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曹思

作品数:4 被引量:2H指数:1
供职机构:复旦大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金上海市基础研究重大(重点)项目上海市科学技术委员会基础研究重点项目更多>>
相关领域:理学金属学及工艺电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 2篇理学
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信

主题

  • 2篇示踪
  • 2篇同位素
  • 2篇同位素示踪
  • 2篇铜薄膜
  • 2篇传质
  • 1篇电化学
  • 1篇电化学阻抗
  • 1篇电化学阻抗谱
  • 1篇电极
  • 1篇电泳沉积
  • 1篇电阻
  • 1篇动力学
  • 1篇动力学过程
  • 1篇氧化动力学
  • 1篇阴极电泳
  • 1篇水汽
  • 1篇阻抗谱
  • 1篇稀土
  • 1篇膜电极
  • 1篇耐蚀

机构

  • 4篇复旦大学

作者

  • 4篇曹思
  • 3篇蒋益明
  • 3篇李劲
  • 2篇钟澄
  • 1篇罗宇峰
  • 1篇项秋伟
  • 1篇龚佳
  • 1篇孙道明

传媒

  • 1篇金属学报
  • 1篇物理学报

年份

  • 2篇2011
  • 1篇2010
  • 1篇2007
4 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
同位素示踪法研究铜薄膜在水汽中的氧化传质机理
2011年
采用H126O/H128O接续氧化并结合同位素示踪方法,研究了铜薄膜在水汽中氧化的传质机理.将真空热蒸发制备的铜薄膜样品,分别在H126O,H218O中以及H216O/H128O接续进行氧化处理;利用X射线衍射(XRD)研究了氧化产物的形态和结构;并用二次离子质谱仪(SIMS)研究了同位素18O与16O在氧化膜中的浓度分布.结果表明铜在水蒸汽中湿法氧化产物为Cu2O,微观氧化传质机理为短路扩散机理.
曹思龚佳钟澄李劲蒋益明
关键词:同位素示踪铜薄膜
电子器件中铜及ITO薄膜电极的腐蚀行为研究
铜薄膜由于具有优良的电学、热学与力学综合性能,在电子器件中获得了广泛的应用。许多功能器件如传感器、光电存储器中大量涉及铜薄膜材料。随着电子器件尺寸减小,膜的大气隔层厚度降低,制造与使用中的腐蚀影响不容忽视,薄膜氧化就是其...
曹思
关键词:铜薄膜ITO薄膜同位素示踪电化学阻抗谱
文献传递
Al 5083表面电泳沉积稀土改性膜制备和表征被引量:2
2010年
采用阴极电泳法在铝合金表面快速沉积Ce改性膜,利用SEM,EDS和XRD研究稀土膜的形貌和结构,用电化学阻抗谱(EIS)和极化曲线方法评价改性铝合金在0.1 mol/L NaCl溶液中的耐蚀性能.结果表明,在0.1 mol/L Ce(NO_3)_3乙醇溶液中用12 V电压阴极电泳60 s后再经热处理获得了厚度约0.8μm的均匀CeO_2膜层.电化学测试结果证实,稀土改性膜对Al 5083基体具有优异的保护性能,试样浸泡31 d未见明显腐蚀,且表面膜层裂纹显著减少,呈现自修复特性.随浸泡时间的增加,电荷转移电阻R_p逐渐增大,表面电容C_t基本不变.
项秋伟曹思孙道明李劲蒋益明
关键词:阴极电泳耐蚀性能
一种表征金属薄膜氧化反应动力学过程的方法
本发明属于薄膜传质表征技术领域,具体涉及一种表征金属薄膜氧化反应动力学过程的方法。其特点是引入方块电阻法以建立适合表征纳米尺度膜氧化动力学过程的方法,以克服传统的动力学过程表征手段在运用于薄膜体系时的局限性,表征尺度在1...
蒋益明罗宇峰钟澄曹思李劲
文献传递
共1页<1>
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