景微娜
- 作品数：5 被引量：2H指数：1
- 供职机构：河北工业大学更多>>
- 发文基金：河北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- MOCVD生长的GaN薄膜中的应力分析
- 在各种GaN生长技术中,MOCVD法是目前使用较多、外延质量较高的一种外延方法。本文研究了一种衬底处理技术对MOCVD外延生长GaN薄膜中应力的影响。本实验在外延生长前用磷酸对蓝宝石衬底进行腐蚀预处理,外延生长完成后借助...
- 景微娜郝秋艳解新建刘彩池冯玉春
- 关键词：半导体薄膜GANMOCVD
- 文献传递
- 衬底处理对GaN外延层中应力的影响
- ＜正＞GaN 材料所具有的宽带隙、发光效率高、电子饱和速度高、热导率高、硬度大、介电常数小、化学性质稳定以及抗辐射、耐高温等特点使得它成为制作光电子器件的优选材料。外延生长 GaN 时,蓝宝石仍然是优先选择的衬底材料,然...
- 景微娜解新建郝秋艳梅俊平阎文博刘彩池冯玉春刘文
- 文献传递
- 蓝宝石上横向外延GaN薄膜
- 2007年
- 在蓝宝石衬底上利用金属有机物气相外延(MOCVD)方法对横向外延(ELO)GaN薄膜的生长条件进行了研究.在蓝宝石衬底上利用化学腐蚀的方法刻饰出图案,再沉积低温GaN缓冲层作为外延层的子晶层,以降低外延层与衬底的晶格失配与热失配,制备出低位错密度的GaN外延层.分别利用X射线衍射、原子力显微镜及湿法腐蚀对外延层进行检测.
- 张帷郝秋艳景微娜刘彩池冯玉春
- 关键词：GAN金属有机物气相外延
- 硅基外延氮化镓失配问题的研究
- 刘彩池郝秋艳解新建陈贵锋冯玉春朱军山赵丽伟景微娜
- 项目名称：硅基衬底外延氮化镓失配问题研究（E200500042）。任务来源：河北省自然科学基金。GaN是继Si、GaAs之后的第三代重要的半导体材料，它的禁带宽度宽，电子迁移率高，高的击穿电压、耐高温、耐化学腐蚀等优良特...
- 关键词：
- 关键词：失配
- 衬底处理对MOCVD外延生长GaN薄膜性能的影响
- 宽带隙的GaN基Ⅲ族氮化物,在高效光电子器件制作中有着广泛的应用,是半导体材料研究领域的前沿课题之一。本文利用金属有机化学气相沉积/(MOCVD/)生长技术,在经过腐蚀处理的蓝宝石衬底上生长出了高质量的GaN外延层,并与...
- 景微娜
- 关键词：氮化镓残余应力
- 文献传递
