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戴明星

作品数：16 被引量：8H指数：2
供职机构：武汉大学物理科学与技术学院更多>>
发文基金：国家自然科学基金湖北省自然科学基金更多>>
相关领域：一般工业技术理学化学工程电气工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇期刊文章
  • 3篇会议论文
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 9篇一般工业技术
  • 6篇理学
  • 3篇化学工程
  • 2篇金属学及工艺
  • 2篇电气工程
  • 1篇电子电信

主题

  • 4篇磁电
  • 4篇磁电阻
  • 4篇BA
  • 3篇电输运
  • 3篇输运
  • 3篇准晶
  • 3篇复合材料
  • 3篇SR
  • 3篇复合材
  • 3篇MNO
  • 2篇陶瓷
  • 2篇中位
  • 2篇位错
  • 2篇钙钛矿
  • 2篇WO
  • 2篇掺杂
  • 2篇磁电阻效应
  • 1篇电畴
  • 1篇电子衍射
  • 1篇电阻率

机构

  • 16篇武汉大学
  • 1篇国防科学技术...

作者

  • 16篇戴明星
  • 10篇王仁卉
  • 4篇邹化民
  • 3篇刘长征
  • 3篇周千学
  • 1篇艾定飞
  • 1篇苏超
  • 1篇王建波
  • 1篇徐斌富
  • 1篇桂嘉年
  • 1篇沈祖炎
  • 1篇孔令刚
  • 1篇金磊
  • 1篇唐一文
  • 1篇潘进
  • 1篇祝时坚
  • 1篇钱梁

传媒

  • 4篇武汉大学学报...
  • 4篇武汉大学学报...
  • 3篇电子显微学报
  • 1篇第三次中国电...
  • 1篇第六次全国电...

