尤大纬
- 作品数：15 被引量：14H指数：3
- 供职机构：中国科学院空间科学与应用研究中心更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学航空宇航科学技术更多>>
- 宽束考夫曼离子源的原理及其使用被引量：5
- 1993年
- 宽束考夫曼离子源被广泛地应用于薄膜工艺刻蚀、镀膜、注入诸领域。近20年来考夫曼离子源在我国得到了迅速的发展。至此已有必要提出正确的使用方法。以纠正一些错误的用法。本文给出一些基本概念以利于如何正确选择工作参数以及维修。
- 尤大纬
- 关键词：离子源
- 薄膜加工用考夫曼离子源的几个问题被引量：1
- 1992年
- 近十年来,我国采用离子束刻蚀进行微细加工以及离子束辅助镀膜在电子和光学工业中获得了广泛应用。采用离子束增强镀膜制造超导膜、贮氢合金膜以及离子束注入表面改性等都得到了广泛的研究及应用。在这些先进的工艺中基本上都使用了考夫曼离子源,考夫曼离子源是在空间电推进技术基础上发展起来的,由于要用于空间推进,它必然要具备低气耗、低能耗、高效率、高稳定、长寿命等优点,此外它必须能产生大面积、均匀、强流的离子束。
- 尤大纬
- 离子束增强沉积技术新进展被引量：2
- 1994年
- 介绍离子束增强沉积镀膜技术的国内外主要机型及工艺进展，特别是我们实验室离子束增强镀膜新工艺的进展。
- 尤大纬李文治
- 关键词：离子束注入物理气相沉积离子束增强沉积
- 有关离子束镀膜的几个问题
- 1989年
- 为了提高溅射沉积的速率,减小溅射弥散,节省昂贵靶材的使用,同时也为了降低对沉积簿膜的污染,有必要使用高束流密度的聚焦离子束。通常聚焦束采用向心盘栅把多个最佳聚焦的子束叠加在位于靶中心的焦点上。本文介绍了一种不同能量要求下选择最佳屏极孔孔径,变孔径的导流系数匹配法以及调试焦距的新方法。使用该法在实验中取得以下结果:8cm离子源产生160mA束流,采用聚焦离子光学系统在离源20cm的焦距处取得能量2000eV,最大束流密度28mA/cm^2的离子束流,束斑小于5cm,钨的典型沉积率为47(?)/min。
- 尤大纬
- 关键词：离子束孔径镀膜
- 离子束增强沉积TiB_2薄膜的耐蚀性能研究
- 1996年
- 研究了在紫铜基材上用离子束增强沉积法（ＩＢＥＤ）沉积ＴｉＢ２薄膜后，在６００，７００和８００℃的空气中氧化的动力学曲线；在ＩＮＨ２ＳＯ４溶液中，用动电位扫描法测定了其极化曲线和极化阻力，用ＳＥＭ观察了其形貌，用俄歇电子谱仪（ＡＥＳ）分析了膜的成份，用Ｘ－射线衍射仪（ＸＲＤ）研究了膜的微观结构；讨论了ＴｉＢ２薄膜具有优良耐蚀性的机理。
- 白新德王社管范毓殿况圆珠尤大纬
- 关键词：性能试验二氧化钛
- 用于材料与薄膜表面改性的宽束离子源现状及发展
- 尤大纬冯毓材
- 关键词：离子束改性离子源
- 离子束镀膜聚焦栅
- 1989年
- 为了提高溅射沉积的速率,减小溅射弥散,节省昂贵靶材的使用,同时也为了降低对沉积薄膜的污染,有必要使用高束流密度的聚焦离子束。通常聚焦束采用向心盘栅把多个最佳聚焦的子束叠加在位于靶中心的焦点上。本文发展了一种不同能量要求下选择最佳屏极孔孔径、变孔径的导流系数匹配法。使用该法在实验中取得以下结果:8cm离子源产生160mA束流,采用聚焦离子光学系统在离源20cm的焦距处取得能量2000eV,最大束流密度28mA/cm^2的离子束流,束斑小于5cm,钨的典型沉积率为47A°min。
- 尤大纬
- 关键词：离子束镀膜真空镀膜
- 用于材料改性的宽束离子源现状及其发展被引量：3
- 1996年
- 本文叙述了对材料表面改性的宽束离子源的要求，重点介绍了考夫曼型气体离子源及电子束蒸发强流金属离子源，也介绍了ＲＦ、ＥＣＲ离子源及ＭＥＶＶＡ源。
- 尤大纬冯毓材王宇
- 关键词：离子束材料改性离子源
- 离子束增强沉积制备碳化硼及C-B-Ti化合物薄膜的结构与力学性能的研究
- 1995年
- 利用离子束共混制备具有高硬度、高熔点及良好化学稳定性的C，B化合物（如：碳化硼、硼化钛等），对于采用离子束增强沉积技术进行材料表面改性有重要意义。利用对烧结碳化硼化合物靶进行溅射沉积，同时利用不同能量的Ar+进行轰击的方法，制备了碳化硼及碳、硼、钛混合薄膜，并对它们的结构与力学性能进行了研究。
- 王宇尤大纬夏磊
- 关键词：硬膜碳化硼
- 辅助沉积线状(3×20cm)离子源设计
- 1993年
- 线状离子源适合于大面积材料的连续溅射改性过程。多极场设计技术在3×20cm线状离子源的放电室中有很好的应用。
- 尤大纬李安杰黄小刚
- 关键词：溅射镀膜
