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张芳英

作品数:4 被引量:21H指数:2
供职机构:中国科学院金属研究所金属腐蚀与防护国家重点实验室更多>>
发文基金:中国科学院“百人计划”更多>>
相关领域:理学一般工业技术金属学及工艺化学工程更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇化学工程

主题

  • 2篇AL
  • 1篇等压
  • 1篇电荷
  • 1篇电荷密度
  • 1篇电荷面密度
  • 1篇电子性能
  • 1篇氧分子
  • 1篇氧气
  • 1篇氧原子
  • 1篇原子
  • 1篇温度
  • 1篇吸附能
  • 1篇密度泛函
  • 1篇密度泛函理论
  • 1篇密度泛函理论...
  • 1篇面密度
  • 1篇结合能
  • 1篇晶胞
  • 1篇晶体
  • 1篇晶体结构

机构

  • 4篇中国科学院金...

作者

  • 4篇张芳英
  • 3篇朱圣龙
  • 3篇滕英元
  • 1篇张美霞
  • 1篇熊玉明

传媒

  • 1篇科学通报
  • 1篇腐蚀科学与防...
  • 1篇第四届全国腐...

年份

  • 1篇2005
  • 2篇2004
  • 1篇2003
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
氧气在Al(001)面吸附的第一原理研究被引量:12
2004年
采用基于广义梯度近似(GGA)交换关联近似的超软(ultrasoft)赝势和具有三维周期性边界条件的超晶胞模型, 用第一原理计算方法, 计算并分析了氧分子在Al(001)面吸附的价键结构和局域电子结构. 超晶胞表面为2×2原胞, 共有14层原子, 其中铝原子9层, 真空5层. 氧分子层与表面铝原子层的距离为一倍面间距, 选用了几种不同的初始吸附形态. 结果表明, 氧气在Al(001)面时, 分子键平行于铝表面时容易被吸附, 分子键垂直于铝表面时不容易被吸附. 吸附过程中价键的分析表明, 氧分子在O2/Al(001)界面的吸附过程有两种形式:2222O(O)2O2O---和222O(O)OO--?, 吸附过程与氧气在Al(001)面初始吸附形态有关.
张芳英朱圣龙滕英元
关键词:超晶胞氧分子广义梯度近似
等压条件下温度对氧原子在单晶铝(001)、(111)面吸附影响的第一原理研究
用第一原理计算方法,计算并分析了等压(10<'5>)条件下,500K至900K的温度范围内,原子氧在单晶铝(001)、(111)面吸附的吸附能的变化情况和单晶铝(001)、(111)方向结合能的变化情况.分析表明,温度越...
张芳英朱圣龙滕英元熊玉明
关键词:等压氧原子吸附能结合能
文献传递
Al(001)、Al(110)、Al(111)面表面能的密度泛函理论计算被引量:9
2005年
用密度泛函理论方法 ,采用超晶胞模型 ,计算了Al(0 0 1)、Al(110 )、Al(111)面的表面能 .计算表明 ,Al(0 0 1)面的表面能为 0 87eV ,Al(110 )面为 1 0 7eV ,Al(111)面为 0 76eV .分析了表面能差异与表面电荷平均面密度的关系 ,表面原子层和次表面原子层的电荷面密度在s,p轨道上重新分布 .表面原子层电荷密度越大 ,表面能越低 .
张芳英滕英元张美霞朱圣龙
关键词:密度泛函理论表面能电荷面密度电荷密度计算值
单晶铝和TiAlN体系的第一原理研究
本文采用基于第一原理的计算方法研究了原子氧在单晶铝不同取向表面上的吸附.计算结果表明,氧在单晶铝(001)面稳定的吸附位为洞位、桥位、顶位,吸附能的范围为10.03~13.48eV/atom,其中吸附能最大的吸附位为桥位...
张芳英
关键词:晶体结构电子性能
文献传递
共1页<1>
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