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徐敏

作品数：22 被引量：3H指数：1
供职机构：浙江理工大学更多>>
相关领域：轻工技术与工程一般工业技术建筑科学电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 19篇专利
  • 3篇学位论文

领域

  • 2篇轻工技术与工...
  • 1篇化学工程
  • 1篇电气工程
  • 1篇建筑科学
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 10篇氮化硅
  • 8篇氮化硅薄膜
  • 8篇硅薄膜
  • 6篇化学气相
  • 6篇化学气相沉积
  • 6篇沉积温度
  • 5篇电池
  • 5篇织物
  • 5篇太阳电池
  • 4篇氮化
  • 4篇氮化硅膜
  • 4篇等离子体增强
  • 4篇等离子体增强...
  • 4篇硅膜
  • 3篇涤纶
  • 3篇涂层
  • 3篇涂层织物
  • 3篇铝合金
  • 3篇铝合金表面
  • 3篇合金

机构

  • 22篇浙江理工大学

作者

  • 22篇徐敏
  • 15篇杜平凡
  • 15篇席珍强
  • 11篇姚剑
  • 4篇姚奎鸿
  • 4篇汪新颜
  • 4篇邵建中
  • 2篇王龙成
  • 2篇郑今欢
  • 2篇周岚
  • 2篇戚栋明
  • 2篇王勇
  • 2篇刘今强
  • 2篇柴丽琴
  • 2篇周金丽
  • 2篇姚晓辉
  • 1篇周成菊
  • 1篇梁萍兰

年份

  • 1篇2022
  • 1篇2013
  • 6篇2012
  • 4篇2010
  • 3篇2009
  • 7篇2008
共 22 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
太阳电池用α-SiCxNy:H薄膜的制备与热处理性能研究
传统的燃料能源正在一天天减少，对环境造成的危害日益突出，太阳电池直接将太阳能转化为电能，被公认为是解决能源危机和环境问题十分有效的途径之一。目前，80％以上的太阳电池是由晶体硅材料制备而成的，制备高效率低成本的晶体硅太阳...
徐敏
关键词：太阳电池
一种往复式高温合成装置
本发明公开了一种往复式高温合成装置。在左右两根钢架上安装工作台，工作台上安装导轨，加热炉能在导轨上作左右往复移动，工作台的两端分别装有炉管的支撑架，两个结构相同的炉管内分别设置能拆装的反应管，两个炉管的外侧出口端均安装密...
杜平凡席珍强姚剑徐敏姚晓辉姚奎鸿
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活塞环表面涂覆氮化硅膜层的方法
本发明公开了一种活塞环表面涂覆氮化硅膜层的方法。先对活塞环进行电解抛光和超声波清洗处理；再将清洗后的活塞环放入射频等离子体增强化学气相沉积设备中，系统抽真空至5×10<Sup>－3</Sup>Pa，以硅烷和氨气为反应气源...
杜平凡席珍强王龙成徐敏汪新颜姚剑
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一种碳氮化硅薄膜的制备方法
本发明公开了一种碳氮化硅薄膜的制备方法。采用N<Sub>2</Sub>稀释的SiH<Sub>4</Sub>气体(SiH<Sub>4</Sub>浓度10%)作为Si源和N源，以高纯CH<Sub>4</Sub>为C源，按不同...
席珍强徐敏杜平凡姚剑
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一种铝合金表面处理方法
本发明公开了一种铝合金表面处理方法。先对铝合金表面抛光，清洗再在普通铝合金基底上采用PECVD法沉积一层氮化硅薄膜，沉积过程采用的参数，温度为100～500℃，射频功率为20～150W，沉积时间为5～60min，SiH<...
杜平凡徐敏席珍强姚剑
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提高棉织物阳离子化改性均匀性的方法
本发明属于染整技术领域，涉及一种提高棉织物阳离子化改性均匀性的方法，处理工艺步骤如下：(1)用含有反应性基团和阳离子基团的改性剂配制成改性液，将棉织物置入改性液中，升温至85～95℃，保温20～30分钟；(2)将步骤(1...
邵建中徐敏戚栋明柴丽琴周岚
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一种铝合金表面处理方法
本发明公开了一种铝合金表面处理方法。先对铝合金表面抛光，清洗再在普通铝合金基底上采用PECVD法沉积一层氮化硅薄膜，沉积过程采用的参数，温度为100～500℃，射频功率为20～150W，沉积时间为5～60min，SiH<...
杜平凡徐敏席珍强姚剑
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一种氮化硅彩虹玻璃及其制备方法
本发明公开了一种氮化硅彩虹玻璃及其制备方法。在普通平板玻璃基底一个表面或二个表面上镀有一层氮化硅薄膜，形成相间的彩虹条纹。其生产方法是采用等离子增强化学气相沉积(PECVD)镀氮化硅膜，镀出的氮化硅膜在玻璃表面形成彩色相...
席珍强徐敏杜平凡姚剑
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一种碳氮化硅薄膜的制备方法
本发明公开了一种碳氮化硅薄膜的制备方法。采用N<Sub>2</Sub>稀释的SiH<Sub>4</Sub>气体(SiH<Sub>4</Sub>浓度10％)作为Si源和N源，以高纯CH<Sub>4</Sub>为C源，按不同...
席珍强徐敏杜平凡姚剑
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提高太阳电池用非晶氢化碳氮化硅薄膜钝化性能的热处理方法
本发明公布了一种提高太阳电池用非晶氢化碳氮化硅薄膜钝化性能的热处理方法，步骤如下：将采用PECVD双面沉积非晶氢化碳氮化硅薄膜的硅片放在氮气气氛下于550～850℃快速热处理10～80秒，或在空气气氛下于550～850℃...
席珍强杜平凡徐敏姚剑
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