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宋元伟
作品数:
3
被引量:10
H指数:2
供职机构:
中国科学院上海硅酸盐研究所
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相关领域:
一般工业技术
电气工程
化学工程
电子电信
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合作作者
方平安
中国科学院上海硅酸盐研究所
顾辉
中国科学院上海硅酸盐研究所
潘晓明
中国科学院上海硅酸盐研究所
王评初
中国科学院上海硅酸盐研究所
沈辉
中国科学院上海硅酸盐研究所
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掺杂(Fe、Nb)SrTiO_3晶界组成的电子能量损失谱(EELS)分析
被引量:2
2002年
采用高空间分辨率扫描透射电镜(STEM)对掺杂(Fe3+、Nb5+)SrTiO3晶界进行了观察,并利用采集的电子能量损失谱(EELS)对晶界组成进行了分析.结果表明,掺杂Fe的SrTiO3陶瓷晶界存在1nm左右的非晶膜,同晶体内部相比晶界缺Sr;三叉晶界为钛基玻璃相,Ti、O及Fe含量明显高于晶界.掺Nb的SrTiO3陶瓷晶界同晶粒相比同样缺Sr,三叉晶界主要以SiO2非晶相为主.Fe3+、Nb5+对Ti4+的替位及在晶界的偏析引起SrTiO3晶格畸变是导致晶界组成变化的主要原因.
方平安
顾辉
宋元伟
关键词:
EELS
SRTIO3
掺杂
钛酸锶
电子能量损失谱
掺杂(Fe、Nb)SrTiO3晶界组成的电子能量损失谱(EELS)分析
采用高空间分辨率扫描透射电镜(STEM)对掺杂(Fe <'3+>、Nb <'5+>) SrTiO <,3>晶界进行了观察,并利用采集的电子能量损失谱(EELS)对晶界组成进行了分析.结果表明,掺杂Fe的SrTiO <,3...
方平安
顾辉
宋元伟
关键词:
掺杂
偏析
电子能量损失谱
文献传递
低温一次烧结高介电常数晶界层电容器材料
被引量:8
2002年
报道了一种在较低温度一次烧结制备的具有高介电常数,较低损耗和良好显微结构的晶界层电容器材料(简称GBBLC)。材料的有效介电常数高达37×10^4,损耗可控制在4%,晶粒5μm左右,△C/C<±3%(20-150℃),频率色散较小,且制备工艺简单。
沈辉
潘晓明
宋元伟
奚益明
王评初
关键词:
介电常数
SRTIO3
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