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易波
作品数:
56
被引量:2
H指数:1
供职机构:
电子科技大学
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发文基金:
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合作作者
赵青
电子科技大学
李平
电子科技大学
陈星弼
电子科技大学
张千
电子科技大学
向勇
电子科技大学
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作者
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易波
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赵青
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一种基于PP异质结的结型栅增强型GaN器件
本发明属于功率半导体技术领域,具体提供一种基于PP异质结的结型栅增强型GaN器件,用于解决现有器件存在的栅压摆幅窄、栅极漏电大、工艺要求高、成本高等诸多问题。本发明利用P型宽禁带半导体层耗尽其下方的高浓度二维电子气,获得...
易波
具有二极管钳位载流子存储层的SOI LIGBT器件
本发明公开了一种具有二极管钳位载流子存储层的SOI LIGBT器件,通过将P型半导体基区分割成多个区域,并且在不同区域引入两个或三个串联二极管,使得器件在反向耐压时,P型电场屏蔽区电位升高至两个或三个二极管的导通压降后,...
易波
蔺佳
杨瑞丰
彭一峰
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一种具有载流子存储层的平面栅IGBT器件
本发明涉及功率半导体领域,提供一种具有载流子存储层的平面栅IGBT器件,用以解决现有的具有载流子存储层的槽栅IGBT栅驱电荷过大、短路安全工作区较小以及CSL层浓度受限的问题。本发明将传统用于制作槽栅IGBT沟道的深槽与...
易波
李平
文献传递
一种抑制电压回折现象的RC-LIGBT器件
本发明属于功率半导体技术领域,涉及高压横向半导体器件,具体为一种抑制电压回折现象的RC‑LIGBT器件。本发明中,通过引入槽型集电极区、P型埋层区,与部分表面耐压区3共同形成RC抑制;使得在低集电极电压时,P型埋层和槽型...
易波
蔺佳
杨瑞丰
赵青
文献传递
一种增强型MIS-GaN器件
本发明属于功率半导体技术领域,具体提供一种增强型MIS‑GaN器件,用于解决现有增强型GaN器件存在的如阈值电压低、栅压摆幅窄、栅极漏电大、阈值电压受p‑GaN或p‑AlGa N掺杂浓度影响等诸多问题。本发明利用宽禁带P...
易波
文献传递
一种消除电压折回现象的RC-LIGBT器件
本发明属于功率半导体技术领域,提供一种基于绝缘体上硅技术的消除电压折回现象的RC‑LIGBT器件,在传统SSA‑LIGBT器件的基础上,在集电极一侧引入一个栅源短接的N沟道MOEFET;当器件工作在正向状态时,将一直工作...
杨瑞丰
易波
蔺佳
赵青
黄东
孔谋夫
文献传递
一种具有载流子存储层的槽栅IGBT器件
本发明涉及功率半导体领域,提供一种具有载流子存储层的槽栅IGBT器件,用以解决现有的具有载流子存储层(CSL)的槽栅IGBT饱和电压高、短路安全工作区较小以及CSL浓度受限的问题,提出一种新型具有载流子存储层的槽栅IGB...
易波
李平
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一种具有内嵌肖特基二极管的RC-LIGBT器件
本发明属于功率半导体技术领域,涉及高压横向半导体器件,具体为一种具有内嵌肖特基二极管的RC‑LIGBT器件。本发明中,通过在集电极一侧引入N型欧姆接触区、浮空电极以及P型肖特基二极管,在反向工作状态下形成由两个串联二极管...
易波
赵青
蔺佳
杨瑞丰
侯云如
黄东
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一种HEMT器件
本发明公开了一种HEMT器件,通过在源极一侧设置肖特基金属和欧姆接触金属,实现HEMT单元胞集成低导通压降、低泄漏电流的反并联肖特基二极管。本发明通过肖特基金属和半导体接触的位置的特殊设计,保证了器件有源区长度不会增加,...
易波
伍争
张千
向勇
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一种具有自偏置pmos钳位载流子存储层的SOI-LIGBT器件
本发明属于功率半导体技术领域,涉及一种高压横向半导体器件,具体为一种具有自偏置pmos钳位载流子存储层的SOI‑LIGBT器件。本发明中,通过将P型半导体基区分割成两个或者三个区域,并且在对应区域引入自偏置pmos结构;...
易波
蔺佳
赵青
杨瑞丰
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