朱雪斌
- 作品数：8 被引量：7H指数：2
- 供职机构：中国科学院固体物理研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学院“百人计划”安徽省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信化学工程更多>>
- Co:TiO_2稀磁半导体研究进展被引量：4
- 2007年
- Co:TiO2作为一种很有希望在自旋电子学器件中获得重要应用的室温稀磁半导体材料,最近几年获得了广泛关注。首先介绍了该体系的制备方法,如分子束外延、溅射、化学方法等,然后就Co:TiO2薄膜的输运性质和磁性作了较为详细的阐述,对比较有争议的微结构和磁性起源问题也进行了探讨。归纳总结了目前在各方面的进展和存在的问题,并针对这些问题提出了今后的一些研究方向。
- 赵义平方晓东苏清磊邓赞红陶汝华董伟伟王涛李达朱雪斌
- 关键词：钴二氧化钛稀磁半导体
- La_(0.5)Ca_(0.5)MnO_3纳米颗粒的铁磁相变临界行为研究
- 2014年
- La0.5Ca0.5MnO3块体陶瓷表现出电荷有序态特性,但是当La0.5Ca0.5MnO3颗粒减小后电荷有序态将被破坏.本文采用磁测量法研究了La0.5Ca0.5MnO3纳米颗粒的铁磁相变临界行为.结果表明La0.5Ca0.5MnO3纳米颗粒的铁磁相变临界行为可用平均场模型很好地拟合,意味着La0.5Ca0.5MnO3纳米颗粒的铁磁相变为长程有序作用特征.输运行为表明,外加磁场可诱导La0.5Ca0.5MnO3纳米颗粒产生绝缘体-金属转变,可归因于外加磁场使得晶界势垒降低所致.
- 张莉刘果红唐震邓燕李义宝余江应朱雪斌
- 关键词：铁磁相变
- 铜铁矿基p-TCO材料的制备与物性研究被引量：2
- 2007年
- 采用溶胶-凝胶法和高温固相反应法进行了铜铁矿结构单相CuBO2(B=Al,Cr,La)多晶陶瓷的制备,并采用脉冲激光沉积法(Pulsed laser deposition,PLD)制备了CuCrO2薄膜。结果表明:溶胶-凝胶法可以成功制备高纯CuAlO2和CuCrO2多晶材料。该方法还可以显著降低烧结温度且使烧结时间显著缩短;所制备的名义组分CuAlO2和CuCrO2样品均呈p型半导体导电行为,CuBO2的电导率随着B位离子半径的增大而明显减小;PLD法制备的CuCrO2薄膜呈高度c轴取向,厚度～200nm的薄膜在可见光区的平均透射率～80%。
- 邓赞红李达朱雪斌陶汝华董伟伟方晓东
- 关键词：溶胶-凝胶铜铁矿透明导电氧化物脉冲激光沉积
- Ce_(1-x)Sm_xO_(2-y)缓冲层的化学溶液法制备
- 2008年
- 采用化学溶液法在NiW(200)基带上进行了Ce1-xSmxO2-y(x=0,0.2,1)缓冲层的制备及生长机理研究。结果表明,化学溶液法可以成功制备出双轴织构的Ce1-xSmxO2-y缓冲层;在x=0和x=0.2的情况下,所制备的缓冲层有裂纹产生;但是随着x的增加,开裂现象被逐步抑制。对x=1的Sm2O3缓冲层而言,当厚度增加到120nm时依然没有产生裂纹,表明Sm2O3缓冲层可以作为单一缓冲层而得以使用。
- 雷和畅朱雪斌宋文海孙玉平
- 关键词：涂层导体缓冲层化学溶液法
- c轴取向的M-型SLFCO铁氧体薄膜的制备及磁性能
- 2011年
- 采用化学溶液沉积法在Al2O3(001)单晶衬底上制备SLFCO铁氧体薄膜,XRD谱表明样品具有c轴取向的单相结构,空间群为P63/mmc;AFM结果表明样品颗粒呈柱状,平均颗粒尺寸在50～100nm之间。SLFCO铁氧体薄膜具有高的室温饱和磁化强度(130A/m),矫顽力(549.24kA/m)和大的矩形比(0.9),这些性能表明SLFCO铁氧体薄膜是一种非常有潜在应用价值的高密度磁记录材料。
- 訾振发吕建国刘红艳方林刘强春朱雪斌戴建明
- 关键词：化学溶液沉积法磁各向异性
- 铜过量对Cu_xAlO_2(1≤x≤1.06)电学性能的影响(英文)被引量：1
- 2008年
- 采用溶胶-凝胶法制备了铜铁矿结构CuxAlO2陶瓷体材.当1≤x<1.04时,样品为纯铜铁矿相,当x≥1.04时,样品中出现了微弱的CuO相.样品Cu1.04AlO2的室温电导率比名义组分CuAlO2大了近一个数量级.研究表明,替位式缺陷CuAl(Cu2+离子取代Al3+离子)是导致电导增加的主要受主缺陷机制,Cu过量CuxAlO2的分子式可更准确地表示为Cu(Al1-yCuy)O2.
- 邓赞红方晓东陶汝华董伟伟李达朱雪斌
- 关键词：溶胶-凝胶法
