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杨晓

作品数:7 被引量:5H指数:1
供职机构:南京邮电大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:理学电子电信自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇学位论文
  • 2篇专利

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇理学
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 6篇场效应
  • 4篇非平衡格林函...
  • 4篇场效应管
  • 2篇异质栅
  • 2篇英文
  • 2篇石墨
  • 2篇石墨烯
  • 2篇纳米
  • 2篇晶体管
  • 2篇沟道
  • 2篇沟道效应
  • 2篇掺杂
  • 2篇场效应晶体管
  • 1篇电极
  • 1篇电流开关
  • 1篇电学
  • 1篇电学特性
  • 1篇定位法
  • 1篇短沟道
  • 1篇短沟道效应

机构

  • 7篇南京邮电大学

作者

  • 7篇杨晓
  • 4篇张露
  • 4篇张婷
  • 3篇王伟
  • 3篇李娜
  • 2篇高健
  • 2篇王伟
  • 1篇肖广然
  • 1篇李娜
  • 1篇夏春萍
  • 1篇王雪莹

传媒

  • 2篇计算物理
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2020
  • 2篇2015
  • 3篇2014
  • 1篇2013
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
基于特征优化和混合回归的室内定位系统研究
随着物联网技术和无线通信技术的发展,人们对室内定位服务的需求日益增加。室内定位服务是根据室内位置所提供的数据来展开服务的。移动终端通过采集信息和匹配由地理位置坐标信息和相关位置特征信息组成的空间指纹库为用户提供室内定位服...
杨晓
文献传递
一种三材料异质栅结构的石墨烯纳米条带场效应管
本发明公开了一种三材料异质栅结构的石墨烯纳米条带场效应管。该场效应管的导电沟道(1)、源区(2)和漏区(3)均采用石墨烯纳米条带材料制作,在所述的导电沟道(1)、源区(2)和漏区(3)外,采用原子沉积等方法生成一层栅极氧...
王伟夏春萍肖广然杨晓
文献传递
采用有限元方法研究轻掺杂源漏结构对异质栅MOSFET的性能影响(英文)被引量:1
2014年
提出了一种轻掺杂源漏结构结合异质材料双栅结构的MOSFET(简称LDDS-HMG-MOSFET)。使用二维非平衡格林函数(NEGF)对该结构进行仿真,其中非平衡格林函数的计算使用有限元法(FEM)。仿真结果表明,在该新型结构中,异质栅结构能够降低漏电流从而能够有效抑制漏极感应势垒较低效应(DIBL),LDDS结构能够增加有效栅长,有效抑制带带隧穿效应(BTBT)和热电子效应。因此,与传统单材料栅结构的MOSFET(简称C-MOSFET)相比,LDDS-HMG-MOSFET具有更加优越的性能、更低的漏电流和更大的开关电流比(Ion/Ioff)。
王伟张露王雪莹朱畅如张婷李娜杨晓岳工舒
关键词:非平衡格林函数有限元方法
三材料线性掺杂石墨烯纳米条带场效应管性能(英文)被引量:3
2015年
采用量子动力学模型研究单材料和三材料的石墨烯纳米条带场效应管(GNRFETs)在不同掺杂情况下的弹道输运特性,模型基于非平衡格林函数方程(NEGF)以及自洽的泊松方程的量子数值解.结果证明:三材料线性掺杂的石墨烯纳米条带场效应管(TL-GNRFET)不仅能够有效地抑制短沟道效应(SCE)和漏极势垒降低效应(DIBL),而且相对于其它几种结构而言,它有更好的亚阈值斜率以及更高的开关电流比.另外,还研究了非对称栅结构对石墨烯场效应管的影响,结果表明,当上栅和下栅同时向源端移动的时候,可以改善器件的电流开关比.
王伟高健张婷张露李娜杨晓岳工舒
关键词:非平衡格林函数
新型纳米场效应晶体管的太赫兹特性研究
本文利用非平衡格林函数和泊松方程建立了碳纳米管和石墨烯场效应晶体管的量子输运模型,并自洽求解基于栅极结构和沟道工程的场效应晶体管的稳态和高频特性。在高频研究成果的基础上将研究范围扩展到太赫兹域,分析了基于流体动力学模型的...
杨晓
关键词:碳纳米管石墨烯非平衡格林函数流体力学太赫兹
文献传递
一种峰值掺杂结合对称线性掺杂结构的碳纳米场效应管
本发明公开了一种峰值掺杂结合对称线性掺杂结构的碳纳米场效应管,构建了适用于峰值掺杂结合对称线性掺杂结构的碳纳米场效应管的输运模型,利用该模型分析计算了HALO-Linear掺杂策略对碳纳米场效应管电学特性的影响。通过与采...
王伟高健张露岳工舒张婷李娜杨晓
文献传递
欠叠异质栅纳米碳管场效应管的量子输运特性(英文)被引量:1
2015年
采用量子力学模型,对欠叠栅对传统单质栅碳纳米管场效应管(简称C-CNTFET)和异质栅碳纳米管场效应管(简称HMG-CNTFET)电学特性的影响进行理论研究,该模型基于二维非平衡格林函数(NEGF)泊松方程自洽求解.仿真结果表明,C-CNTFET的截止频率可高达THz量级,另外,通过比较C-和HMG-CNTFET可以看出,CCNTFET增加欠叠栅后能够提高器件的开关速度,但不利于提高器件的开关电流比.在HMG-CNTFET中,欠叠栅的采用不仅能够同时改善亚阈值特性和开关电流比,还能降低输出电导.
王伟张露李娜杨晓张婷岳工舒
关键词:非平衡格林函数短沟道效应异质栅
共1页<1>
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