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李明华

作品数：76 被引量：48H指数：4
供职机构：北京科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
相关领域：理学电气工程一般工业技术金属学及工艺更多>>

合作作者

文献类型

  • 32篇专利
  • 26篇期刊文章
  • 11篇会议论文
  • 6篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 21篇理学
  • 16篇电气工程
  • 10篇一般工业技术
  • 8篇金属学及工艺
  • 2篇机械工程
  • 2篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...
  • 1篇经济管理
  • 1篇核科学技术
  • 1篇文化科学

主题

  • 16篇电池
  • 14篇传感
  • 13篇钙钛矿
  • 12篇感器
  • 12篇传感器
  • 12篇磁性
  • 11篇多层膜
  • 11篇磁电
  • 11篇磁电阻
  • 9篇太阳能电池
  • 8篇太阳能
  • 8篇垂直磁各向异...
  • 8篇磁传感器
  • 8篇磁各向异性
  • 8篇磁性薄膜
  • 7篇交换偏置
  • 6篇合金
  • 6篇BI
  • 5篇织构
  • 5篇铁磁

机构

  • 71篇北京科技大学
  • 14篇中国科学院
  • 5篇华南理工大学
  • 3篇首都师范大学
  • 2篇北京工商大学
  • 1篇东北大学
  • 1篇上海交通大学
  • 1篇国家纳米科学...
  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 76篇李明华
  • 44篇于广华
  • 16篇闫小琴
  • 15篇冯春
  • 13篇朱逢吾
  • 13篇滕蛟
  • 10篇赖武彦
  • 9篇张跃
  • 8篇姜宏伟
  • 5篇李宝河
  • 5篇丁雷
  • 4篇廖庆亮
  • 3篇陈黎明
  • 3篇曾德长
  • 3篇马勇
  • 3篇纪箴
  • 3篇腾蛟
  • 3篇廖新勤
  • 3篇刘洋
  • 3篇董跃刚

传媒

  • 6篇物理学报
  • 6篇功能材料
  • 2篇北京科技大学...
  • 2篇科学通报
  • 2篇稀有金属
  • 2篇中国科学（E...
  • 2篇第三届新型太...
  • 2篇第五届新型太...
  • 1篇金属学报
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇真空电子技术
  • 1篇真空科学与技...
  • 1篇航天器环境工...
  • 1篇中国科学：物...
  • 1篇中国物理学会...
  • 1篇第十二届全国...
  • 1篇第二届新型太...
  • 1篇第四届新型太...

