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廖庆亮

作品数:185 被引量:124H指数:7
供职机构:北京科技大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:一般工业技术自动化与计算机技术金属学及工艺理学更多>>

文献类型

  • 147篇专利
  • 25篇期刊文章
  • 7篇会议论文
  • 5篇科技成果
  • 1篇学位论文

领域

  • 35篇一般工业技术
  • 16篇自动化与计算...
  • 11篇金属学及工艺
  • 10篇理学
  • 9篇化学工程
  • 9篇文化科学
  • 7篇电气工程
  • 2篇经济管理
  • 2篇电子电信
  • 2篇核科学技术
  • 1篇机械工程
  • 1篇交通运输工程
  • 1篇医药卫生

主题

  • 76篇纳米
  • 26篇传感
  • 25篇石墨
  • 24篇石墨烯
  • 21篇电极
  • 16篇电机
  • 16篇氧化锌纳米
  • 16篇发电机
  • 16篇感器
  • 16篇传感器
  • 14篇纳米材料
  • 13篇静电
  • 12篇电池
  • 11篇金属
  • 10篇吸收材料
  • 10篇纳米发电机
  • 9篇电磁波吸收
  • 9篇离子
  • 8篇电磁波吸收材...
  • 8篇电感应

机构

  • 185篇北京科技大学
  • 5篇中国工程物理...
  • 2篇北京市新能源...
  • 1篇北京师范大学
  • 1篇唐山学院
  • 1篇香港城市大学
  • 1篇鞍钢股份有限...
  • 1篇宝钢集团中央...
  • 1篇国网江苏省电...
  • 1篇全球能源互联...

作者

  • 185篇廖庆亮
  • 180篇张跃
  • 43篇赵璇
  • 41篇黄运华
  • 37篇张铮
  • 31篇齐俊杰
  • 24篇丁一
  • 19篇张光杰
  • 19篇荀晓晨
  • 16篇闫小琴
  • 15篇秦子
  • 12篇顾有松
  • 11篇刘硕
  • 11篇张晓梅
  • 10篇王钦玉
  • 10篇康卓
  • 8篇赵斌
  • 7篇戴英
  • 7篇衣芳
  • 6篇刘娟

传媒

  • 5篇新材料产业
  • 4篇物理学报
  • 3篇科学通报
  • 3篇物理化学学报
  • 2篇强激光与粒子...
  • 2篇工程科学学报
  • 1篇钢铁研究学报
  • 1篇硅酸盐学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇中国体视学与...
  • 1篇中国冶金教育
  • 1篇化学教育(中...
  • 1篇第二届新型太...
  • 1篇第三届新型太...

