李翠云
- 作品数：19 被引量：55H指数：4
- 供职机构：景德镇陶瓷学院机械电子工程学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金江西省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信文化科学化学工程更多>>
- 校准电表的一种方法被引量：3
- 2003年
- 利用电位差计的高精度,设计出合理的实验电路对C31型电表进行校准,使得电表的准确度等级得以提高。
- 李翠云朱华
- 关键词：电表电位差计实验电路准确度等级校准方法
- 动态法测金属杨氏模量实验中的谐振频率被引量：6
- 2004年
- 根据压电陶瓷晶体压电原理、压电陶瓷棒和试样横振动原理 ,分析了动态杨氏模量实验中出现的多个谐振频率 ,理论分析与实验结果吻合 .
- 朱华李翠云
- 关键词：谐振频率压电效应横振动
- 鄱阳湖洪水灾害与太阳活动周期相关性研究被引量：3
- 2009年
- 鄱阳湖是洪水灾害频发地区,1755年至2008年,共计23个太阳活动周的254年内,鄱阳湖发生洪水年份101次,发生洪水的比率为39.76%,平均每个太阳活动周期内发生洪水4.39次。鄱阳湖发生洪水的频次与太阳活动磁周期无关。太阳活动极期发生鄱阳湖洪水的概率较高,在太阳活动极大期和极小期发生洪水的概率分别为47.82%和60.86%,在同一太阳活动周期内极大期和极小期同时发生洪水的概率较小。一般情况下不会出现连续三个极期都发生洪水的现象,若不考虑太阳活动极期的洪水发生次数,太阳活动周下降期发生洪水的概率最小。
- 占腊生袁文亮闵骞李翠云
- 关键词：太阳活动鄱阳湖洪水灾害
- 大学物理双语教学实践与体会
- 2008年
- 论述了大学物理双语教学的目的和意义,介绍了近两年来在景德镇陶瓷学院开展物理双语教学的一些做法和体会,对物理双语教学中存在的问题提出了思考。
- 李翠云刘辉文
- 关键词：大学物理双语教学
- Si衬底MOCVD生长GaN/InGaN多量子阱缺陷TEM研究被引量：1
- 2008年
- 用透射电子显微镜对Si衬底生长GaN/InGaN多量子阱材料进行横断面测试,在衬底和缓冲层区域进行高分辨电子显微成像(HRTEM)、电子衍射衬度成像、选区电子衍射成像,在量子阱附近区域进行了双束近似电子衍衬像对其位错特性进行研究;用场发射扫描电子显微镜对饱和KOH溶液腐蚀前后材料成像.结果发现,AlN缓冲层具有多孔结构,高温GaN层位错平均密度达108cm-2,同扫描电子显微镜得到的六角腐蚀坑密度一致,量子阱以下发现大量位错发生90°弯曲,而使穿过量子阱位错密度大大降低.在线位错中,以刃位错居多,其次是混合位错,所观察区域几乎未见螺位错.
- 朱华李翠云莫春兰江风益张萌
- 关键词：MQWSI衬底TEM
- Si衬底GaN基多量子阱外延材料的TEM研究
- 2011年
- 本文采用高分辨透射电子显微技术对在Si衬底生长的GaN基多量子阱外延材料的位错特征、外延层与衬底的晶体取向关系及界面的结晶形态等微观结构进行了分析和研究。结果表明:Si衬底生长的GaN与衬底有一定的取向关系;材料在MQW附近的穿透位错密度达108 cm-2量级,且多数为刃型位错;样品A的多量子阱下方可见平行于界面方向的位错,本文认为这可能是由于AlN/Si界面上的SixNy形成的多孔形态促使外延层进行侧向生长,使位错在高温GaN层沿横向弯曲所致,这样可进一步降低穿过量子阱的位错密度,有利于提高材料质量。
- 李翠云占腊生
- 关键词：GANSI衬底位错TEM
- MOCVD生长GaN薄膜的实时干涉曲线分析被引量：2
- 2005年
- 金属有机化学气相沉积(MOCVD)生长系统中通常用激光干涉曲线对材料生长进行实时监控。根据薄膜干涉原理,通过建立反射模型,对GaN薄膜的生长干涉曲线振幅的变化与其生长模式及表面粗糙度的关系进行了详细的阐述和分析。结果表明:干涉曲线中的振幅会随薄膜表面粗糙度的增大而衰减,其衰减程度与粗糙的变化快慢有关,根据材料的实时干涉曲线可揭示其在不同生长过程中的生长模式和定量分析样品表面粗糙度。
- 李翠云朱华
- 关键词：MOCVD反射率粗糙度
- 智能型单摆测量仪的研制被引量：9
- 2003年
- 智能型单摆测量仪不改变原单摆实验装置,采用8位单片机对红外光电传感器控制进行细小摆线的 微弱反射信号检测,从而实现自动计时、自动计数功能,同时能将检测信号进行自动处理,算出重力加速度,达到自 动、实时测量的目的.
- 朱华李翠云周小明张顺如
- 关键词：单片机重力加速度重力加速度硬件系统设计软件设计
- Si衬底InGaN/GaN多量子阱LED外延材料的微结构被引量：2
- 2006年
- 用透射电子显微镜(TEM)和X射线双晶衍射仪(DCXRD)对在Si(111)衬底上生长的InGaN/GaN多量子阱(MQW)LED外延材料的微结构进行了观察和分析.从TEM高分辨像观察到,在Si和AlN界面处未形成SixNy非晶层,在GaN/AlN界面附近的GaN上有堆垛层错存在,多量子阱的阱(InGaN)和垒(GaN)界面明锐、厚度均匀;TEM和DCXRD进一步分析表明MQW附近n型GaN的位错密度为108cm-2量级,其中多数为b=1/3〈1120〉的刃位错.
- 李翠云朱华莫春兰江风益
- 关键词：GANSI衬底位错TEM
- 基于网络的密立根油滴实验的仿真设计
- 2009年
- 以表现力丰富和交互功能强大F lash软件为平台,设计了"密立根油滴实验"的仿真实验课件,通过逼真的仪器图片和对仪器中可操作元件的Action Script脚本编程,实现了场景和仪器的界面及操作仿真过程,使学生不受时空限制,充分预习和进行自主实验,达到良好的教学效果。
- 李翠云曹俊
- 关键词：FLASH
