0.9)Sm_(0.1)O_(2-δ)固体电解质的结构和电性能被引量:2
2010年
采用溶胶-凝胶法合成SiO2含量为5.0×10-4(w)的Ce0.9Sm0.1O2-δ(SDC)粉体(SDCSi),并将0-3.0%(x)MgO分别加入到SDCSi陶瓷粉体中,用X射线衍射(XRD)和场发射扫描电子显微镜(FE-SEM)对材料进行表征,用交流阻抗谱(AC)测试材料的电性能.结果表明:MgO掺杂能使SDCSi的烧结温度降低100-200℃,提高陶瓷材料的致密度;清除或降低陶瓷材料晶界处SiO2杂质的有害影响,显著提高晶粒/晶界电导率和总电率;MgO掺杂到SDCSi具有烧结助剂和晶界杂质清除剂的双重作用.
宁德争周德凤夏燕杰赵桂春孟健
关键词:固体电解质清除剂电导率
共1页<1>
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