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李金泽: 作品数：24 被引量：24H指数：3; 供职机构：南京航空航天大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金江苏高校优势学科建设工程资助项目江苏高校优势学科建设工程项目更多>>; 相关领域：一般工业技术理学电气工程电子电信更多>>

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一种衬底加热共溅射法制备铜锌锡硫薄膜的方法: 本发明公开一种衬底加热共溅射法制备铜锌锡硫薄膜的方法。本发明首先使用共溅射方法在加热衬底上沉积三层贫铜富锌/理想配比/贫铜富锌的铜锌锡硫预置层薄膜，然后将预置层薄膜在硫气氛中以特定的退火处理工艺得到铜锌锡硫吸收层。本发明...; 沈鸿烈李金泽姚函妤王威; 文献传递

溶液的pH值对化学浴法制备CdS薄膜光电流响应性能的影响被引量：2: 2015年; 采用化学浴沉积法将氯化镉、氯化铵、硫脲和氨水的溶液体系合成CdS薄膜,用扫描电子显微镜、X射线衍射仪和紫外可见吸收光谱等研究了CdS薄膜的形貌、相结构和光学性能,通过测试薄膜的光电流响应曲线分析了薄膜的光电性能.结果表明：溶液的pH值在9~11的范围内均可以制备均匀致密的CdS薄膜,其中pH=10时制备的CdS薄膜最为均匀致密且其X射线衍射仪衍射峰强度最强,对应的光学带隙约为2.37eV;光电流响应曲线显示该薄膜的光电导最高为2.94×10-2Ω-1·cm-1,光暗电导比为38.23,具有最佳的光敏性.; 焦静沈鸿烈张三洋李金泽王威; 关键词：CDS薄膜光敏性

WO_3-TiO_2-ZnO溶胶的制备及其光致变色性能研究被引量：2: 2014年; 采用溶胶-凝胶法分别制备了WO3,TiO2和ZnO溶胶,在此基础上以一定比例混合后形成WO3-TiO2-ZnO和WO3-TiO2溶胶。利用透射电镜和紫外-可见分光光度计对其进行了表征。结果表明,WO3-TiO2-ZnO溶胶粒子尺寸分布在10~25nm范围,WO3-TiO2-ZnO溶胶比WO3溶胶和WO3-TiO2溶胶具有更好的光致变色性能。用500W汞灯照射80s后,WO3-TiO2-ZnO溶胶由无色变为蓝色,变色后的溶胶在无光照6h左右后由蓝色恢复到无色,具有很好的光致变色行为的可逆性。; 陈伟龙沈鸿烈王威李金泽; 关键词：溶胶-凝胶法光致变色可逆性

基于局域共振机理声学超材料的管道噪声控制装置及方法: 本发明公开了基于局域共振机理声学超材料的管道噪声控制装置，包括管道，管道的侧壁嵌装有具有预紧力的柔性薄膜，柔性薄膜上设有若干个连接点，连接点上安装有弹簧振子，弹簧振子和柔性薄膜能产生叠加振动，当入射声激励达到特定的频率时...; 沈承李金泽杨莎莎周小玲施飞舟张崇峰

衬底温度对共溅射法制备的Cu_2ZnSnS_4薄膜晶粒生长的影响: 2016年; 研究了衬底温度对采用Cu_2ZnSnS_4靶和Cu靶共溅射制备的Cu_2ZnSnS_4薄膜晶粒生长的影响。采用拉曼光谱、X射线能量色散谱仪、扫描电子显微镜和紫外-可见-近红外分光光度计对在不同衬底温度条件下制备的Cu_2ZnSnS_4薄膜的元素比例、形貌以及光学带隙进行了表征与分析。结果表明制备的Cu_2ZnSnS_4薄膜晶粒生长遵循不同规律。室温衬底条件下制备的Cu_2ZnSnS_4薄膜晶粒生长遵循两步法,导致颗粒尺寸和元素分布不均;而在120~200℃衬底温度条件下制备的Cu-Zn-Sn-S预置层在溅射过程中已有Cu_2ZnSnS_4晶粒形成,这些晶粒在后续硫化生长过程中起到形核点的作用,促进了Cu_2ZnSnS_4晶粒的长大与元素的均匀分布。随着衬底温度的升高,Cu-Zn-Sn-S预置层及由此制备出的Cu_2ZnSnS_4薄膜的结晶性变好,Cu_2ZnSnS_4薄膜的带隙先升高后减小至1.55eV。; 李金泽沈鸿烈姚函妤杨楠楠李玉芳吴斯泰; 关键词：衬底温度晶粒生长

