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朱占平

作品数：2 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 2篇国内会议论文

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇RTD
  • 1篇隧穿
  • 1篇器件尺寸
  • 1篇共振隧穿
  • 1篇共振隧穿二极...
  • 1篇二极管
  • 1篇分子束
  • 1篇分子束外延
  • 1篇Δ掺杂
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇掺杂
  • 1篇SPACER

机构

  • 2篇中国科学院

作者

  • 2篇朱占平
  • 2篇曾一平
  • 2篇张晓昕
  • 2篇王保强

传媒

  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇中国电子学会...

年份

  • 2篇2002
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
器件尺寸对RTD性能的影响
由于共振隧穿二极管(RTD)在超高频方面的优异性能,近年来得到了广泛的重视.本文通过对InGaAs/A1As材料的不同尺寸共振隧穿二极管(RTD)的研究,发现对于不同峰谷比和峰值电流密度,通过调整器件尺寸,可以得到符合性...
张晓昕曾一平王保强朱占平
关键词：分子束外延共振隧穿二极管器件尺寸
文献传递
SPACER层中的δ掺杂对RTD性能的影响
在这篇文章中,我们提出了在传统双势垒结构的SPACER层中增加一层δ掺杂的RTD结构,并成功生长出了峰谷比为2.8谷值电流密度为11.8kA/cm<'2>性能相对优良的RTD,并发现在一定范围内,增加δ掺杂的浓度可以提高...
张晓昕曾一平王保强朱占平
关键词：RTDΔ掺杂半导体材料
文献传递
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共1页<1>
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