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孙新格

作品数：3 被引量：1H指数：1
供职机构：河南大学物理与电子学院光伏材料省重点实验室更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇理学
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇电阻
  • 2篇电阻开关
  • 2篇脉冲激光
  • 2篇脉冲激光沉积
  • 2篇MNO
  • 1篇性能研究
  • 1篇氧化物薄膜
  • 1篇随机存取
  • 1篇随机存取存储...
  • 1篇脉冲激光沉积...
  • 1篇金属氧化物薄...
  • 1篇激光沉积
  • 1篇非晶
  • 1篇非易失性
  • 1篇非易失性存储
  • 1篇钙钛矿结构
  • 1篇PLD
  • 1篇SNO
  • 1篇SR
  • 1篇I-V特性

机构

  • 3篇河南大学

作者

  • 3篇孙新格
  • 2篇刘晓娜
  • 2篇张伟风
  • 2篇张婷
  • 1篇丁玲红

传媒

  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 3篇2011
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
非晶Pr_(0.7)Sr_(0.3)MnO_3薄膜的电阻开关性质被引量：1
2011年
采用脉冲激光沉积法在SnO2:F(FTO)衬底上制备了非晶Pr0.7Sr0.3MnO3(PSMO)薄膜,并对具有Au/非晶PSMO/FTO三明治结构的器件进行了阻变特性测试。结果显示:在低电压范围扫描时,非晶PSMO薄膜的电流–电压(I-V)回线只在负电压区域呈现;随着电压的增加,薄膜的I-V回线出现在整个电压范围内,并在"0 V"和"–1 V"左右交叉了两次。分析表明:Poole-Frenkel(P-F)和Ohmic输运机制对非晶PSMO薄膜中的电荷输运起决定作用,包含高密度缺陷的界面态对载流子的俘获与去俘获导致了非晶PSMO薄膜的I-V特性。
刘晓娜张婷孙新格丁玲红张伟风
关键词：非易失性存储I-V特性
SnO_2:F沉积的La_(0.67)Sr_(0.33)MnO_3薄膜的电阻开关特性研究
2011年
采用脉冲激光沉积技术在SnO2:F(FTO)衬底上制备了La0.67Sr0.33MnO3(LSMO)薄膜。室温下利用直流电压对Au/LSMO/FTO三明治结构的器件进行了电化学测试。结果显示样品具有明显的双极性电阻开关性能。通过对I-V特性曲线进行分析,认为在高阻态时肖特基势垒和空间电荷限制电流输运机制调控。在高场区,电阻开关的高低阻态现象由电子陷阱中心分布的不对称引起的空间电荷限制电流理论来解释。
孙新格张婷刘晓娜张伟风
关键词：激光沉积电阻开关LA0.67SR0.33MNO3
钙钛矿结构金属氧化物薄膜的电阻开关性能研究
随着传统存储器件的尺寸越来越达到其缩放极限，下一代新型的非易失性存储器件应运而生，其中包括相变存储器、聚合体存储器、磁存储器和电阻存储器。在这些存储器中，电阻随机存取存储器由于其具有结构简单、存储密度高、低功耗、写入和擦...
孙新格
关键词：钙钛矿结构金属氧化物薄膜随机存取存储器脉冲激光沉积
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