年份

  • 10篇2024
  • 16篇2023
  • 11篇2022
  • 10篇2021
  • 10篇2020
  • 18篇2019
  • 10篇2018
  • 21篇2017
  • 16篇2016
  • 8篇2015
  • 9篇2014
  • 3篇2013
  • 8篇2012
  • 11篇2011
  • 3篇2010
  • 3篇2009
  • 8篇2008
  • 6篇2007
  • 4篇2006
185 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
一种石墨烯基场发射冷阴极及制备方法
本发明属于真空电子技术和新型碳材料技术的交叉领域,具体涉及一种石墨烯基场发射冷阴极及制备方法。场发射冷阴极由基片和发射体组成,基片作为导电基底为硅片或者金属片,发射体为石墨烯薄膜层。石墨烯薄膜层与基底紧密接触,厚度为20...
张跃王钦玉廖庆亮张铮康卓
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卤素掺杂对钙钛矿薄膜性能的影响
钙钛矿太阳能电池是太阳能光伏器件研究的新热点。钙钛矿材料具有优异的光学和电学性能,其光电转化效率由2009年的3.8%迅速发展到20%以上,短短几年时间其效率已超越了有机太阳能电池和染料敏化太阳能电池[1,2,3]。钙钛...
司浩楠李明华朱文丽郭艳闫小琴廖庆亮张跃
关键词:卤素掺杂稳定性
文献传递
离子插层的人工突触器件及其制备方法
本发明公开了一种离子插层的人工突触器件及其制备方法,涉及类脑器件的技术领域,本发明旨在提出一种能耗更低的人工突触器件的技术方案。本发明包括顺次设置的顶电极、供离子层、阻变层以及底电极,所述阻变层为离子插层的Nb<Sub>...
张跃苏兆洋廖庆亮赵璇荀晓晨刘菁筱宣景悦张珂语
一种引入廉价添加剂制备高质量钙钛矿薄膜的方法
本发明一种引入廉价添加剂制备高质量钙钛矿薄膜的方法。该高质量钙钛矿材料在制备过程中引入铵盐添加剂;所述添加剂可引入到钙钛矿前驱体溶液中或反溶剂中;该种钙钛矿材料结构式为AMX<Sub>3</Sub>,其中A为有机阳离子,...
张跃司浩楠康卓廖庆亮
文献传递
高离子迁移率的Nb<Sub>2</Sub>C导电材料的制备方法
本发明公开了一种高离子迁移率的Nb<Sub>2</Sub>C导电材料的制备方法,涉及类脑半导体的技术领域,本发明旨在提出一种降低MXene材料的离子迁移能壁垒的方案。本发明在制备MXene材料的过程中融合了离子插层技术,...
张跃苏兆洋廖庆亮赵璇荀晓晨刘菁筱宣景悦张珂语
一种复合电磁波吸收材料及制备方法
本发明公开了一种复合电磁波吸收材料及制备方法,属于电磁波吸收材料制备领域。该方法包括以下步骤:取Na<Sub>3</Sub>VO<Sub>4</Sub>和硫代乙酰胺试剂以及氧化石墨烯GO粉末;在GO粉末中加去离子水,超声...
张跃李琪廖庆亮漆露平丁一
文献传递
一种模板热压制备维纳结构表面形貌的方法
本发明涉及纳米技术领域,提供了一种模板热压制备维纳结构表面形貌的方法,包括:一、预处理:对固定基板、压印模板,基底薄膜材料进行清洗;二、组装:将压印模板和基底薄膜材料紧密贴合并使用上下固定基板固定,形成薄膜层‑‑模板层层...
张跃杨闻帅马明园廖庆亮陈步航徐肖慧何奕霖
文献传递
二维氧族元素端基MXene薄膜及其制备方法与类脑半导体器件
本发明公开了一种二维氧族元素端基MXene薄膜及其制备方法与类脑半导体器件,涉及二维MXene薄膜的技术领域,本发明旨在解决类脑半导体器件中二维MXene薄膜存在离子容量小,电学性能难以调控的问题。本发明中将氧族元素端基...
张跃刘亮廖庆亮赵璇苏兆洋
一种锡掺杂氧化锌纳米线的制备方法
一种锡掺杂氧化锌纳米线的制备方法,属于纳米材料制备技术领域。工艺为:将硅(100)基片用清洗剂冲洗干净,作为沉积基片;将ZnO粉、SnO粉和C粉按一定的摩尔比充分混合均匀,混粉工艺可利用球磨的方法,并将混合粉末作为反应源...
张跃陈红升齐俊杰黄运华张晓梅廖庆亮
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钴纳米颗粒与还原氧化石墨烯电磁波吸收材料制备方法
本发明提供一种钴纳米颗粒与还原氧化石墨烯电磁波吸收材料制备方法,属于电磁波吸收材料制备技术领域。该方法用硫酸钴作为钴源或者前驱体,硼氢化钠作为还原剂并且以氨水作为沉淀剂。采用滴定还原的湿化学法,得到磁性金属钴纳米颗粒。然...
张跃李琪廖庆亮漆露平丁一
文献传递
共19页<12345678910>
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