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氮化物子带跃迁探测器材料结构对器件效率的影响: 2019年; 氮化物子带跃迁探测器具备在近红外通讯波段高速工作和在太赫兹波段室温工作的潜力,但材料强的极化作用容易造成器件效率降低.本文分别针对工作于上述波段的典型器件,理论分析了材料结构参数对器件能带结构、载流子浓度分布、极化效应以及光生载流子隧穿的影响.近红外波段器件以光伏型器件结构为基础,研究发现增加量子势阱的周期数、增大势阱掺杂浓度、以及保持接触层材料晶格常数与超晶格有源区平均晶格常数相同,有助于增加基态能级上被载流子填充的量子势阱数,从而增强器件的吸收效率.太赫兹波段器件以双台阶器件结构为基础,研究表明器件设计时即使任意调节势阱层和势垒层厚度,也不会改变影响光生载流子传输的势垒层极化电场分布.同时,降低台阶势垒层铝组分和适当增加其厚度可以提高光生载流子隧穿通过台阶势垒层的效率.本文仿真结果对于设计优化的氮化物子带跃迁探测器材料结构、提升器件性能具有指导意义.; 康健彬李倩李倩; 关键词：氮化物探测器

光子局域化增强物理不可克隆函数: 无序微纳光子结构可以作为一种光学物理不可克隆函数使用,其原理是利用光与无序微纳光子结构相互作用产生的散斑的随机性。光在无序微納光子结构中可以发生光子局域化现象,本文采用数值模拟方法对比分析了局域化和非局域化状态下无序介质...; 王丕东李沫陈飞良姚尧李倩黄锋李栋张丽君; 文献传递

电子束实现210 nm栅长115 GHz GaAs基mHEMT器件被引量：1: 2018年; 为了获得T型栅应变高电子迁移率晶体管(m HEMT)器件,利用电子束(Electron beam,E-beam)光刻技术制备了210 nm栅长,减小m HEMT器件栅极的寄生电容和寄生电阻。采用PMMA A4/PMMA-MMA/PMMA A2三层胶电子束直写的方法定义了210 nm栅长T型栅极。In Al As/In Ga As异质结Ga As-m HEMT器件的直流特性和高频特性分别通过Agilent B1500半导体参数分析仪和Agilent 360 B矢量网络分析仪测试。直流测试结果显示,210 nm栅长In Al As/In Ga As沟道Ga As-m HEMT单指器件的最大有效输出跨导(gm:max)为195 m S/mm,器件最大沟道电流160 m A/mm。射频测试结果显示,电流增益截至频率(fT)和最高振荡频率(fmax)分别为46 GHz和115 GHz。同时欧姆电极特性和栅极漏电特性也被表征,其中栅极最大饱和漏电流密度小于1×10-8 A/μm。; 曾建平安宁李志强李倩李倩唐海林唐海林; 关键词：T型栅最高振荡频率

AlGaN/GaN横向肖特基势垒二极管的仿真与制作: 2018年; 基于GaN横向肖特基势垒二极管（SBD）的频率特性和应用的需要,设计了一种基于AlGaN/GaN异质结的横向SBD。利用Silvaco Atlas软件研究了AlGaN势垒层的厚度和Al摩尔组分对异质结Al_xGaN_（1-x）/GaN SBD电学性能的影响。仿真结果表明,SBD器件截止频率随Al摩尔组分的增加先增大再减小,当Al_xGaN_（1-x）层中Al摩尔组分为0.2~0.25,其厚度为20~30 nm时,AlGaN/GaN SBD器件的频率特性最好。在仿真的基础上,设计制作出了肖特基接触直径为2μm的非凹槽和凹槽型AlGaN/GaN横向空气桥SBD。通过直流I-V测试和射频S参数测试,提取了两种SBD器件的理想因子、串联电阻、结电容、截止频率和品质因子等关键参数,该平面SBD可应用于片上集成和混合集成的太赫兹电路的设计与制造。; 李倩李倩安宁曾建平唐海林唐海林李志强; 关键词：ALGAN/GAN 空气桥太赫兹

截止频率8.7THz的平面肖特基势垒二极管被引量：4: 2015年; 肖特基势垒二极管(SBD)具有强非线性效应、速度快及容易系统集成等特点,常用于微波、毫米波及太赫兹波的产生和检测。本文通过电子束光刻等技术制作出肖特基接触直径1μm的二极管,并对二极管进行了直流测试和射频测试。经过直流测试,二极管的串联电阻为10.2?,零偏结电容为1.76 f F,肖特基结截止频率达到了8.7 THz;相同管子的射频测试串联电阻为15.4?,零偏结电容1.46 f F,肖特基结截止频率也达到了7 THz。; 李倩安宁童小东王文杰曾建平李志强唐海林熊永忠; 关键词：太赫兹肖特基势垒二极管串联电阻截止频率

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李倩