李瑞霞
- 作品数：5 被引量：3H指数：1
- 供职机构：西华大学材料科学与工程学院更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术更多>>
- 退火条件对AIN薄膜的影响
- 本文通过中频脉冲磁控溅射在 Si 村底上沉积 AIN 薄膜,并在不同温度(600℃、700℃和800℃)下对薄膜进行退火处理.用 XRD 分析了薄膜的择优取向,原子力显微镜对氮化铝薄膜进行表面形貌分析,通过紫外可见光谱仪...
- 李瑞霞彭启才曾伦邓慧中
- 关键词：硅衬底氮化铝薄膜反射光谱
- 文献传递
- 氮化铝薄膜制备及性能研究
- 在这篇论文中，AlN薄膜是由中频脉冲磁控溅射制备，主要考察了不同衬底温度和退火温度对AlN薄膜结构和性能的影响，特别研究了AlN薄膜的光学性质和发光特性。
结晶材料AlN具有6．28eV的直接带隙使得其在紫外光...
- 李瑞霞
- 关键词：氮化铝薄膜光致发光
- 文献传递
- 退火条件对AIN薄膜的影响
- 李瑞霞彭启才曾伦邓慧中
- 玻璃衬底制备AlN薄膜结构的研究被引量：3
- 2010年
- 利用中频磁控反应溅射技术在玻璃衬底上制备氮化铝(AlN)薄膜,并经退火处理。利用X-衍射和原子力显微镜分析了AlN薄膜的结构及表面形貌。结果表明,衬底温度和退火工艺对AlN薄膜的结构和表面形貌有重要影响。研究表明,衬底温度为230℃时,AlN薄膜的表面粗糙度最小,退火能减小AlN薄膜表面粗糙度。
- 李瑞霞彭启才曾伦赵广彬
- 关键词：玻璃衬底衬底温度氮化铝薄膜退火
- 退火条件对AlN薄膜的影响
- 本文通过中频脉冲磁控溅射在Si衬底上沉积AIN薄膜,并在不同温度(600℃,700℃和800℃)下对薄膜进行退火处理。用XRD分析了薄膜的择优取向,原子力显微镜对氮化铝薄膜进行表面形貌分析,通过紫外可见光谱仪对样品进行反...
- 李瑞霞彭启才曾伦邓慧中
- 关键词：硅衬底氮化铝薄膜X射线衍射反射光谱退火温度
- 文献传递
