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左青云

作品数：80 被引量：0H指数：0
供职机构：上海集成电路研发中心更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 79篇专利
  • 1篇期刊文章

领域

  • 13篇电子电信
  • 10篇自动化与计算...
  • 2篇一般工业技术

主题

  • 23篇刻蚀
  • 16篇电极
  • 16篇互连
  • 15篇衬底
  • 14篇传感器
  • 13篇淀积
  • 12篇介质层
  • 12篇金属
  • 12篇空气隙
  • 12篇感器
  • 12篇传感
  • 11篇湿度传感器
  • 11篇互连线
  • 11篇存储器
  • 10篇湿敏
  • 10篇湿敏材料
  • 9篇电路
  • 9篇图形化
  • 8篇石墨
  • 8篇叉指电极

机构

  • 80篇上海集成电路...
  • 1篇上海交通大学
  • 1篇中国科学院微...
  • 1篇上海集成电路...
  • 1篇上海华力微电...

作者

  • 80篇左青云
  • 44篇李铭
  • 32篇康晓旭
  • 23篇曾绍海
  • 9篇袁超
  • 8篇黄仁东
  • 5篇卢意飞
  • 5篇林宏
  • 4篇赵宇航
  • 3篇周伟
  • 3篇范春晖
  • 2篇李佳青
  • 2篇王全
  • 2篇师兰芳
  • 1篇易春艳
  • 1篇蒋宾
  • 1篇吕杭炳
  • 1篇朱建军

传媒

  • 1篇现代电子技术

年份

  • 4篇2024
  • 2篇2023
  • 2篇2022
  • 4篇2021
  • 8篇2020
  • 9篇2019
  • 9篇2018
  • 11篇2017
  • 4篇2016
  • 8篇2015
  • 6篇2014
  • 9篇2013
  • 2篇2012
  • 2篇2011
共 80 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
MEMS牺牲层结构制造方法
根据本发明的MEMS牺牲层结构制造方法包括：金属层形成步骤；牺牲层沉积前硅片表面处理步骤，用于改善硅片表面特性；牺牲层沉积步骤，用于沉积牺牲层；支撑孔图形化步骤，用于实现在牺牲层内的支撑孔图形化；以及牺牲层后处理步骤，用...
康晓旭左青云李佳青
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一种形成石墨烯互连线的方法
本发明提供一种形成石墨烯互连线的方法，其包括以下步骤：提供目标衬底；接着在目标衬底上形成均匀且厚度可控的碳源层；在碳源层上淀积金属催化层；然后在预设温度下采用退火工艺将淀积的碳源层转化为石墨烯层；随后去除金属催化层；最后...
左青云康晓旭李铭
一种MEMS麦克风结构及其制造方法
本发明公开了一种MEMS麦克风结构，其包括具有腔体的半导体衬底；具有与腔体相通的通孔的第一介质层；位于通孔上方且至少部分与第一介质层的上表面接触的下电极振动膜，下电极振动膜通过下电极连接部引出；以及具有绝缘层的上电极结构...
袁超康晓旭左青云
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一种基于体硅全包围栅极SOI FinFET的制作方法
本发明公开了一种基于体硅全包围栅极SOI FinFET的制作方法，包括：在硅衬底上依次淀积第一介质层薄膜，第一金属栅薄膜和第一高K金属薄膜；图形化第一高K金属薄膜，形成第一高K金属图形；淀积第二介质层薄膜并平坦化；在上述...
曾绍海黄仁东左青云李铭夏亮
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一种形成空气隙/铜互连的工艺方法
一种形成空气隙/铜互连的工艺方法，其包括提供一半导体衬底，先在半导体衬底上完成CMOS器件前道工艺，接着在半导体衬底上形成常规的第一介质/铜互连结构；采用刻蚀设备刻蚀铜互连线中间的第一介质；其中，在刻蚀第一介质过程中采用...
左青云林宏李铭
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一种湿度传感器及制造方法
本发明公开了一种湿度传感器及制造方法，通过在湿度传感器的叉指电极下面形成开口空腔，使湿敏材料层的底部与外界环境连通，可增加湿敏材料与外界环境之间的接触面积，缩短水分子运动的路径，从而可有效提高湿度传感器的响应速度，提升湿...
左青云康晓旭李铭
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一种接触孔及其制作方法
本发明公开了一种接触孔的制作方法，包括如下步骤：S01：提供衬底，在所述衬底上形成下层导电电极；S02：在所述下层导电电极上沉积第一薄膜层，并在所述第一薄膜层上刻蚀出贯穿所述第一薄膜层的接触大孔；S03：在所述第一薄膜层...
左青云蒋宾卢意飞周伟
一种MEMS湿度传感器的制造方法
本发明属于半导体集成电路制造工艺技术领域，公开了一种MEMS湿度传感器的制造方法，包括以下步骤：首先提供一具有绝缘层的衬底，在绝缘层内形成金属连接线、在绝缘层上表面形成金属叉指电极层、金属焊盘以及钝化层；接着对钝化层以及...
左青云康晓旭李铭
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一种减小FinFET侧墙刻蚀中鳍部损失的方法
本发明公开了一种减小FinFET侧墙刻蚀中鳍部损失的方法，包括以下步骤：步骤S01：提供一半导体衬底，在所述半导体衬底上形成FinFET的鳍部和栅极；步骤S02：淀积侧墙材料，将所述鳍部和栅极覆盖；步骤S03：对所述侧墙...
曾绍海左青云李铭黄仁东
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CMOS影像传感器的深沟槽图形化方法
本发明公开了一种CMOS影像传感器的深沟槽图形化方法，包括：利用标准CMOS工艺在硅衬底上制备光敏元件和用于CMOS器件的多层结构，光敏元件上方定义深沟槽图形，光敏元件上方自下而上制备栅极氧化层、刻蚀阻挡层和互连介质层；...
康晓旭赵宇航袁超左青云
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