一种铜锌锡硫太阳电池吸收层的墨水多层涂敷制备方法: 本发明涉及一种铜锌锡硫(Cu<Sub>2</Sub>ZnSnS<Sub>4</Sub>)太阳电池吸收层的墨水多层涂敷制备方法，其包括如下步骤：(a)采用化学溶液法制备铜锌锡硫纳米颗粒并制成铜锌锡硫纳米墨水；(b)具有良好...; 沈鸿烈王威姚函妤李金泽; 文献传递

磁控溅射法制备的CZGe_xT_(1-x)S薄膜的光电性能研究: 2016年; 用先磁控溅射多层金属膜预置层后硫化的方法成功制备出CZGe_xT_(1-x)S薄膜,并主要研究了Ge含量对于该薄膜光电学性能的影响。分别采用X射线衍射仪、X射线能量色散谱仪、拉曼光谱仪、扫描电子显微镜,紫外-可见-近红外分光光度计和霍尔效应测量仪对不同Ge含量的CZGe_xT_(1-x)S薄膜的物相结构、元素比例、表面形貌、光学带隙以及电学性能进行了表征与分析。结果表明随着Ge含量的升高,晶粒尺寸不断长大,光学带隙从1.52上升至2.12 e V。同时,Ge替换Sn可减少薄膜内的缺陷,所制备的CZGe S薄膜的载流子浓度与迁移率分别为1.99×1018cm-3与9.712 cm2/Vs。; 李金泽沈鸿烈任学明; 关键词：溅射

水浴温度对化学浴沉积制备的Cd_xZn_(1-x)S薄膜光电性能的影响: 2015年; 采用氯化镉,氯化锌,硫脲,柠檬酸钠和氨水构成的溶液体系通过化学浴沉积法合成CdxZn1-xS薄膜,采用SEM、EDS、XRD和紫外可见近红外分光光度计等表征手段研究了CdxZn1-xS薄膜的形貌、组分、相结构和光学性能,测试了薄膜的光电流响应曲线进而对薄膜的光电性能进行了分析。结果表明,在65~85℃水浴温度下均可以制备CdxZn1-xS薄膜,随着水浴温度升高,薄膜中Zn的原子比例相对增加,光学带隙增大;制备的薄膜均显示了明显的光电导现象。75℃制备的薄膜的表面最为平整致密,结晶性最好,光学带隙为2.72 e V,光暗电导比为1.20;光源关闭后电流下降过程最快,关闭10 s后电流下降了约69.39%。; 焦静沈鸿烈李金泽

一种衬底加热共溅射法制备铜锌锡硫薄膜的方法: 本发明公开一种衬底加热共溅射法制备铜锌锡硫薄膜的方法。本发明首先使用共溅射方法在加热衬底上沉积三层贫铜富锌/理想配比/贫铜富锌的铜锌锡硫预置层薄膜，然后将预置层薄膜在硫气氛中以特定的退火处理工艺得到铜锌锡硫吸收层。本发明...; 沈鸿烈李金泽姚函妤王威; 文献传递

退火温度对室温沉积的ITO薄膜与p-Si接触性能的影响: 2016年; 室温下用射频磁控溅射法在玻璃和p型单晶硅衬底上沉积ITO薄膜,并对其进行不同温度的退火处理。采用XRD衍射仪测试薄膜结晶性,用紫外-可见分光光度计和霍尔效应测试试样光电性能,用吉时利2400表测试ITO/p-Si接触的I-V曲线,用线性传输线模型测试比接触电阻。研究结果表明:室温下沉积的ITO薄膜与p-Si形成欧姆接触,但比接触电阻较大。退火处理可以进一步优化接触性能,200℃退火后试样保持欧姆接触且比接触电阻下降为8.8×10^(-3)Ω·cm^2。随着退火温度进一步升高到300℃,比接触电阻达到最低值2.8×10^(-3)Ω·cm^2,但接触性能变为非线性。; 吴斯泰沈鸿烈李金泽姚函妤沈小亮; 关键词：ITO薄膜欧姆接触退火