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机构

  • 6篇中国电子科技...

作者

  • 6篇宋静
  • 3篇唐亮
  • 2篇吕春明
  • 1篇张立新
  • 1篇陈兴国
  • 1篇马强
  • 1篇汪伟
  • 1篇宋美清
  • 1篇陈新发
  • 1篇宋小弟
  • 1篇汤艳燕
  • 1篇朱华顺

传媒

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  • 1篇电子技术与软...

年份

  • 1篇2018
  • 1篇2014
  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
  • 1篇2007
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
多天线轮流切换实现目标信息提取与精确定位装置
本实用新型涉及汽车防撞雷达精确定位装置。所要解决的问题是:提供一种可对目标障碍物进行相应信息提取和精确定位的多天线轮流切换实现目标信息提取与精确定位装置。包括射频、反馈、中频采样、信号处理和控制与通信单元;其发明点为雷达...
陈新发宋静张立新
文献传递
Ka波段高功率T/R组件的研制
2013年
介绍了一种Ka波段高功率T/R组件。文中论述了组件的设计方案和设计过程,其中采用功率合成技术将两只功率放大器芯片合成实现高功率输出要求。测试数据表明,该T/R组件输出功率达3.5W,满足设计指标。
宋静唐亮
关键词:功率合成
C波段有源变频芯片设计
2014年
本文介绍了一款C波段有源变频芯片。利用PH25GaAs工艺,设计了一款Gilbert混频器,并对流片后的MMIC进行测试,测试和仿真结果较为一致。射频频率为5.3~5.9GHz,中频带宽1—1.5GHz,变频增益大于18dB,端口间隔离度大于32dB,芯片尺寸为3mm×1.4mm。
唐亮宋静马强
关键词:微波单片集成电路
毫米波双通道T/R组件的研制
介绍了毫米波双通道T/R组件的研制,阐述了组件设计中重点考虑的集成度问题以及解决方法,分析了腔体效应和装配工艺。经过设计优化的双通道T/R组件体积小、重量轻,性能优良。
宋静吕春明
关键词:毫米波T/R组件低温共烧陶瓷集成度
文献传递
X波段GaAs PHEMT单片有源上变频器设计
2011年
采用0.25μm GaAs PHEMT工艺研制了一个X波段单片有源上变频器。电路集成了Gilbert混频电路、RF补偿放大器和LO缓冲器,在提高了单片电路集成度的同时,获得了较好的性能指标。实际测试结果表明:变频增益大于10dB;各端口匹配良好,在工作频带内回波损耗小于10dB;1dB增益压缩点输出功率达到4dBm;所需本振功率为-3dBm。
宋静陈兴国唐亮
关键词:GAAS变频增益
共面波导微波延迟线
本实用新型涉及1个4波长和1个16波长共面波导微波延迟线。该微波延迟线包括陶瓷介质板,在其一侧面上设有信号线,信号线的两侧为等宽的缝隙,两侧缝隙外部的陶瓷介质板上均为金属层,沿着信号线两侧缝隙的外部金属层上均布设有金属化...
汤艳燕汪伟吕春明朱华顺宋静宋小弟宋美清
文献传递
共1页<1>
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