曹福年
- 作品数：8 被引量：14H指数：3
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
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- SI-GaAs29Si+离子注入层性能研究
- 1前言在Sl—GaAs晶片上直接离子注入Si,是制作多种徽波器件和GaAs集成电路的重要方法。Si注入,热退火之后,Sl-GaAs基体上就形成了一低阻薄层。在器件工艺过程中,这些低阻薄层的性能将对器件和集成电路的性能起决...
- 卜俊鹏曹福年白玉珂吴让元惠峰刘明焦何宏家
- 文献传递
- GaAs化学机械抛光引入亚表面损伤层的分析被引量：3
- 1999年
- 采用ＴＥＭ、ＸｒａｙＲｏｃｋｉｎｇＣｕｒｖｅ等测试的方法，对ＧａＡｓ晶片化学机械抛光后亚表面损伤层引入的深度进行了分析，探讨了碱性ＳｉＯ２胶体水溶液加入不同浓度的电解质（ＮａＯＣｌ）后所发生胶粒带电程度的变化，从胶体理论的角度解释了ＳｉＯ２胶体溶液不稳定对ＧａＡｓ抛光晶片亚表面损伤层的影响。
- 郑红军卜俊鹏何宏家吴让元曹福年白玉珂惠峰
- 关键词：砷化镓抛光亚表面损伤层
- ＤＳＬ和ＴＥＭ研究Ｓｉ－ＧａＡｓ的微缺陷和微沉淀物
- 刘明焦曹福年
- 关键词：微区分析沉淀物
- X射线回摆曲线定量检测SI-GaAs抛光晶片的亚表面损伤层厚度被引量：8
- 1998年
- 本文通过测量ＳＩ－ＧａＡｓ抛光晶片及其本体（腐蚀了晶片的亚表面损伤层）的Ｘ射线回摆曲线ＦＷＨＭ，与抛光晶片的ＴＥＭ观测相结合，作出晶片回摆曲线ＦＷＨＭ的比率Ｒ与ＴＥＭ观测的晶片亚表面损伤层厚度Ｄ的关系曲线，建立了一种定量检测ＳＩ－ＧａＡｓ抛光晶片的亚表面损伤层厚度技术，文中将对这种技术进行描述并作讨论．
- 曹福年卜俊鹏吴让元郑红军惠峰白玉珂刘明焦何宏家
- 关键词：抛光晶片亚表面损伤层
- SI—GaAs中砷沉淀与微观均匀性的关系
- 1前言GaAs超高速集成电路,微波单片集成电路和光电集成是以直接离子注入工艺在SI—Ga As晶片上进行的,因此需要高度完整和均匀的半绝缘砷化镓材料。随着集成度的提高,目前国际上已经对SI—GaAs的微观完整性和均匀性提...
- 刘明焦曹福年白玉珂惠峰吴让元卜俊鹏何宏家
- 文献传递
- ＳＩ－ＧａＡｓ２９Ｓｉ＃+[+]离子注入层迁移率的研究
- 卜俊鹏曹福年
- 关键词：迁移率砷化镓离子注入衬底
- 砷化镓晶片表面损伤层分析被引量：8
- 1999年
- 采用ＴＥＭ观测与Ｘ射线双晶回摆曲线检测化学腐蚀逐层剥离深度相结合的方法，分析了ＳＩＧａＡｓ晶片由切、磨、抛加工所引入的损伤层深度。比较两种方法测量结果上的差异，得出了ＴＥＭ观测到的只是晶片损伤层厚度。
- 郑红军卜俊鹏曹福年白玉柯吴让元惠峰何宏家
- 关键词：砷化镓切片磨片抛光片晶片
- Sl-GaAs单晶的热稳定性研究
- 1991年
- SI-GaAs衬底材科的热稳定性对于用直接离子注入工艺制作GaAs场效应器件及集成电路是至关重要的.本文采用变温霍耳效应测量、光注入瞬态电流谱(OTCS)和原子吸收光谱等方法研究了热稳定性差的不掺杂LEC SI-GaAs单晶.结果表明,原子吸收光谱分析发现此晶体存在6.7×10^(15)cm^(-3)Fe杂质,其他两种方法观察到一个～0.62eV深能级.文中推测这是与杂质Fe有关的深受主,认为它对不掺杂LBC SI-GaAs单晶的热稳定性可能有重大影响.
- 曹福年杨锡权刘巽琅吴让元惠峰何宏家
- 关键词：SI-GAAS热稳定性离子注入
