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宋明辉

作品数：6 被引量：3H指数：1
供职机构：华中科技大学更多>>
相关领域：电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 5篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 3篇电气工程

主题

  • 6篇电池
  • 6篇太阳能电池
  • 5篇太阳能
  • 2篇阳光
  • 2篇太阳
  • 2篇太阳光
  • 2篇缺陷密度
  • 2篇外延层
  • 2篇高效太阳能电...
  • 2篇光电转换
  • 2篇光电转换效率
  • 2篇光致
  • 2篇光致发光
  • 2篇硅衬底
  • 2篇发光
  • 2篇GAAS/G...
  • 2篇INGAP
  • 2篇衬底
  • 2篇GAAS
  • 1篇牺牲

机构

  • 6篇华中科技大学

作者

  • 6篇宋明辉
  • 5篇吴志浩
  • 3篇陈长清
  • 3篇熊晖
  • 3篇余晨辉
  • 3篇戴江南
  • 3篇方妍妍

年份

  • 3篇2012
  • 3篇2010
共 6 条 记 录，以下是 1-6
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排序方式：
一种GaAs单结太阳能电池
本发明公开了一种GaAs单结太阳能电池，在电池外延层的表面形成有电极和双层减反膜，双层减反膜的上层膜采用折射率小于下层膜的材料，下层膜采用折射率位于上层膜和窗口层折射率之间的光致发光材料。光致发光材料能够吸收GaAs不能...
宋明辉吴志浩
在硅衬底上生长InGaP/GaAs/Ge三结太阳能电池的方法
本发明提供一种在硅衬底上生长InGaP/GaAs/Ge三结太阳能电池的方法，首先在硅衬底上外延生长组分渐变的Ge<Sub>x</Sub>Si<Sub>1-x</Sub>应力过渡层，然后在应力过渡层上形成应力完全弛豫的Ge...
吴志浩宋明辉陈长清方妍妍戴江南余晨辉熊晖
文献传递
在硅衬底上生长InGaP/GaAs/Ge三结太阳能电池的方法
本发明提供一种在硅衬底上生长InGaP/GaAs/Ge三结太阳能电池的方法，首先在硅衬底上外延生长组分渐变的Ge<Sub>x</Sub>Si<Sub>1-x</Sub>应力过渡层，然后在应力过渡层上形成应力完全弛豫的Ge...
吴志浩宋明辉陈长清方妍妍戴江南余晨辉熊晖
一种GaAs单结太阳能电池
本发明公开了一种GaAs单结太阳能电池，在电池外延层的表面形成有电极和双层减反膜，双层减反膜的上层膜采用折射率小于下层膜的材料，下层膜采用折射率位于上层膜和窗口层折射率之间的光致发光材料。光致发光材料能够吸收GaAs不能...
宋明辉吴志浩
文献传递
一种InGaP/GaAs/InGaAs三结薄膜太阳能电池的制备方法
本发明提供一种InGaP/GaAs/InGaAs三结薄膜太阳能电池的制备方法，首先在Ge或GaAs衬底上外延生长顶部InGaP子电池和中部GaAs子电池，然后生长In组分渐变的InGaP或InGaAs应力过渡层，并在此应...
吴志浩宋明辉陈长清方妍妍戴江南余晨辉熊晖
文献传递
聚光多结太阳能电池的设计、制备及可靠性研究
随着全球能源危机和环境污染的日益加剧,开发利用新型可再生清洁能源已经成为人们生产、生活,维持社会可持续发展的迫切需求。近年来开发利用太阳能,光伏发电技术已经吸引了人们的普遍关注,其中聚光光伏发电技术以其独特的优势,如较高...
宋明辉
关键词：太阳能电池
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