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成海涛

作品数:12 被引量:0H指数:0
供职机构:中国科学院上海微系统与信息技术研究所更多>>
发文基金:国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:电子电信自动化与计算机技术一般工业技术更多>>

文献类型

  • 8篇专利
  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 8篇纳米
  • 5篇MOS电容
  • 4篇电极
  • 4篇空间电荷区
  • 3篇压阻
  • 3篇衬底
  • 2篇电容耦合
  • 2篇压焊
  • 2篇应力
  • 2篇应力释放
  • 2篇阵列
  • 2篇阵列结构
  • 2篇质量传感器
  • 2篇浅结
  • 2篇中性面
  • 2篇微机械
  • 2篇敏感膜
  • 2篇阶梯形
  • 2篇结型
  • 2篇结型场效应

机构

  • 12篇中国科学院
  • 2篇中国科学院研...

作者

  • 12篇成海涛
  • 11篇杨恒
  • 8篇吴燕红
  • 8篇王跃林
  • 6篇戴斌
  • 4篇李昕欣
  • 2篇吴紫阳
  • 1篇丁萃

传媒

  • 1篇功能材料与器...
  • 1篇传感器与微系...
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2012
  • 3篇2011
  • 1篇2010
  • 5篇2009
  • 1篇2008
12 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
利用阶梯形电极实现纳米梁驱动与压阻检测结构及方法
本发明涉及利用阶梯形电极实现纳米梁驱动与压阻检测结构及方法。其特征在于纳米梁上部的金属电极为阶梯形,电极两端与纳米梁间的间隙小于100纳米,而中间部分的电极间隙在1-2微米。所述的阶梯形电极两端与纳米梁形成MIS电容结构...
杨恒吴燕红成海涛戴斌李昕欣王跃林
文献传递
用于纳米梁自检测及驱动的MOS电容结构研究
微纳电子机械系统(NEMS)在半导体技术、痕量检测及一些基础科学研究方面展现了很大的潜力。针对纳机电系统面临的加工、检测和驱动问题,本论文分别在这三方面做了一些工作。   器件加工方面,提出一种FIB刻蚀结合KOH腐蚀...
成海涛
可实现敏感生化膜应力释放的柱状电极阵列结构及其制备方法
本发明提出一种可实现敏感生化膜应力释放的柱状电极阵列结构及其制备方法,用于基于梁结构的谐振式痕量质量传感器。该结构包括梁结构、设置于梁结构上的若干微型柱状电极、设置于微型柱状电极上的<111>晶向占优的金膜、...
杨恒吴燕红成海涛戴斌吴紫阳
可实现敏感生化膜应力释放的柱状电极阵列结构及其制备方法
本发明提出一种可实现敏感生化膜应力释放的柱状电极阵列结构及其制备方法,用于基于梁结构的谐振式痕量质量传感器。该结构包括梁结构、设置于梁结构上的若干微型柱状电极、设置于微型柱状电极上的<111>晶向占优的金膜、...
杨恒吴燕红成海涛戴斌吴紫阳
文献传递
一种垂直环绕栅结型场效应晶体管、制作方法及应用
本发明涉及一种垂直环绕删结型场效应晶体管、制作方法及应用。所述的场效应管包括源区、漏区、环绕栅、敏感栅、沟道以及源漏区压焊块或金属引线组成,其中源区和漏区通过沟道连接,敏感栅和环绕栅相连,环绕栅包围沟道的上、左、右三面,...
杨恒成海涛戴斌吴燕红李昕欣王跃林
文献传递
用于纳米梁位移检测的MOS电容下压阻结构
提出一种新颖的MOS电容下压阻检测方案。MOS电容耗尽层下的掺杂区被用作力敏电阻来检测梁内应力,绕过了在纳米梁上进行高浓度、浅结深地掺杂这一障碍。在栅极施加偏置电压后,耗尽区宽度达到最大且仅与掺杂浓度有关,形成非对称的电...
成海涛杨恒王跃林
关键词:金属氧化物半导体
文献传递
基于MOS电容衬底压阻的纳米梁检测研究
2011年
传统的纳米谐振器压阻检测在工艺上需解决制备结深浅、掺杂浓度高的薄层电阻的技术难题。基于MOS电容衬底压阻的谐振式纳米梁系统是一种新型的压阻检测方案,它通过将MOS电容耗尽层下的掺杂区用作力敏电阻,回避了制备浅结高浓度电阻的技术问题,也解决了MOS沟道压阻抗干扰性差的问题,在SoI硅片上制作了150 nm厚的梁结构。在检测方面,通过设计屏蔽式驱动封装结构,解决了驱动信号电磁耦合干扰的问题,并结合一系列降低噪声、减小串扰的措施,实现了μV量级的微弱信号检测。测试得到该结构在常温常压下的Q值为197,谐振峰频率为3.96 MHz,输出端检测灵敏度为0.73 mV/nm。
丁萃成海涛杨恒
关键词:谐振器压阻检测MOS电容
一种FIB刻蚀结合KOH腐蚀的制造纳米梁的新方法
2010年
常规的通过干法刻蚀制作纳米梁的方法会不可避免地在梁上引入晶格损伤层。本文提出一种制造无晶格损伤层纳米梁的新工艺方法。在常规光刻后,辅助利用FIB(聚焦离子束)刻蚀修改硅梁中部上方的SiO2掩模。根据单晶硅的材料和工艺特点,通过KOH各向异性腐蚀,硅梁两侧壁与硅片表面垂直,并自停止为(111)面。自停止面自校正地沿<112>晶向自硅梁中部向两端扩展,直至硅梁成型。经过冷冻干燥,最终在(110)SOI硅片上制得了宽度为112nm的单晶硅纳米梁。自校正的腐蚀方式提升了工艺稳定性,并且由于结合利用了湿法腐蚀和FIB技术,此工艺方法具有无晶格损伤层、工艺重复性好、加工精度高等优点。
成海涛杨恒王跃林
关键词:各向异性腐蚀FIB
纳米梁上MOS电容衬底的压阻结构及检测方法
本发明提出了一种MOS电容衬底的压阻结构及检测方法,以实现对纳米厚度梁的弯曲的压阻检测。本发明是在半导体纳米厚度梁上制作MOS电容结构。检测时在MOS电容上施加电压使MOS电容下纳米梁中形成强反型层与空间电荷区。不导电的...
杨恒吴燕红成海涛王跃林
文献传递
一种垂直环绕栅结型场效应晶体管、制作方法及应用
本发明涉及一种垂直环绕栅结型场效应晶体管、制作方法及应用。所述的场效应管包括源区、漏区、环绕栅、敏感栅、沟道以及源漏区压焊块或金属引线组成,其中源区和漏区通过沟道连接,敏感栅和环绕栅相连,环绕栅包围沟道的上、左、右三面,...
杨恒成海涛戴斌吴燕红李昕欣王跃林
文献传递
共2页<12>
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