年份

  • 1篇2023
  • 2篇2021
  • 4篇2020
  • 2篇2019
  • 8篇2018
  • 8篇2017
  • 5篇2016
  • 3篇2015
  • 2篇2014
  • 6篇2013
  • 5篇2012
  • 2篇2011
  • 2篇2010
  • 3篇2009
  • 6篇2008
  • 1篇2007
  • 2篇2006
  • 2篇2005
  • 1篇2004
  • 3篇2003
共 76 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种超高灵敏磁电阻薄膜材料及其制备方法
一种超高灵敏磁电阻薄膜材料及其制备方法，涉及磁性薄膜材料。本发明设计的薄膜材料结构为：缓冲层/MgO/NiFe/MgO/保护层；然后在磁场中高温退火。该结构材料具有很高的磁场灵敏度，而且将其加工成磁传感元件同样也具有很高...
于广华丁雷滕蛟李明华冯春
NiFeCr/NiFe/MgO/Ta薄膜制备及热处理研究被引量：2
2013年
采用磁控溅射制备了NiFeCr(4.5nm)/NiFe(10nm)/MgO(4.0nm)/Ta(5.0nm)薄膜,并对薄膜进行真空磁场退火。退火后薄膜磁电阻变化率显著提高,400℃退火后达到3.02%,之后随着退火温度的升高,磁电阻变化率下降。XRD结果表明,薄膜不仅具有很强的NiFe(111)织构,同时还出现了MgO的(111)衍射峰。随退火温度的升高,MgO(111)衍射峰的强度有所降低。
李明华李伟滕蛟于广华
关键词：MGO各向异性磁电阻退火
一种光电化学电池光阳极的制备方法
本发明提供了一种光电化学电池光阳极的制备方法。所述的光阳极是一种复合结构，包括α‑Fe<Sub>2</Sub>O<Sub>3</Sub>层、中间层、析氧催化剂层。在制备电极时，先通过加热二茂铁直接得到α‑Fe<Sub>2...
闫小琴程晓琴白智明郇亚欢李明华纪箴
表面活性剂Bi对自旋阀多层膜交换耦合场的影响及其微结构分析
2008年
采用磁控溅射方法制备了Ta(10nm)/NiFe(8nm)/Cu(2.6nm)/NiFe(3.6nm)/FeMn(9nm)/Ta(10nm)自旋阀多层膜.在Cu/NiFe界面沉积适量厚度的Bi原子能够有效地提高交换耦合场,沉积过量的Bi原子会导致交换耦合场下降.X射线光电子能谱分析结果表明:沉积在Cu/NiFe界面的Bi原子可以有效地抑制Cu原子在NiFe层表面的偏聚;当沉积过量的Bi原子时,Bi原子会进一步迁移到FeMn中,形成杂质,从而破坏了FeMn的反铁磁性,使交换耦合场降低.
杜中美蔡永香丁雷朱熠李明华滕蛟于广华
关键词：表面活性剂X射线光电子能谱
一种提高交换偏置薄膜磁性和热稳定性的方法
一种改善交换偏置薄膜性能的制备方法，属于磁性薄膜领域。其特征利用非磁性粒子（纳米氧化物或者金属）稀释AFM材料，调节界面未补偿磁矩的数量和状态，减小AFM材料的晶粒尺寸，提高目前现有交换偏置体系的性能。采用磁控溅射方法制...
李明华于广华刘洋腾蛟冯春
文献传递
插层Bi对NiFe/FeMn双层膜交换偏置场的影响及其XPS分析
2005年
在Ta/Cu/NiFe/FeMn/Ta薄膜中,我们曾发现Cu在NiFe层的表面偏聚导致NiFe/FeMn薄膜的交换偏置场降低。为了抑制Cu的表面偏聚,我们在Ta/Cu/NiFe/FeMn/Ta薄膜中在Cu/NiFe界面沉积Bi插层。实验发现,沉积适当厚度的Bi插层可以将NiFe/FeMn双层膜的交换偏置场提高1倍。XPS分析表明,在Cu/NiFe界面沉积的插层Bi有效地抑制了Cu在NiFe表面的偏聚,提高了交换偏置场。
李明华于广华朱逢吾曾德长赖武彦
准直准单能靶面电子加速实验研究
2015年
实验上使用大能量、亚ps激光脉冲大角度入射固体靶,获得了沿靶面方向定向传播、发散角仅有2°、峰值能量为3–4 Me V的准直、准单能电子束.实验发现激光对比度对靶面电子束的产生起到了至关重要的作用,最佳的对比度为5×10-6.在此最优化条件下,通过背向散射光谱分析发现,共振吸收激发的等离子体波加速可能是电子的主要加速机制.探针光阴影成像及等离子体自发光的精细结构显示,预脉冲与固体靶相互作用中产生了尺度100μm左右的过临界密度预等离子体.这种等离子体的作用类似于等离子体反射镜,使得激光脉冲被限制在预等离子体区与靶面之间,因而最终造成了电子束沿靶面方向的导引.这种靶面电子束因其合适的能量范围、高度的准直性及沿靶面方向定向传播的特性有望在惯性约束聚变尤其是锥靶快点火中得到应用.
马勇李明华陈黎明
关键词：超短超强激光等离子体
一种利用大弹性应变提高磁记录薄膜的剩磁比的方法
本发明涉及磁记录薄膜的制备方法，特别是提供了一种利用记忆合金基底的大弹性应变对磁性颗粒的晶格取向的调控作用，提高磁记录薄膜的剩磁比的方法。所述方法是：在预拉伸的TiNiNb记忆合金基片上依次沉积FePt原子和Ta原子，沉...
冯春李许静于广华李明华
一种弹性可穿戴应变传感器及其制备方法
本发明提供了一种弹性可穿戴应变传感器及其制备方法，该传感器主要包括：导电粉末、弹性基底、一对位于弹性基底两端的电极，所述制备方法包括步骤：（1）将导电粉末涂覆在半固化的弹性基底表面上；（2）将表面粘附有导电粉末的半固化弹...
张跃廖新勤廖庆亮李明华梁齐杰
文献传递
具有分隔层Bi的反铁磁/铁磁双层薄膜间的短程交换耦合被引量：6
2002年
用磁控溅射方法制备了NiFeⅠ FeMn Bi NiFeⅡ 薄膜 ,研究了反铁磁薄膜FeMn与铁磁薄膜NiFeⅠ 及NiFeⅡ 间的交换偏置场Hex相对于分隔层Bi厚度的变化 .发现随分隔层Bi厚度的增加 ,FeMn与NiFeⅠ 间的交换偏置场Hex1 几乎不变 ,FeMn与NiFeⅡ 间的交换偏置场Hex2 急剧减小 .当Bi的厚度超过 0 6nm时 ,FeMn与NiFeⅡ 之间的交换偏置场从 6 92 5下降为 0 876kA·m- 1 .x射线光电子能谱 (XPS)分析表明 ,沉积在FeMn NiFeⅡ 界面的Bi并没有全部停留在界面处 ,至少有部分偏聚到NiFeⅡ
李明华于广华何珂朱逢吾赖武彦
关键词：BI交换偏置织构XPS铁磁薄膜
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