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孔欣

作品数：11 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇中文专利

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 6篇刻蚀
  • 6篇光刻
  • 4篇电子束光刻
  • 3篇等离子体
  • 3篇欧姆接触
  • 2篇电场
  • 2篇电场分布
  • 2篇电场强度
  • 2篇电子扫描
  • 2篇电阻
  • 2篇对等离子体
  • 2篇亚微米
  • 2篇栅结构
  • 2篇深亚微米
  • 2篇势垒
  • 2篇微米
  • 2篇显影
  • 2篇漏电
  • 2篇金丝
  • 2篇晶体管

机构

  • 11篇中国科学院微...

作者

  • 11篇孔欣
  • 11篇魏珂
  • 11篇刘新宇
  • 9篇刘果果
  • 3篇黄森
  • 3篇樊杰
  • 2篇欧阳思华
  • 2篇李艳奎
  • 2篇郑英奎
  • 2篇黄俊
  • 2篇赵妙
  • 2篇王兵

年份

  • 3篇2016
  • 5篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2011
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种深亚微米U型栅槽的制作方法
本发明公开了一种深亚微米U型栅槽的制作方法，该方法包括：在半导体外延材料表面生长栅介质；在栅介质上匀胶；对电子束光刻胶进行曝光及显影；对电子束光刻胶进行回流烘胶，固化胶截面形成刻蚀窗口；采用ICP刻蚀工艺对栅介质进行刻蚀...
刘果果魏珂孔欣刘新宇
文献传递
一种制作U型栅脚T型栅结构的方法
本发明公开了一种制作U型栅脚T型栅结构的方法，该方法包括：在器件做完源漏和隔离后，在器件表面制备SiN<Sub>x</Sub>钝化层；使用ZEP520A电子束光刻胶对器件进行曝光显影得到刻蚀窗口；刻蚀SiN<Sub>x<...
孔欣魏珂刘新宇黄俊刘果果
一种GaN基半导体器件欧姆接触高压可靠性的评价方法
本发明公开了一种GaN基半导体器件欧姆接触高压可靠性的评价方法，包括：在待检测GaN基半导体器件上形成多组传输线测试图形，每组传输线测试图形包括多个相同的、间隔分布的电极；采用金丝将所述多组传输线测试图形串联；获取单组的...
赵妙刘新宇魏珂孔欣王兵郑英奎李艳奎欧阳思华
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一种降低背孔工艺中对等离子体刻蚀机腔体污染的方法
本发明公开了一种降低背孔工艺中对等离子体刻蚀机腔体污染的方法，包括：在SiC衬底背面溅射或蒸发金属掩膜层；在金属掩膜层上涂敷光刻胶，并烘干；对光刻胶进行光刻形成光刻胶图案；利用形成的光刻胶图案对金属掩膜层进行腐蚀，形成金...
魏珂刘果果孔欣樊杰黄森刘新宇
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一种提高背孔工艺中金属Ni掩膜选择比的方法
本发明公开了一种提高背孔工艺中金属Ni掩膜选择比的方法，该方法是采用Cl基等离子体对形成背孔图形的衬底背面进行表面钝化处理，使得金属Ni掩膜与Cl基等离子体接触的表面形成NiCl<Sub>3</Sub>。本发明通过对Ni...
魏珂刘果果孔欣樊杰黄森刘新宇
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一种氮化镓基场效应晶体管的T型栅的制作方法
本发明公开了一种氮化镓基场效应晶体管的T型栅的制作方法，包括：在衬底表面涂敷电子束光刻胶；对电子束光刻胶进行曝光及显影，形成刻蚀窗口；从形成的刻蚀窗口对衬底进行刻蚀，形成T型栅的细栅图形；蒸发金属薄层，然后二次涂敷电子束...
刘果果魏珂孔欣刘新宇
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一种GaN基半导体器件欧姆接触高压可靠性的检测方法
本发明公开了一种GaN基半导体器件欧姆接触高压可靠性的检测方法，包括：在待检测GaN基半导体器件上形成多组传输线测试图形，每组传输线测试图形包括多个相同的、间隔分布的电极；采用金丝将所述多组传输线测试图形串联；获取单组的...
赵妙刘新宇魏珂孔欣王兵郑英奎李艳奎欧阳思华
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一种降低背孔工艺中对等离子体刻蚀机腔体污染的方法
本发明公开了一种降低背孔工艺中对等离子体刻蚀机腔体污染的方法，包括：在SiC衬底背面溅射或蒸发金属掩膜层；在金属掩膜层上涂敷光刻胶，并烘干；对光刻胶进行光刻形成光刻胶图案；利用形成的光刻胶图案对金属掩膜层进行腐蚀，形成金...
魏珂刘果果孔欣樊杰黄森刘新宇
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一种深亚微米U型栅槽的制作方法
本发明公开了一种深亚微米U型栅槽的制作方法，该方法包括：在半导体外延材料表面生长栅介质；在栅介质上匀胶；对电子束光刻胶进行曝光及显影；对电子束光刻胶进行回流烘胶，固化胶截面形成刻蚀窗口；采用ICP刻蚀工艺对栅介质进行刻蚀...
刘果果魏珂孔欣刘新宇
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一种制作U型栅脚T型栅结构的方法
本发明公开了一种制作U型栅脚T型栅结构的方法，该方法包括：在器件做完源漏和隔离后，在器件表面制备SiN<Sub>x</Sub>钝化层；使用ZEP520A电子束光刻胶对器件进行曝光显影得到刻蚀窗口；刻蚀SiN<Sub>x<...
孔欣魏珂刘新宇黄俊刘果果
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