姜春香
- 作品数：4 被引量：4H指数：2
- 供职机构：苏州大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学电气工程电子电信更多>>
- Co-Pi和Cu_2O共修饰TiO_2薄膜及其光电化学性质研究
- 2014年
- 用阳极氧化法在Ti基片上制备出TiO2薄膜,然后通过电化学沉积法将Co-Pi和Cu2O沉积在TiO2薄膜表面.通过扫描电镜、X-射线衍射和光电化学性质测试,发现TiO2薄膜表面先沉积Co-Pi能够有效阻止Cu2O颗粒堆积,光电流显著提高.而先沉积Cu2O后沉积Co-Pi,则会使Cu2O还原为Cu,同时形貌发生改变.特别地,沉积300秒Co-Pi后再沉积Cu2O颗粒,能得到200 mA/cm2的最大光电流.
- 姜春香沈明荣
- 关键词：TIO2薄膜电化学沉积光电化学性质
- 偏压控制Cu_2O和Cu在TiO_2表面的生长及其光电化学性质(英文)被引量：2
- 2014年
- 基于TiO2/Ti电极在含Cu2+溶液中的循环伏安图,调节电沉积的沉积电压,我们在TiO2平整表面制备出Cu2O和/或Cu颗粒.通过扫描电镜(SEM)、X射线衍射(XRD)和X射线光电子能谱(XPS)表征,发现Cu2O和Cu有不同的生长机制:Cu2O颗粒在TiO2表面分散结晶,而Cu颗粒是在已生长的颗粒上成核,从而形成堆积颗粒结构.这是由于在Cu2O/TiO2界面和Cu/TiO2界面形成不同的能带结构,使得电子的转移方式不同.与纯TiO2光阳极比较,可以观察到Cu2O/TiO2和Cu/TiO2异质结构的光电流均有显著增强.特别地,存在一个电压区间使得Cu2O和Cu同时生长在TiO2表面,此时对应的光电流比较稳定并且能达到最大.紫外-可见(UV-Vis)漫反射光谱、电化学阻抗谱(EIS)和光电流-电压特性曲线均显示,Cu2O和Cu明显有助于光的可见光吸收,同时Cu/TiO2在光电转换过程中显示更宽波段的可见光利用率.此外,开路电压的增加、有效的电荷分离和电极/电解质界面上载流子的快速迁移也增强了材料的光电化学性质.
- 姜春香胡玉祥董雯郑分刚苏晓东方亮沈明荣
- 关键词：氧化亚铜电化学沉积光电化学性质二氧化钛薄膜
- 偏压控制Cu2O和Cu在TiO2表面的生长及其光电化学性质研究
- 二氧化钛(TiO2)具有良好的光敏、气敏、压敏、化学稳定性,高的折射率(锐钛矿为2.5,金红石为2.7)和介电常数,优越的太阳能转换和光催化等性能,是太阳能电池、光子晶体、光催化、气体传感器、电致变色和自清洁材料等领域被...
- 姜春香
- 关键词：氧化铜二氧化钛薄膜电化学沉积光电化学性质
- 文献传递
- 氢氟酸腐蚀对α-Fe_2O_3薄膜光解水电极光电化学性质的影响（英文）被引量：2
- 2014年
- 使用溶胶-凝胶法制备了α-Fe2O3薄膜,研究了氢氟酸腐蚀薄膜表面对其光电化学性质的影响.实验发现,薄膜表面的孔洞和间隙随着氢氟酸浸蚀时间的增长而发生变化.氢氟酸浸蚀5 min,α-Fe2O3电极的光电流降低;随后随浸蚀时间增加而迅速增加;当浸蚀时间大于15 min时,其光电流再次下降,但对浸蚀过的样品再次退火可以使光电流大幅增加.通过电化学交流阻抗谱、拉曼和X射线光电子能谱分析,提出了两个影响光电流的因素:氢氟酸表面浸蚀造成薄膜表面的多孔性和结晶度降低.为此,通过示意图解释了结合浸蚀和退火后处理两个步骤来增强α-Fe2O3薄膜光解水电极光电活性的原理.相对于初始的α-Fe2O3电极,浸蚀并且再退火处理后,其光电性质更加稳定.
- 胡玉祥姜春香方亮郑分刚董雯苏晓东沈明荣
- 关键词：表面处理光电化学性质