年份

  • 1篇2007
  • 2篇2006
  • 1篇2005
  • 1篇2003
  • 1篇2001
  • 1篇2000
  • 1篇1996
  • 1篇1994
  • 2篇1993
  • 1篇1992
  • 2篇1990
  • 1篇1989
  • 1篇1983
共 16 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
Al-Cu-Fe准晶中位错引起的HOLZ线的位移与分裂
＜正＞ 随着准晶研究的深入,准晶中的位错也引起了人们的关注。我们用会聚束电子衍射（CBED）高阶Laue带（HOLZ）线实验方法,结合衍衬象技术,在EM420电镜上,对Al-Cu-Fe准晶二十面体相中的位错进行了初步研究...
王仁卉戴明星鄢炎发
文献传递
WO_3掺杂的La_(2/3)Sr_(1/3)MnO_3电输运与磁电阻特性被引量：1
2007年
通过溶胶-凝胶法制备了La2／3Sr1／3MnO3＋xWO3（x=0～25％）系列多晶陶瓷样品．结果表明。随着WO3掺杂量的增加，样品的电阻率增大，金属-绝缘体相变温度（Tp）值下降．在1．4T磁场下，当0≤x≤12．5％时，样品的室温磁电阻值从5％增大到15％，提高了200％．当12．5％〈x≤25％时，室温磁电阻值从15％降低到0．这对磁电阻材料在室温下的应用提供实验依据．
祝时坚戴明星周千学刘长征
关键词：钙钛矿
表面弛豫效应对界面区域CBED的影响被引量：1
1994年
对Al_2O_3颗粒增强铝复合材料与K_2Ti_5O_(13)晶须增强铝复合材料中的增强相/金属界面区域点阵位移场进行CBED研究,并对其进行电子衍射动力学理论模拟计算,结果表明:表面弛豫效应对晶须/铝界面法线方向上位移分量大小的分布影响显著,而对界面切线方向上位移分量的影响很小。这一结果对于解决CBED法测量界面应变场时遇到的表面弛豫效应问题是有意义的。
邹化民王仁卉戴明星鄢炎发潘进
关键词：金属复合材料复合材料
Ba（Ti，Sn）O_3陶瓷的微观结构研究
1996年
Ｂａ（Ｔｉ，Ｓｎ）Ｏ３陶瓷的微观结构研究唐一文王仁卉戴明星（武汉大学物理系，武汉４３００７２）近几年来，人们对居里点在室温附近的弛豫铁电体Ｂａ（Ｔｉ，Ｓｎ）Ｏ３产生了兴趣。它的大的、几乎无滞后的电致伸缩效应［１］，以及其优异的介电性能［２］具有良好的...
唐一文王仁卉戴明星
关键词：铁电畴陶瓷孪晶
十次准晶中层错位错和小角晶界的透射电镜研究
1992年
在 A^1_(70)Cc_Ni(5)十次准晶中首次观察到三种类型层错,其中第一和第二类层错面垂直和平行于十次轴,其位移矢量 R 都在层错面内,且沿准周期方向。第三类层错是位移矢量不在层错面内的平移畴壁。用会聚束电子衍射方法首次测定了十次准晶中位错的 Burgers矢 b 的模,观察到 b=[3/4,0,0,0,0,0],b=[1,0,0,0,0,0]的螺位错和 b=[1/2,0,0,0,0,0]的刃位错,且不少位错以同号平行位错对的形式存在。首次观察到十次准晶的三种小角晶界,即由刃位错壁构成的倾斜晶界,由螺位错壁构成的扭转晶界和由位错网络构成的小角晶界。最后探讨了十次准晶形变的微观机制。
王仁卉鄢炎发戴明星
关键词：层错位错
含超轻元素样品的电子探针定量分析
超轻元素的电子探针定量分析的困难之一是:许多元素对超轻元素的K射线的质量吸收系数μ/ρ数据不可靠,不同工作者给出的数据可相差几倍。详见评述性文献(1)。Kohlhaas和Scheiding测定了一系列含O、N、C、B的已...
王仁卉戴明星田陆刘建军胡东红
文献传递
Sr_2FeMoO_6庞磁电阻陶瓷材料的微结构分析
2000年
研究了在钙钛矿结构 Sr2 Fe Mo O6 陶瓷中存在的多种不同的有序晶格结构 .如 Fe- Mo离子在简单钙钛矿结构 ABO3中的 B位无序分布 ;Fe- Mo B位空间排列的 Na Cl型有序分布的钙钛矿结构及在 c轴方向具有 3倍简单钙钛矿结构周期的层状超结构等 .结果表明 ,通过正确选择 Sr2 Fe Mo O6 陶瓷材料的微结构 。
苏超戴明星李学斌王仁卉
关键词：磁电阻微结构钙钛矿结构
WO_3掺杂的La_(2/3)Ba_(1/3)MnO_3电输运与磁电阻特性被引量：2
2006年
在溶胶-凝胶法制备的La2/3Ba1/3MnO3（LBMO）微粉中掺入WO3，制备了La2/3Ba1/3MnO3＋xWO3（x=0～0．20）多晶陶瓷样品．实验发现，随x增加，样品的电阻率增加，金属-绝缘相变温度（Tp）由340K下降到26lK，在1T的磁场下，当0〈x≤0．05时，样品的室温磁电阻迅速上升，从4％增加到10．5％，当0．05〈x≤0．10时，样品的室温磁电阻从10．5％增加到11．5％，上升速度明显放缓，当0．10〈x≤0．20时，样品的室温磁电阻从11．5％降低到2％，这为磁电阻器件研究提供了实验依据．
钱梁戴明星周千学刘长征
关键词：电阻率掺杂
庞磁电阻材料Sr_2FeMoO_6的性能及其穆斯堡尔谱研究被引量：2
2001年
应用传统的陶瓷制备方法 ,制备了烧结温度分别为 12 0 0℃和 12 5 0℃的双钙钛矿结构庞磁电阻(GMR)材料Sr2 FeMoO6样品 通过X射线衍射、室温磁阻和穆斯堡尔谱研究 ,发现较低温度烧结的样品晶粒相对较小而磁阻较大 ,从而暗示晶界上的自旋极化电子对磁电阻效应有明显贡献 同时 ,通过观察不同温度下的穆斯堡尔谱 ,看到了晶界上Fe离子磁状态的改变 ,这从另一角度证实晶界上的载流子散射是室温下电阻产生的主要原因 ,而晶粒之间自旋极化电子的跳动受到外加磁场的影响 。
沈祖炎徐斌富戴明星
关键词：双钙钛矿穆斯堡尔谱磁电阻磁电阻效应烧结温度
Al/Al2O3复合材料界面应力场的LACBED研究
界面是影响复合材料性能的重要内容,对复合材料界面的研究一直受到广泛的重视。本文介绍我们利用大角度会聚束电子衍射(LACBED)研究Al基AlO颗粒增强复合材料界面应力场的初步结果。图1是这种复合材料的明场象,其中不规则形...
王仁卉鄢炎发邹化民戴明星冯江林
文献传递
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