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杨劲

作品数：3 被引量：6H指数：1
供职机构：华南理工大学理学院应用物理系更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇电荷特性
  • 2篇雪崩
  • 2篇MIS结构
  • 1篇电压
  • 1篇注入法
  • 1篇介质
  • 1篇介质膜
  • 1篇高电压
  • 1篇SIO
  • 1篇XN
  • 1篇I-V
  • 1篇Y

机构

  • 3篇华南理工大学
  • 1篇机电部
  • 1篇中国电器科学...

作者

  • 3篇杨劲
  • 3篇陈蒲生

传媒

  • 1篇半导体技术
  • 1篇华南理工大学...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 2篇1992
  • 1篇1991
共 3 条 记 录，以下是 1-3
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排序方式：
MIS结构中快速热氮化的SiO_xN_y膜电荷特性被引量：1
1992年
本文报导了采用光I—V法研究MIS结构中新型的快速热氮化的SiO_xN_y膜电荷特性。给出这种介质膜和传统的SiO_2膜的体电荷面密度及其分布重心位置等实验结果。文中还用“改进”的雪崩热电子注入装置研究MIS结构中快速热氮化的SiO_xN_y膜的电荷特性。结果指出:快速热氮化后的再氧化工艺可有效地降低SiO_xN_y膜的体电子陷阱和界面陷阱密度;雪崩注入到一定程度后平带电压漂移出现“回转效应”,随后又前漂,弱呈现“N”形。本文就此提出了物理解释。结果还给出:界面电荷陷阱密度在禁带中分布随雪崩注入剂量(时间)的变化关系。文中还对实验结果进行了分析讨论。
陈蒲生杨劲
关键词：MIS结构电荷特性雪崩
研究MIS结构电荷特性的光Ⅰ～Ⅴ法
1992年
介绍以高能紫外激光为光源的、研究 MIS 结构电荷特性的光Ⅰ-Ⅴ法。简述了该法实验原理、实验装置和测试方法;给出了由传统热氧化的 SiO_2介质膜和新型快速热氮化的 SiOxNy 膜(缩写为 RTNF)组成的 MIS 结构的光Ⅰ-Ⅴ实验数据、体电荷密度和平均分布中心的实验结果。并就该法优缺点、应用前景及改进途径作了讨论.
杨劲陈蒲生
关键词：电荷特性MIS结构
介质膜电荷陷阱特性的雪崩注入法的技术改进——垫高电压被引量：6
1991年
本文介绍在我们用于研究MOS、MIS结构介质膜电荷陷阱特性的雪崩注入法中的技术小改进——垫高电压。这一在原测试电路上十分简单的改进,可使我们原有测试系统探测到俘获截面小到10^(-1)_8cm^2的电子陷阱,且为介质膜的雪崩空穴注入提供了准确、便利和有效的技术手段。
杨劲陈蒲生
关键词：介质膜
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共1页<1>
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