张松斌
- 作品数：10 被引量：17H指数：2
- 供职机构：浙江大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金浙江省分析测试基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- Nd:YAG单晶光纤光学特性研究被引量：7
- 1992年
- 本文测量了用激光加热基座法拉制的Nd:YAG单晶光纤(具有块状晶体)的吸收谱线,荧光谱线等光谱学特性.根据测得的散射特性分析了用该法拉制的单晶光纤的生长缺陷和直径波动及其与单晶光纤质量的关系.
- 张松斌丁祖昌董绵豫周斌和童利民
- 关键词：单晶光纤光学特性激光
- GaP纯绿发光二极管的近红外发光研究被引量：1
- 1993年
- 本文测量了GaP纯绿发光二极管在室温和液氮温度下的近红外发光光谱,观测到许多重叠的宽带发光.按高斯线型对光谱进行拟合,将其分解为6个发光谱峰,讨论了这些深能级发光的来源和它们对GaP发光二极管的发光强度的影响.
- 赵家龙高瑛刘学彦苏锡安丁祖昌毋必先张松斌
- 关键词：近红外发光发光二极管磷化镓
- 单晶光纤损耗测量仪
- 一种单晶光纤损耗测量仪，其特征是设有程控锁相放大器7和微机控制系统9，可测量单晶光纤的损耗系数、透射谱、散射谱以及散射位置谱，被测光纤芯径为100～1000μm，长度为2～40cm，波长从可见光至近红外。系统控制和信息处...
- 董绵豫张松斌童利民
- 文献传递
- 单晶光纤损耗测量仪
- 一种单晶光纤损耗测量仪，其特征是设有程控锁相放大器7和微机控制系统9，可测量单晶光纤的损耗系数、透射谱、散射谱以及散射位置谱，被测光纤芯径为100～1000μm，长度为2～40cm，波长从可见光至近红外。系统控制和信息处...
- 董绵豫张松斌童利民
- 文献传递
- 单晶光纤损耗测量仪
- 一种单晶光纤损耗测量仪，其特征是设有程控锁相放大器7和微机控制系统9，可测量单晶光纤的损耗系数、透射谱、散射谱以及散射位置谱，被测光纤芯径为100～1000μm，长度为2～40cm，波长从可见光至近红外，系统控制和信息处...
- 董绵豫张松斌童利民
- 文献传递
- 磷化镓发光二极管外量子效率的提高及液相外延中镓熔体重复使用研究
- 张松斌
- Al_2O_3单晶光纤生长及光学特性被引量：2
- 1993年
- 本文利用激光加热小基座法(LHPG 法)生长了 Al_2O_3单晶光纤,晶纤直径从100μm 至1mm,直径波动小于2%,长度可达30cm。测量了晶纤的光损耗谱,光散射位置谱;讨论了晶纤直径波动,显微缺陷对光散射的影响。表明 Al_2O_3单晶光纤在近红外波段光损耗主要决定于散射损耗;而晶纤的直径波动和显微缺陷对散射损耗和光学均匀性有很大影响。
- 张松斌董绵豫童利民丁祖昌
- 关键词：氧化铝单晶光纤
- 利用损耗谱测量Nd:YAG单晶光纤中Nd浓度的轴向分布
- Nd:YAG单晶光纤被广泛地用于固体激光器的激活介质,激活介质中激活物质的浓度及其分布是决定激光器质量的一个重要因素。因此,测量并控制掺杂物质在晶纤中的浓度分布是一项重要的工作。
- 童利民董绵豫陈继勤丁祖昌张松斌
- 文献传递
- 单晶光纤损耗谱测量装置被引量：8
- 1991年
- 本文描述了一套用以测量单晶光纤损耗谱的装置。本装置由卤钨灯,单色仪,积分球,AgORbCs光电倍增管以及数据采集,处理和控制系统组成。可测量300～1150nm的光谱范围。利用本装置可获得单晶光纤的吸收光谱,透过率谱,散射光谱以及散射位置谱。
- 董绵豫张松斌沈永行吴明忠童利民丁祖昌
- 关键词：单晶光纤
- p型掺杂GaAs液相外延材料的光致发光研究
- 1993年
- 对Si掺杂和Zn掺杂p型GaAs液相外延材料进行光致发光研究。用发射波长为510.6nm和578.2nm的溴化亚铜激光器为激发光源,样品的低温由氦循环致冷机提供,样品室温度在10～300K中可调。在所选取的狭缝宽度下谱仪的分辨率大致为2nm,所提供的数据全部经过系统灵敏度校正并进行分峰拟合。对Si掺杂p型GaAs样品PL谱中一些主要特征进行讨论,认为A_1,A_2,A_3三个发射带分别对应着导带“尾”态中电子向价带和两个浅受主能级的跃迁,它们随温度变化的情况,和带隙宽度及电子填充状态随温度变化有关。此外,我们还观察了掺Zn的p型GaAs样品的PL谱,与掺Si样品比较,具有明显不同的特征,谱线在长波端(～950nm)的上扬趋势表明在低能区域可能存在一个与深能级复合有关的宽发射带。
- 华伟民陈美云沈雅珍董绵豫张松斌丁祖昌
- 关键词：光致发光掺杂液相外延砷化镓
